关键词： 双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管   重离子辐照   单粒子烧毁  

摘要： 本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子注量达到9×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,在偏置电压为500 V时,重离子注量达到3×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,单粒子烧毁阈值电压在器件额定工作电压的34%(400 V)以下.对辐照后器件进行栅特性测试,辐照过程中偏置电压为100 V的器件泄漏电流无明显变化;200 V和300 V时,器件的栅极泄漏电流和漏极泄漏电流都增大.结合TCAD仿真模拟进一步分析器件单粒子效应微观机制,结果表明在低偏压下,泄漏电流增大是因为电场集中在栅氧化层的拐角处,导致了氧化层的损伤;在高偏压下,辐照过程中N-外延层和N+衬底交界处发生的电场强度增大,引起显著的碰撞电离,由碰撞电离产生的局域大电流密度导致晶格温度超过碳化硅的熔点,最终引起单粒子烧毁.

关键词： 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料   GaAsBi薄膜   多量子阱材料   量子点材料   MBE   MOVPE  

摘要： 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料,对其制备方法和研究进展进行了综述。研究人员对GaAsBi材料的研究主要集中在薄膜、多量子阱、纳米线和量子点材料的制备。在薄膜材料方面,侧重于研究制备工艺条件对GaAsBi薄膜的影响,例如低衬底温度、低生长速率和非常规的Ⅴ/Ⅲ束流比;在多量子阱材料方面,采用双衬底温度技术有效减少Bi偏析问题;对于纳米线和量子点材料,金属Bi作为表面活性剂可以改善材料的形貌和光学性能。然而,目前在该材料研究和应用方面仍存在挑战,如薄膜材料的结晶质量恶化和金属Bi分凝团聚,以及量子点材料中Bi的均匀性和形成机制的争议。解决这些问题对于提高GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料的质量和促进器件发展具有重要意义。

关键词： 复发性口腔溃疡   激光技术   炎症   安全性  

摘要： 分析复发性口腔溃疡治疗中行激光技术治疗的有效性与安全性。方法 研究样本采集2021年01月至2022年12月期间于本院诊治的80例复发性口腔溃疡患者,依据患者入院时间予以编号,奇数为对照组,偶数为观察组,对照组行常规药物治疗,观察组在对照组的基础上联合激光技术治疗,对照两组患者的治疗效果、炎症指标、咀嚼功能及不良反应。结果 观察组患者治疗总有效率高于对照组总有效率,组间差异具有统计学意义(P<0.05);治疗后,观察组患者的牙周咬合力、牙齿咀嚼功能高于对照组,GI、BI均低于对照组,组间比较差异具有统计学意义(P<0.05);治疗后,观察组CRP、IL-6、TNF-α低于对照组,IL-8高于对照组,组间差异具有统计学意义(P<0.05);观察组患者不良反应发生率略高于对照组,但组间差异不具有统计学意义(P>0.05)。结论 复发性口腔溃疡治疗中行激光技术治疗,可显著提升患者的治疗效果,可促进患者的口腔功能恢复,改善炎症表达,且安全性较高,具有重要应用价值。

关键词： 新一代稀磁半导体   自旋电荷掺杂分离   高居里温度   多组合异质结  

摘要： 稀磁半导体具有能同时调控电荷与自旋的特性,是破解摩尔定律难题的候选材料之一.我们团队率先提出了稀磁半导体中自旋和电荷掺杂分离的机制,探索并研制了新一代稀磁半导体材料,为突破经典稀磁半导体材料的制备瓶颈提供了有效解决方案.以(Ba,K)(Zn,Mn)_(2)As_(2)等为代表的新一代稀磁半导体,通过等价态的Mn掺杂引入自旋、异价态的非磁性离子掺杂引入电荷,成功实现了230 K的居里温度,刷新了可控型稀磁半导体的居里温度记录.本文将重点介绍几种代表性的新一代稀磁半导体的设计与研制、新一代稀磁半导体的综合物性表征、大尺寸单晶生长以及基于单晶的安德烈夫异质结研制.我们团队通过新一代稀磁半导体的新材料设计研制、综合物性研究、简单原型器件构建的“全链条”模式研究,开拓了自旋电荷分别掺杂的稀磁半导体材料研究领域,充分展现了自旋和电荷掺杂分离的新一代稀磁半导体材料潜在应用前景.

