关键词： 碳化硅   半导体   加工   湿法氧化   化学机械抛光   材料去除率  

摘要： 半导体碳化硅(4H-SiC)材料具有硬度高、脆性大、化学性质稳定等特点,一般使用化学机械抛光工艺来加工4H-SiC以获得超光滑平坦表面。湿法氧化作为单晶4H-SiC化学机械抛光的重要过程,直接影响着化学机械抛光的速率和表面质量。本文综述了目前单晶4H-SiC湿法氧化的研究现状,讨论了4H-SiC湿法氧化工艺所选用的氧化剂,如KMnO_(4)、H_(2)O_(2)、K_(2)S_(2)O_(8)等。在此基础上,进一步总结了常用的氧化增效方法,如光催化辅助氧化、电化学氧化、芬顿反应等,并从理论计算的角度分析了单晶4H-SiC湿法氧化的机理,最后展望了4H-SiC湿法氧化未来的研究方向。

关键词： 釉突   半导体激光   慢性牙周炎   牙周基础治疗  

摘要： 目的:研究半导体激光联合去釉突治疗在伴有釉突的Ⅱ度根分叉病变治疗中的临床效果及其影响因素。方法:纳入存在Ⅱ型釉突的Ⅱ度根分叉病变患者24例,共48颗患牙,随机分为根面平整组(SRP组)、去釉突+SRP组(D+SRP组)、去釉突+SRP+半导体激光组(D+SRP+L组)。SRP组不去釉突直接行SRP;D+SRP组去除釉突后行SRP;D+SRP+L组去釉突后,联合使用半导体激光辅助SRP。分别于治疗前及治疗后4周、3个月比较3组患者的探诊深度(PD)、牙龈出血指数(BI)、牙龈退缩(GR)和附着丧失(CAL)。收集36颗存在Ⅱ型釉突的离体牙,随机分为以上3组,制备根片,原子力显微镜下观察3组的表面形态,测定表面粗糙度(Ra值);免疫荧光细胞迁移实验观察牙周膜成纤维细胞(hPDLFs)迁移能力;牙龈卟啉单胞菌培养观察菌落形态。结果:治疗后4周及3个月,牙周各指标改善情况,D+SRP+L组最显著,D+SRP组次之,SRP组最差(P<0.01)。原子力显微镜下测定各组表面粗糙度:D+SRP+L组最大,D+SRP组次之,SRP组最小。荧光显微镜下观察hPDLFs迁移细胞数目,D+SRP+L组迁移能力最高,组间差异具有统计学意义(P<0.01)。原子力显微镜下VPM(peak material volume)值,D+SRP组与SRP组相比无明显差异;而D+SRP+L组最低,与SRP组相比差异有统计学意义。3组菌层厚度无明显差异(P>0.05)。结论:半导体激光联合去釉突可以提高有釉突的Ⅱ度根分叉病变患牙的基础治疗效果。

关键词： 长电科技   芯片技术   半导体   发展历程   代工   新壁垒   美国商务部  

摘要： 从半导体发展历程来看,半导体封测环节在国内发展最早、最快具备规模化优势,本质上是技术含量相对较低所致。后摩尔时代,单纯的技术代工很难适应行业发展,因此,长电科技正以技术研发变革为要领。2022年,美国商务部发布《美国资助芯片战略》,意图限制先进芯片技术的出口,其次将全球芯片重心移至美国本土。

关键词： 半导体   石英舟   指标规范   制备技术  

摘要： 本研究通过针对半导体制程不同环节对石英制品性能要求分析、高精度机械加工工艺优化、石英制品热成型组立技术、石英制品抛光退火工艺等多方面研究,制备出符合半导体制程工艺要求的石英制品。本研究的成果有效替代进口产品,提升国产化率、振兴民族工业,促进我国半导体集成电路和国家电子信息产业的健康发展。

