关键词： 半导体芯片   硅橡胶   实用新型   注胶   台面   全自动   工作台   模具  

摘要： 申请的专利(申请号为CN202320873641.2,授权日2024年2月23日)。介绍了“一种全自动电力半导体芯片台面硅橡胶注胶装置”。本实用新型提供一种全自动电力半导体芯片台面硅橡胶注胶装置,属于半导体芯片注胶技术领域,包括工作台,上模具和下模具。

关键词： 钢框架-支撑结构   抗震性能   动力时程分析   结构损伤  

摘要： 以某新型半导体显示产业钢结构厂房备料区为工程背景,建立了厂房钢框架-支撑结构的非线性有限元模型,分别对多遇地震和罕遇地震下的结构抗震性能进行了分析。结果表明,结构整体指标均满足设计规范要求,第3层和第6层的层间位移角较大;罕遇地震下构件损伤主要集中在支撑,而结构底层角柱和中部楼层的边跨梁有轻微损伤;钢支撑能够有效提高结构刚度,减小梁柱的损伤。

关键词： 金属氧化物半导体   薄膜晶体管   场效应迁移率   偏压稳定性  

摘要： 基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶硅(a-Si)在TFT中得到推广应用。然而,为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能(如高分辨率、高刷新率等)和更低功耗等多元升级要求,需要迁移率更高的MOS TFTs技术。本文从固体物理学的角度,系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展,并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。最后,总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。

关键词： 半导体企业   三星电子   战略合作伙伴   海力士   韩国  

摘要： 2021年5月13日召开的有韩国时任总统文在寅出席的韩国"K-半导体"报告大会共邀请了四家企业走上主席台,其中包括三星电子副会长金奇南1(音)、SK海力士副会长朴正浩2(音)、Nepes董事长郑七熙3这三位知名半导体企业负责人。

关键词： 半导体   晶圆   冷却盘体   散热速率  

摘要： 晶圆是一种制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,是制作半导体芯片的基本材料,在半导体集成电路等芯片(Integrated Circuit Chip,IC)产业具有重要地位,因此对晶圆制作工艺要求极高。以晶圆冷却工艺为出发点,设计并制备一种冷却盘体。首先,通过分析选择不锈钢+表面镀镍层铜作为冷却盘体的制作材料。其次,设计分析冷却盘体的结构、厚度及制作工艺,并得出设计创新点。最后,实际使用效果显示,该冷却盘体的散热速率可达2.68℃·s^(-1),且在实施冷却降温过程中没有发生变形及铜离子泄漏问题,也未出现漏水、漏气问题。

关键词： 解键合   机械   Frame  

摘要： 近年来,电子产品不断朝着小型化、集成化的方向发展,采用堆叠结构的2.5D、3D封装领域,要求器件晶圆的厚度不断的减薄,对减薄晶圆的处理工艺成为了难道、要点,由于超薄晶圆具有易碎性、易翘曲的特点,可以将器件晶圆与载片晶圆临时键合,由载片晶圆为器件晶圆提供机械支撑。在减薄抛光工艺完成后,通过解键合将器件晶圆与载片晶圆进行分离,该过程称为临时键合及解键合技术。解键合技术是一种常用的晶圆加工方法,其用于将超薄器件晶圆和载片晶圆相分离。根据临时键合中间的键合胶不同,可使用不同的解键合方法,现有的解键合方法主要有热处理方法、化学方法、机械方法和激光烧蚀方法四种类型。本文重点就机械解键合技术展开研究。

关键词： 半导体物理学   课程教学   生产实践   科研前沿  

摘要： 大多《半导体物理学》教材对于基础理论在生产实践与科研前沿中的应用缺乏介绍,教师如果严格按照教材内容授课,则不利于培养学生分析和解决实际问题的能力。鉴于此,本文以晶体硅太阳电池为例,阐述如何在《半导体物理学》教学过程中穿插介绍基础理论在生产实践与科研前沿中的应用,以期激发学生学习兴趣,提高学习的热情与主动性,从而提高课程教学效果。

关键词： 低温键合   金铟共晶   固液扩散键合   剪切强度  

摘要： 由于埋置芯片耐受温度的限制,圆片级低温键合技术是MEMS三维集成的关键工艺之一。金属In凭借自身熔点低而金属间化合物(Intermetallic compound, IMC)熔点高且性质稳定的特点,使得Au-In固液扩散键合法成为颇具前景的低温键合技术之一。本文采用Au-In二元共晶化合物进行圆片级低温键合,在键合衬底上先后制备了0.4μm的SiO/SiN介质层、3.5μm的Au层和1.7μm的In层,然后分别研究了先预加热键合极板再贴合圆片和先贴合再加热两种键合方式。电性能测试、An/In组分分析和剪切试验结果表明:先贴合再加热的键合样品芯片形成了性质稳定的IMC组分,具有良好的电学互连特性稳定性,且剪切强度达到100 MPa。一定样本容量的实验结果证明隔绝键合前Au-In的相互扩散能够有效增强键合的可靠性。

关键词： 激光器   中红外激光   掺杂氧化镁的周期极化铌酸锂   全固态激光器   光参量振荡器  

摘要： 3~5μm中红外波段激光在大气中具有较高的透过率,因此被广泛应用于光电对抗等领域。报道了基于掺杂氧化镁的周期极化铌酸锂(MgO∶PPLN)晶体的kHz、mJ量级的中红外光学参量振荡器(OPO)。采用纳秒脉冲1064 nm激光泵浦基于多周期MgO∶PPLN晶体的OPO,OPO采用泵浦双通单谐振平凹腔结构。中红外激光的重复频率为1 kHz,4.08μm处输出的最高单脉冲能量达到1.041 mJ。最高光-光转换效率为16.8%,斜效率为19.3%,中红外激光脉宽约为9.53 ns。在最高能量输出时,OPO运转30 min时输出功率的均方根(RMS)为0.24%。通过温度-极化周期结合的调谐方式,OPO在3.49~4.18μm的较宽范围内都能够保持0.9 W以上平坦的高能量输出。在极化周期27.5~29.6μm以及温度25~200℃的调节范围内,闲频光波长的调谐范围为3.49~4.48μm。实现了重复频率为kHz量级、单脉冲能量为mJ量级的可调谐中红外输出,其在光电对抗领域具有应用价值。

关键词： 半导体激光器   绿光   体布拉格光栅   倍频  

摘要： 为提高绿光激光器的输出特性,设计了一种体布拉格光栅外腔倍频半导体激光器。采用反射型体布拉格光栅作为反馈元件构成外腔半导体激光器,并使用三硼酸锂晶体进行倍频,研究了基频光的光束及光谱特性对倍频光的光束及光谱特性的影响。实验结果表明,使用体布拉格光栅进行外腔锁波时,所得到的倍频光同样能实现窄带宽输出,同时倍频光的远场分布与基频光的远场分布一致。使用衍射效率为10%的体布拉格光栅作为外腔输出镜,可将半导体激光器的输出波长稳定锁定在1064 nm,所得到的倍频光波长稳定在532 nm附近,光谱线宽压缩至0.4 nm左右,输出功率可达73 mW。