关键词： 过渡金属元素   过渡金属掺杂   材料性能   磁性传感器   高居里温度   光学性质   光电器件   磁性质  

摘要： 磁性半导体材料在电子学和磁性存储器等领域具有重要应用价值.过渡金属掺杂CdO基稀磁半导体材料是一类备受关注的材料,其具有高居里温度、大磁矩和窄带隙等特性,主要应用在磁性存储器、磁性传感器和磁性逻辑器件等领域.过渡金属元素的掺杂可以改变CdO材料的电子结构和磁性质,从而实现对材料性能的调控.通过合适的过渡金属元素掺杂,可以引入局域磁矩,使CdO材料表现出稀磁性质.此外,过渡金属掺杂还可以调节CdO材料的导电性能和光学性质,为其在光电器件和催化剂等领域的应用提供了可能.

关键词： 肥厚型舌系带   半导体激光   舌系带矫正术  

摘要： 比较半导体激光和传统手术针对肥厚型舌系带患儿的治疗效果。方法:选择自2018年8月至2019年11月,我科治疗的120例肥厚型舌系带患儿,随机分成实验组和对照组,各60例。实验组采用半导体激光治疗,对照组采用传统手术治疗。对患儿术后出血,感染,粘连的发生率以及手术时间进行比较。结果:半导体激光组所用的时间明显短于传统手术组,术后出现感染,出血以及粘连的发生率也明显低于传统手术组。结论:半导体激光在粗厚型舌系带患儿的治疗中相对传统手术治疗,具有手术时间短,出血,感染风险低,术后粘连复发几率低的优势。

关键词： 工业半导体厂房   净化空调系统设计   节能应用  

摘要： 工业半导体厂房对温度、湿度、空气洁净度提出了较高的要求,需要通过净化空调系统控制核心生产区域的环境参数。探讨了净化空调系统的设计方案,构建了节能评价指标体系,并分析了各个子系统的节能应用效果。结果显示:工业半导体厂房净化空调系统由水系统、风系统、热源系统组成;净化空调系统的整体节能效果较好。在实际应用管理中,可通过建立节能评价指标监控系统,确定高能耗节点,从而制定节能优化措施。

关键词： CQDs/半导体复合光催化材料   降解   有机染料   抗生素   止痛药   酚类化合物  

摘要： 有机污染物的危害日益严重,引起人们的广泛关注。半导体光催化降解有机污染物是公认的绿色技术,但传统的半导体光催化材料对可见光的利用率低,光生电子与空穴易复合,导致降解有机污染物的效率不高,开发高效、稳定的半导体复合光催化材料,是当前光催化领域的研究热点。碳量子点(CQDs)是新型的纳米级荧光碳材料,可作为修饰剂与半导体材料复合,能够显著提高复合材料的光催化降解效率,极大地激发了研究者的兴趣。本文介绍了碳量子点与半导体光催化剂的复合方法,总结了近几年CQDs/半导体复合光催化材料降解有机染料、抗生素、止痛药、酚类化合物等有机污染物的应用成果。

摘要： 晶圆代工及逻辑芯片经历了衰退周期,复苏有望于2024年开启,海外半导体设备厂商将经历调整期,对先进制程引领的设备市场预期乐观;芯片及技术主权的重视为国产设备厂商创造机遇,上游零部件亦可获益. 2023年是半导体产业深度调整的一年,全球半导体市场出现两位数下滑,晶圆代工市场遭遇挑战,半导体行业经历了需求疲软、库存高企、价格压力、产能利用率低等多重压力.2024年,全球半导体设备市场规模有望迎来复苏并增长至1053亿美元.

关键词： 上海张江   能源系统   张江科学城   绿色低碳   分布式光伏项目   智能电力   (上海)   半导体  

摘要： 近日,日荣半导体(上海)有限公司1.85MW分布式光伏项目在张江科学城内开工建设。该项目由上海张江智能电力发展有限公司(以下简称“张江智能电力”)投资建设,旨在深化服务并助推张江科学城的能源系统朝绿色低碳方向转型。

关键词： 新型电力材料   导电材料   半导体  

摘要： 文章首先介绍了新型电力材料的概念和分类,然后探讨了新型电力材料的制备方法,最后分析了新型电力材料的应用现状,并提出了优化新型电力材料应用的措施,旨在研究新型电力材料的制备方法与应用。

关键词： 新兴产业   电动工具   重要节点   武义   新能源   山区县   高质量发展   半导体  

摘要： 武义县地处浙江之心、八婺之南,是“永武缙”五金产业集群的重要节点,拥有电动工具、食品接触容器两个百亿元产值产业,新能源新材料、有机国药及半导体新材料等新兴产业异军突起。习近平总书记在浙江工作期间,曾两次亲临武义考察调研,充分肯定武义“发展工业的路子是符合规律的”。

关键词： 外延片   扩建项目   竣工验收备案   项目竣工验收   项目占地面积  

摘要： 近日,据“独墅湖科创区发布”官微消息,晶湛半导体氮化镓(GaN)外延片生产扩建项目已于2024年1月15日取得竣工验收备案证。据悉,该项目占地面积16.5亩,总建筑面积2.2万平方米,总投资2.8亿元,预计年产6英寸GaN外延片12万片,8英寸GaN外延片12万片。

关键词： 电路与系统   宽禁带半导体   功率半导体   战略机遇期   射频器件   快速充电   太赫兹   技术瓶颈  

摘要： 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。为进一步促进宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成等领域的新理论、新技术、新方法的创新研究,促进全国宽禁带半导体行业的相互交流、学习借鉴.