关键词： 半导体供应链   公平关切行为   产能投入决策  

摘要： 半导体行业中存在两类典型的制造商：整合元件制造商（IDM）和代工厂。IDM集成了设计和制造等业务，代工厂仅负责制造功能。针对半导体供应链特征，构建由IDM和代工厂组成的供应链。考虑IDM和代工厂是否具有公平关切行为，结合IDM生产采购成本约束，形成了四种生产采购情形。分别在四种情形下求解IDM和代工厂的最优产能投入决策和利润，并探讨在不同的生产采购情形下，公平关切行为带来的影响。研究发现，在公平中性下，只有当采购价格不是很高时，IDM才会全部委托代工厂进行生产，否则，IDM完全使用自身的产能进行生产。当双方均具有公平关切时，IDM存在使用横向双源采购模式的情形，并且公平关切行为有可能会消除采购价格的影响。在IDM优先生产或者采购的情形下，公平关切行为对供应链成员利润具有不同的影响，主要取决于采购价格和供应链成员的公平报酬系数。最后，数值分析还表明公平关切行为改变了采购价格与不同成员利润之间的关系。

摘要： 全固态高功率连续可调谐钛宝石激光器采用一体化的腔型设计可保证长时间的稳定运转.殷钢材质的高稳定度参考腔,可以保证激光器长时间稳定单纵模输出.

关键词： 垂直发散角   准直   非对称波导   倾斜侧壁槽  

摘要： 【目的】对于1 060 nm波段高功率激光器，边发射半导体激光器（LD）相比常用的固体激光器有着效率高、成本低、可靠性高和体积小等优点，但其输出光的远场不对称且光束发散角较大。文章的研究目的是在1 060 nm波段基于边发射LD远场理论模型对激光器的波导结构进行优化设计，以改善其远场光斑对称性以及发散角，且其近准直出射。【方法】在研究方法上，文章首先根据3层平板波导理论分析了边发射LD的远场发散角与其近场光斑的关系，后利用Lumerical FDTD软件仿真设计边发射LD的波导结构及其近场光斑，尤其是对特殊微结构的设计，从而改善远场特性。【结果】文章利用Lumerical FDTD软件仿真设计了一种带有倾斜侧壁槽的微结构激光器。激光器工作波长为1 060 nm，结构具有薄渐变折射率层、单量子阱（SQW）有源层以及非对称宽波导层，近出射端的脊波导处均匀分布了特殊结构的倾斜侧壁开槽。仿真结果显示，该设计的脊波导半导体激光器获得了2.7°的垂直远场发散角；而且达到了近准直水平出射，发射角度低至1°左右。【结论】文章的工作从模拟仿真的角度验证了通过开槽激光器槽侧壁倾斜角度进行光束控制的可行性。通过设计边发射LD垂直波导结构以及槽结构参数设计，实现了边发射LD的低远场发散角以及近准直出射。

摘要： 大基金三期投资规模最大的领域仍以重资产模式的制造端为主,通过晶圆制造环节带动设备和材料等环节不断突破,先进制程逻辑芯片及设备领域的国产化率将持续提升.产业链的薄弱环节、产业地位高的公司有望获得大基金三期更多的青睐.

摘要： 随着大宗材料的涨价,功率半导体的价格已经触底,一季度部分产品开始提价,下游逐步回暖将带动库存去化,预计二季度行情或将上行.消费电子对应的上游功率半导体率先复苏,部分厂商的毛利率触底反弹.

关键词： 气体传感器   多通道   接口电路   加权平均滤波  

摘要： 文中主要针对于纳米材料制备的电阻式半导体气体传感器，设计了一种原理简单、测量精准、便携式且适用性广的多通道采样接口电路。硬件电路部分以STM32处理器作为主控芯片，采用两级比例运放以及挡位切换、ADC采样实现多通道采集传感器电阻值。软件部分通过采用加权平均滤波的算法补偿消除物理误差干扰，再与上位机连接实时传输测量数据。通过定值电阻的模拟传感器和实际半导体传感器两种测试方式进行测试，系统测试结果表明：电路系统能够精准快速完成对定值电阻的测量和半导体气体传感器的测量，并且具有较小的误差，同时设计集成电路可以将传感器封装转化成为可实际测量系统，有效填补了该领域的空白，可以在相应的商业领域进行应用。

关键词： 市场监督管理   联合对外   半导体   国家标准   发布  

摘要： 日前,国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会联合对外发布公告称,由安徽长飞先进半导体有限公司参与制定的国家标准GB/T43885-2024《碳化硅外延片》已于4月25日正式获批发布,并将于2024年11月1日起正式实施,这也是长飞先进参与制定并发布的第5项国家标准。

关键词： 450 nm蓝激光   前列腺汽化术   打沟去垄法   大体积   良性前列腺增生  

摘要： 目的分析450 nm半导体蓝激光“打沟去垄法”治疗大体积良性前列腺增生(BPH)的疗效及安全性,以期在临床推广应用。方法回顾性分析2023年9—12月泰安市中心医院迎胜院区泌尿肾病激光治疗中心行450 nm半导体蓝激光“打沟去垄法”治疗30例大体积BPH患者的临床资料,记录患者术中激光出光做功时间、术前及术后血红蛋白(Hb)水平、术后膀胱冲洗时间、尿管留置时间、术后住院时间、术中及术后并发症发生情况。对比患者术前及术后1个月国际前列腺症状评分(IPSS)、生活质量评定量表(QoL)评分、最大尿流率(Qmax)、膀胱残余尿量(PVR)变化情况。结果患者术前前列腺体积为(104.5±14.52)mL,术中激光出光做功时间(20.13±2.98)min,术后膀胱冲洗时间(20.27±2.56)h。所有患者术后2 d拔除导尿管,术后3 d顺利出院。术后1个月IPSS、QoL评分、Qmax、PVR均较术前明显改善,差异有统计学意义(P<0.05)。在随访期间未观察到任何并发症发生。结论采用450 nm半导体蓝激光“打沟去垄法”治疗大体积BPH是一种新型、安全、有效的手术方式。

关键词： 超宽禁带半导体   专利分析   氧化镓   技术发展   晶体生长  

摘要： 【目的】氧化镓是一种超宽禁带半导体,具有耐高压、耐高温、功率大、抗辐照等特性,极有可能在未来成为高功率、大电压应用领域的主导者,在全球科研与产业界引起了广泛重视。从专利角度对氧化镓材料进行分析,为相关产业的发展和专利布局提供参考。【方法】基于全球相关专利数据,从专利申请趋势、专利权人排名、技术来源国、技术领域IPC分类等维度对氧化镓材料进行分析。【结结果果】揭示了氧化镓在不同国家/地区的竞争态势、技术实力及我国与国际先进水平的差距。【结论】氧化镓材料的研究主要集中在半导体器件及晶体生长方面,国内相关研究起步晚,但发展迅速。