关键词： 半导体激光   牙龈切除术   楔状缺损   纳米树脂  

摘要： 目的观察半导体激光牙龈切除术联合纳米树脂充填龈下楔状缺损的临床效果。方法选择2021年5月至2022年5月就诊于银川市口腔医院的龈方洞缘位于龈下1~1.5 mm的64例前牙及前磨牙楔状缺损患者(共82颗患牙),随机分为试验组(32例,42颗患牙)和对照组(32例,40颗患牙)。试验组采用半导体激光牙龈切除术治疗,对照组采用手术刀牙龈切除术治疗。两组均于术后1周采用纳米树脂充填楔状缺损。比较两组术后24、48、72、96 h的疼痛程度[采用视觉模拟评分法(VAS)评估],术前和术后12个月的龈沟出血指数(SBI)和探诊深度(PD),以及术后12个月的修复效果(充填体完整性、边缘适应性、继发龋、边缘着色、新发缺损和牙髓反应)。结果试验组术后24、48 h的疼痛程度均轻于对照组,差异均有统计学意义(P<0.05);两组术后72、96h的疼痛程度比较,差异均无统计学意义(P>0.05)。术前,两组SBI、PD比较,差异均无统计学意义(P>0.05);术后12个月,两组SBI、PD均低于同组术前(P<0.05),但组间差异无统计学意义(P>0.05)。术后12个月,两组充填体完整性、边缘适应性、继发龋、边缘着色、新发缺损和术后牙髓反应比较,差异均无统计学意义(P>0.05)。结论对于龈下1~1.5 mm的楔状缺损,采用半导体激光牙龈切除术联合纳米树脂充填,可减轻患者的疼痛程度,且修复效果与手术刀牙龈切除术相当。

关键词： 半导体技术   安森美半导体   中学师生   教育资源   IEEE   基金会  

摘要： 作为安森美“奉献”(Giving Now)项目的组成部分,安森美半导体基金会近日授予了IEEE基金会-项为期两年的拨款,总额为137125美元,用于在IEEE工程实验项目(IEEE TryEngineeing)为中学师生开发有关半导体技术的内容。IEEE工程实验项目致力于通过提供资源克服教育系统的障碍,从而为全球科学、技术、工程和数学(STEM)劳动力储备作贡献。此大学预科课程由IEEE教育活动委员会监督。

关键词： 泛半导体   智能制造   工业互联网   实践案例  

摘要： 工业互联网是制造业转型升级的必由之路,本文以工业互联网在某企业的应用实践为例,探讨了工业互联网在泛半导体制造领域自动化、数字化、智能化和低碳化方面的应用。通过分析业务架构和解决方案,阐述了工业互联网的整体运作模式和核心技术。同时,结合实际案例分析了工业互联网在提高生产效率、降低成本、优化管理和促进可持续发展方面的作用。

关键词： 血管瘤   半导体激光   硬化剂  

摘要： 目的:探究半导体激光对颌面部血管瘤的治疗效果.方法:随机将我院自2021年12月至2023年4月收治的60例口腔黏膜微静脉畸形患者分为对照组(30例)和试验组(30例).对照组硬化剂治疗,试验组半导体激光联合硬化剂治疗.比较两组患者临床疗效、术后并发症发生率、以及复发率.结果:试验组临床总有效率明显高于对照组(P<0.05),总治疗完成后3 m,试验组疼痛程度明显低于对照组(P<0.05),试验组治疗次数明显少于对照组(P<0.05),试验组并发症、复发率明显低于对照组(P<0.05).结论:半导体激光联合硬化剂治疗口腔黏膜微静脉畸形患者较硬化剂治疗,临床效果更显著,有效缓解疼痛,减少治疗次数,减少复发,且不增加术后并发症.

关键词： 功率半导体   测试实验室   北京亦庄   质量提升   能量转换   电动汽车   新能源汽车技术   提供支撑  

摘要： 功率半导体是汽车电动化最核心的器件,被誉为“电动汽车之芯”,是实现能量转换的最核心部件,如何完成其上车的测试验证?近日,国家新能源汽车技术创新中心(以下简称“国创中心”)车规功率半导体测试实验室正式投入运营,为汽车半导体的技术进步和质量提升提供支撑。

关键词： 中国区市场   副总裁   意法半导体   首席执行官   长城汽车   碳化硅  

摘要： 3月8日,芯动半导体与意法半导体在深圳签署战略合作协议。nics SicMou signinaCeremony长城汽车零部件董事长郑立朋、芯动半导体总经理姜佳佳,意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery,执行副总裁、中国区总裁曹志平,中国区市场及应用副总裁FrancescoMUGGERI,销售副总裁赵明宇出席签约仪式。

关键词： 全固态激光器   Nd:GdVO_(4)晶体   四倍频   228 nm激光  

摘要： 在室温下实现全固态Nd:GdVO_(4)激光器四倍频228 nm深紫外脉冲输出。本文采用LD端面泵浦912 nm Nd:GdVO_(4)、声光调Q技术和LBO/BBO级联倍频产生228 nm脉冲激光,并通过理论和实验优化激光器参数设计,最终在LD泵浦功率为23.5 W时,重复频率在10 kHz下,获得了平均功率为14 mW的228 nm深紫外光输出,其脉冲宽度为59 ns,光斑呈椭圆形。

关键词： 半导体缺陷计算   镜像电荷修正   低维半导体缺陷物理   非平衡掺杂  

摘要： 半导体材料的掺杂与缺陷调控是实现其应用的重要前提.基于密度泛函理论的第一性原理缺陷计算为半导体的掺杂与缺陷调控提供了重要的理论指导.本文介绍了第一性原理半导体缺陷计算的基本理论方法的相关发展.首先,介绍半导体缺陷计算的基本理论方法,讨论带电缺陷计算中由周期性边界条件引入的有限超胞尺寸误差,并展示相应的修正方法发展.其次,聚焦于低维半导体中的带电缺陷计算,阐述凝胶模型下带电缺陷形成能随真空层厚度发散的问题,并介绍为解决这一问题所引入的相关理论模型.最后,简单介绍了缺陷计算中的带隙修正方法及光照非平衡条件下掺杂与缺陷调控理论模型.这些工作可以为半导体,特别是低维半导体,在平衡或非平衡条件下的缺陷计算提供指导,有助于后续半导体中的掺杂和缺陷调控工作的进一步发展.

关键词： 集成电路制造   智能化半导体设备   晶圆搬运机械手  

摘要： 阐述智能化半导体设备中的晶圆搬运机械手面临着环境适应性、安全性和可靠性,以及数据管理和集成等挑战。解决这些挑战,才能更好地适应复杂的制造环境,实现数据的高效管理和无缝集成。

关键词： 技术人员   第三代半导体   加班加点   大屏幕   研究院   会议室   产业  

摘要： “满屏‘绿点’,产品整体良率水平达到新高度!”轰鸣的掌声从中国电科产业基础研究院会议室传出,大屏幕上滚动展示的最新批次1200V碳化硅MOSFET产品测试结果,让与会技术人员脸上露出了满意的笑容,标志着他们半年多的加班加点工作终于有了好的回报。