摘要： 本刊编辑部:即将IPO发行的上海合晶的可比公司有沪硅产业和立昂微等,但目前沪硅产业的市盈率约150倍,而立昂微的市盈率约65倍,二者相差甚远,上海合晶在进行估值时究竟该参照谁呢?

摘要： 她不甘平庸,用绝食争取上学机会;她苦心钻研,研制出我国第一根硅单晶;她开拓创新,开辟了我国微重力半导体材料科学研究新领域,并在砷化镓晶体太空生长和性质研究方面取得了令世人瞩目的成绩;……她就是林兰英,我国半导体材料科学的奠基者和开

摘要： 科技日报2024年1月5日报道,中国天津大学和美国佐治亚理工学院研究人员创造了世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体.该项突破为开发全新电子产品打开了大门.研究成果于2024年1月3日发表在《自然》杂志.

关键词： 半导体激光   老年人   根尖周炎   根管治疗  

摘要： 目的探讨半导体激光在老年根尖周炎患者根管治疗中的作用。方法老年根尖周炎患者260例,随机分为观察组与对照组,观察组辅助应用半导体激光对常规方法根管预备后的根管进行消毒治疗,对照组未采用半导体激光辅助治疗。比较根管预备后24 h、72 h的疼痛程度和根管治疗疗效。结果根管治疗术后24 h、72 h观察组疼痛程度均轻于对照组(P<0.05)。观察组根管治疗6个月和1年成功率高于对照组(P<0.05)。结论老年根尖周炎患者在根管治疗过程中,应用半导体激光对根管进行消毒,可降低根管治疗术后疼痛程度,提高根管治疗成功率,具有一定临床应用价值。

关键词： 半导体薄膜   多晶薄膜   化学气相沉积法   过渡金属元素   过渡金属掺杂   铁磁半导体   空穴浓度   磁性测量  

摘要： 具有高温铁磁性的IV族金属硫族化物磁性半导体薄膜是半导体自旋电子器件所需要的重要材料.本文采用固体源化学气相沉积法制备了一系列过渡金属元素(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂GeSe的多晶半导体薄膜样品.磁性测量表明,Mn,Fe和Co掺杂的GeSe薄膜表现出较强的铁磁性,居里温度(TC)分别高达277,255和243 K,而V,Cr和Ni掺杂GeSe的多晶薄膜表现出较弱的铁磁性.磁电输运测量表明,Mn,Fe和Co掺杂GeSe的多晶薄膜具有相对较高的空穴浓度,在300 K下高达~1020cm^(-3).基于实验和计算结果的进一步分析表明,Mn,Fe和Co掺杂GeSe的多晶薄膜中的强铁磁性归因于载流子增强的Ruderman-KittelKasuya-Yosida相互作用.我们的研究结果展示了过渡金属掺杂GeSe的磁性半导体薄膜的丰富多样性,并为相关基础研究和器件应用提供了一个新平台.

关键词： 半导体制备   学科交叉   人才培养  

摘要： 半导体制备技术是合成先进半导体材料的基础,为我国集成电路、光电子、探测器等领域提供材料保障.在半导体制备中,涉及材料、能源、电子、机械等学科,其中能源学科领域的热力学、传热、传质等研究方向对于半导体装备的设计至关重要.结合作者长期从事工程热力学的教学经历和半导体制备技术的科研经验,探究半导体材料制备中的热力学原理,并引入工程热力学的实践教学中,科研与教学相长,在丰富充实工程热力学教学素材的同时,促进能源学科与半导体材料学科交叉型人才的培养.

关键词： 化学机械抛光(CMP)   抛光性能   磨料   去除速率   表面质量  

摘要： 对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性,从磨料的改性和制备介绍了磨料在半导体材料CMP中应用的限制性,重点从半导体材料的去除速率和表面质量介绍了磨料对半导体材料抛光性能的影响,并对国内外研究中单一磨料、混合磨料和复合磨料对半导体材料抛光性能的影响进行了评述,总结了近年来磨料在半导体材料CMP中的研究进展。最后,对磨料在半导体材料CMP中存在的共性问题进行了总结,并对该领域所面临的挑战及发展方向进行了展望。