关键词： 反相器   同质结   二硫化钼   自偏置   北京科技大学   晶体管   二维半导体材料   低功耗器件  

摘要： 近日,北京科技大学张铮教授团队和张跃院士团队在二维半导体材料低功耗器件架构方面取得进展。研究成果以“自偏置二硫化钼晶体管基同质结负载型反相器用于亚皮瓦级计算”为题,于2024年1月8日发表在《自然·电子》上。

关键词： 实验教学平台   半导体制造工艺   虚实结合   实践教学  

摘要： 阐述虚实结合的实验教学平台设计,将先进材料、半导体工艺、器件仿真工具引入实践教学中,包括课程内容、实验室建设和运行管理。构建一个虚实相结合、课内课外相结合和教学科研相结合的半导体制造工艺实践教学体系。

ISBN: (纸本)9787111742029

摘要： 本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺，而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了解释。还讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术，介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等离子体产生机理，例如电容耦合型等离子体、磁控反应离子刻蚀、电子回旋共振等离子体和电感耦合型等离子体，并介绍了原子层沉积等新型刻蚀技术。

关键词： 半导体器件  

ISBN: (纸本)9787312058035

摘要： 本书主要介绍半导体器件基本原理的知识内容, 反映当今半导体器件在概念和性能等方面的最新进展, 可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件, 如双极、场效应、微波和光子器件的性能特点。内容包括: 半导体基本知识、半导体pn结、金属-半导体接触、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、双极晶体管、结型场效应晶体管、光器件、高压功率器件、器件微纳加工技术、半导体器件辐射效应。

关键词： Finance  

摘要： In order to facilitate scientific researchers to understand the project application, acceptance, and funding status of the "Semiconductor Science and Information Devices" discipline direction of the National Natural Science Foundation of China, this article conducts a statistical analysis of the status of the projects in 2023. Firstly, the important reform measures of the National Natural Science Foundation of China in 2023 is briefly introduced. Subsequently, the application and funding status of F04 including general projects, youth science fund projects, regional science fund projects, key projects, outstanding youth science fund projects, and national outstanding youth science fund projects are summarized and analyzed. The distribution of supporting organizations of the general program, youth science fund projects, regional science fund projects are analyzed, as well as the four types of scientific problem attributes of the applied projects. Finally, the priority development direction in the field of "semiconductor science and information devices" is prospected. © 2024 Chinese Institute of Electronics. All rights reserved.

ISBN: (纸本)9787121468681

摘要： 本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共9章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；pn结；金属和半导体的接触；半导体表面与MIS结构；半导体异质结构。本书提供配套的教学大纲、电子课件PPT等教学资源。

关键词： 蒙特卡洛计算   分子动力学模拟   第一性原理计算   位移损伤   半导体材料  

摘要： 在探索空间环境时,我国通过使用不同种类的材料制造航天器来对未知的太空领域进行探索,以增加国家在航天方面的实力,同时也为人们的基础生活提供了最基础的支持和保障,如定位导航系统的发展等。被捕获的质子和电子、银河宇宙射线、太阳宇宙射线等都存在于近地空间环境中,还有α粒子、多种重离子及各种介子等,这些不同能量的粒子都会导致暴露在环境中的航天器材料受到不同程度的损伤。 关于损伤机制,大家主要讨论的有总剂量电离效应、位移效应、单粒子效应三种。其中位移效应导致的位移损伤主要由高能粒子造成,这种情况下材料中会形成Frenkel缺陷对,即空位-间隙原子对,这些缺陷长期的迁移和积累会对半导体的形状、尺寸、电学性能、光学性能等造成严重的影响,具体表现为对材料内的载流子有效质量、载流子浓度以及迁移率的影响,最后导致材料的电学性能的退化。材料被辐照后产生辐照损伤,损伤过程不仅跨越了很长的时间尺度(从纳秒到秒),而且还能跨越很大的空间尺度(从纳米到厘米),对应着从原子碰撞开始到材料宏观性能改变的一系列复杂过程,而损伤导致的材料性能改变无疑将会显著影响航天器材料的使用寿命和稳定性。 本研究则通过蒙特卡洛方法、分子动力学模拟结合第一性原理计算完成了对半导体在空间环境下的位移损伤分布及剂量,点缺陷的分布及数量,以及最终对半导体中载流子变化以及线性光学特征变化进行了理论预测。我们首先使用了蒙特卡洛方法的粒子与重离子输运代码系统(PHITS)中位移损伤计算方法的两种模型:传统NRT模型(NRT-DPA)和非热复合校正模型(arc-DPA),最终arc-DPA模型的预测结果比传统的NRT模型低约1/3;我们还比较了在不同能量的质子照射下半导体内位移损伤的分布情况,并分析了两种模型之间的差异,以及不同能量质子辐照时硅半导体内的粒子通量能谱。在使用分子动力学模拟辐照后缺陷的产生和演化时,我们模拟了室温下10 keV的级联碰撞,通过对模拟结果进行后处理,我们分析了缺陷分布和数量的变化以及缺陷团簇的演化,其中点缺陷和空位缺陷团簇的数量都呈现出先增加后减少的趋势。最后,我们利用第一原理计算研究了引入缺陷后硅半导体的能带结构、态密度(DOS)、有效质量、介电常数、反射和透射能谱。为了获得更精确的带隙值,我们使用了HSE06杂化泛函,这样就不会低估带隙,而清晰的带隙有利于精确分析存在缺陷的半导体的能带结构。 计算结果表明,室温下10keV的级联碰撞所产生的点缺陷以及空位缺陷团簇数量随时间呈现出先增加后减少的趋势,并且辐照产生的空位缺陷导致硅半导体中电子和空穴有效质量降低。本研究在不同的时间跨度和空间尺度上完成了对辐照损伤的模拟计算,为今后对硅材料的研究使用提供了更充分的支持。

摘要： 本文详细梳理了半导体功率器件用氮化硅基片的专利申请趋势、全球专利有效量占比、全球重点申请人、全球专利关注技术功效占比等，希望能对国内氮化硅基片的研发以及产业化提供一些指导方向。近年来，半导体功率器件朝大功率、高密度、集成化等方向发展，因此对陶瓷散热基板提出了更高的要求。目前，