关键词： 半导体激光器   量子阱混杂   复合介质层   蓝移   非吸收窗口  

摘要： 在GaAs基GaInP/AlGaInP单量子阱结构外延片上分别使用磁控溅射设备生长ZnO薄膜和等离子增强化学气相沉积设备生长SiO2薄膜,以ZnO介质层作为Zn杂质诱导源,采用固态扩Zn的方式对激光器进行选择性区域诱导以制备非吸收窗口来提高器件的腔面光学灾变损伤阈值,从而提高半导体激光器的输出功率和长期可靠性。在580~680℃、20~60 min退火条件下对Zn杂质诱导量子阱混杂展开研究,实验发现,ZnO/SiO2或ZnO/Si3N4复合介质层的采用比单一Zn介质层的杂质诱导蓝移量大,且在680℃、30 min的条件下获得了最大55 nm的蓝移量。分析结果表明,介质层所施加的压应变会将外延片表面GaAs层中Ga原子析出,促使Zn原子进入外延层中以诱导量子阱混杂。通过测量光致发光光谱发现发光强度并没有明显下降,可为后期器件制作提供借鉴。

关键词： 半导体产业   半导体元件   数字化转型   领军   持续增长   芯片制造   数字化进程   晶圆制造  

摘要： 随着全球数字化进程不断推进,半导体的应用范围正在逐渐扩大,已涵盖通信、医疗、军事、交通、清洁能源等各个领域。巨大的市场需求催生了智能化晶圆制造、封装检测等系统级代工服务,这些服务在为芯片制造带来新可能的同时,也满足了数字化发展对算力的要求。在数字化技术高速发展的当下,全球对于高端技术人才的需求也在持续增长。芯片设计专家、算法专家等对推动技术创新升级、引领全球硬件产业高质量发展起到极为关键的作用,在我国也不乏这样的尖端科技人才存在,其中就包括深耕半导体元件产品设计二十余载的芯片仿真工程师房志强。

关键词： 稀疏成像   半导体   薄膜材料   界面缺陷检测   小波分解  

摘要： 复杂背景下检测半导体薄膜材料界面微小缺陷具有一定的难度,为了精准检测半导体薄膜材料界面缺陷,提出一种稀疏成像下半导体薄膜材料界面缺陷检测方法。扫描采集半导体薄膜材料界面二维图像,对含有噪声的半导体薄膜材料界面实施小波分解,获取不同频带的子图像。低频图像保持不变,选择对应的模板对高频图像滤波处理,将滤波处理后的高频图像和低频图像两者合成,获取去噪后的图像。通过机器视觉定位薄膜材料界面的缺陷位置,提取缺陷区域特征,采用稀疏成像对特征参数修正,完成半导体薄膜材料界面缺陷检测。仿真结果表明,采用所提方法可以获取更加精准的检测结果,用时比较短,满足高效与高精度检测需求。

关键词： 容积旋转调强放射治疗   调强放射治疗技术   加速器质量控制   ArcCHECK  

摘要： 目的:旨在优化肿瘤放射治疗的临床效果,通过利用ArcCHECK半导体探测器评估医用加速器中的VMAT技术质量控制。方法:使用ArcCHECK圆柱形半导体辐射探测器三维阵列,使用特定剂量照射方式,根据测量结果计算加速器运行中机架等中心偏差、MLC到位偏差、光束平坦度对称性,将剂量偏差与机械性能实现强关联,将实验结果与常规日检及月检结果进行12个月长期监测与比对,并且测试其对辐射光束的敏感性,提高加速器辐射监测效率与准确性。结果:机架等中心偏差为0.292 mm±0.016 mm,机架平均速度为3度/秒,平均最大速度偏差约为0.1度/秒;MLC平均最大偏差为0.392 mm±0.049 mm;射束旋转平坦度平均为105.55%±0.13%,X轴对称性与Y轴对称性分别为101.02%±0.21%和101.11%±0.21%;12个月持续测量结果与独立核验结果趋势相一致。结论:ArcCHECK利用弧形半导体探测器阵列的优势,为VMAT质量控制提供整体测量方法,可作为医用加速器辐射检测与质量控制的手段。

关键词： 晶粒度   半导体   超高纯气体   阀门  

摘要： 在半导体行业中,对于超高纯气体的使用至关重要。在超高纯气体输送和控制过程中,如何保证其纯度是一个至关重要的因素。而要想保证纯度,对于阀门和管道的内壁粗糙度、材料的机械性能、材料表面的抛光效果、弯曲管道的内壁折弯情况、表面钝化程度、焊接工艺的质量等都有极其高的要求。很多厂家都在想办法通过提高工艺的技术要求,或通过改善工艺方法等来优化最终的完工效果,多数采用在原材料上的控制,但关注更多的是原材料的机械性能、化学成分、热处理效果等方面,经研究发现,原材料的晶粒度是影响这些工艺的一个非常重要因素。

关键词： A股上市公司   半导体行业   再融资   影响因素  

摘要： 近年来受全球消费疲软的影响,整个半导体行业的景气度欠佳,A股许多半导体行业上市公司面临着营收和利润大幅下滑的问题。同时各上市公司为了保持产品在市场中的竞争力和规模效应,需要通过再融资的方式解决资金问题。本文阐述了A股上市公司再融资的现状和选择的方式,分析了A股半导体行业上市公司再融资的影响因素,提出了注册制下对我国再融资市场的建议。