关键词： 石墨烯   半导体金属氧化物   光催化剂   制备工艺  

摘要： 光催化剂因其具有强氧化性、高化学稳定性、环保、无毒性等优点,广泛应用于污水处理、空气净化、疾病治疗、环境修复等领域。为改善纳米光催化剂的光响应范围,添加石墨烯基系列材料已成为国内外的研究热点。综述了石墨烯基材料与半导体金属氧化物复合光催化剂研究现状,总结了不同制备工艺对石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂形貌结构和光催化性能的影响,对各类制备工艺的优缺点进行了比较,并指出了相关工艺需要克服的关键技术问题,展望了石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂未来发展方向,以期为提高半导体金属氧化物的光催化性能和石墨烯基/半导体金属氧化物复合光催化剂制备工艺的优化提供参考。

关键词： 微电子机械晶圆级封装   金-金热压键合   高键合强度  

摘要： 金-金热压键合技术,由于对键合温度和键合表面的要求更低,在微电子机械(MEMS)器件的制造工艺中备受关注,特别是在MEMS晶圆级封装技术上优势突出。本报告提出了金-金热压键合方案,研究了键合工艺和表面活化处理对键合质量的影响;并进一步优化了键合工艺,通过剪切力测试评估晶圆的键合质量。测试结果表明,经过氧气等离子体处理20 s后,采用EVG501型键合机在340℃/2500N条件下键合20 min,可获得最大键合强度31.586 MPa。本报告的研究为MEMS器件晶圆级封装工艺提供了技术支撑。

关键词： 半导体存储器   新基建   市场分析   应用   发展  

摘要： 为建设工业强国,党中央和国务院明确提出要加强新型基础设施建设,其中要着力发展5G基站、特高压、城际高速铁路和轨道交通、新能源充电桩、大数据中心、人工智能和工业互联网等七大领域。在新基建的浪潮中,半导体存储器的发展对新基建政策的推行举足轻重,新基建也为半导体存储器的发展提供了更广阔的舞台。本文从三种主流存储器动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)、NAND型闪存芯片(NAND Flash)和NOR型闪存芯片(NOR Flash)的特点及市场分析、半导体存储器在新基建中应用及发展等方面进行阐述,分析新基建中半导体存储器的发展前景。

关键词： 半导体产业   经济基础设施   市场竞争力   高质量发展   科学技术   稳步发展  

摘要： 面对美西方对中国高科技领域变本加厉的封锁与制裁,中国半导体产业要充分发挥独特的制度优势和市场竞争力,攻克“卡脖子”难关,推进半导体产业链持续稳步发展。半导体产业作为数字经济基础设施中的重要组成部分,对于中国科学技术和经济发展具有重要作用。

关键词： Er∶YAG激光   半导体激光   种植体周围炎  

摘要： 观察Er∶YAG激光与半导体激光在联合机械清创中治疗轻中度种植体周围炎的临床效果。方法 选取2020年6月至2021年6月笔者医院种植修复科就诊的种植体周围炎患者60例。应用Er∶YAG激光与半导体激光清除病变的纤维肉芽组织,并进行种植体表面去污处理。通过探诊出血指数、探诊深度、牙龈指数、疗效判定标准、龈沟液炎症因子指标等6个方面比较治疗前和治疗后2个月来评估Er∶YAG激光与半导体激光治疗轻中度种植体周围炎的临床效果。结果 观察2个月后,Er∶YAG激光在探诊出血指数、探诊深度、牙龈指数、疗效判定标准、龈沟液炎症因子等方面均优于半导体激光组,组间差异均有统计学意义(P<0. 05)。结论 应用Er∶YAG激光治疗种植体周围炎实验组优于用半导体激光,表明饵激光治疗种植体周围炎的效果更好。

关键词： 声光锁模   非临界相位匹配   宏微脉冲  

摘要： 脉冲宽度为皮秒的红光激光器,具有脉冲宽度窄,峰值功率高的优点,使其在工业、医疗、科研和信息存储等方面具有广泛的应用。本文采用声光锁模(AOML)的方式设计了一款具有窄线宽、高转换效率,输出波长为660 nm的全固态皮秒激光器。该激光器采用半导体侧面泵浦的方式,通过优化谐振腔型,并使用两块LiB3O5(LBO)晶体进行腔外倍频,最终获得最大输出功率为8.6 W的660 nm激光输出。激光器采用脉冲侧面泵浦的模式,获得的锁模脉冲频率为100 MHz,脉冲宽度为887 ps。1319 nm至660 nm激光的倍频转换效率可达41%。