关键词： 技术并购   并购动因   协同效应  

摘要： 近年来,中国经济转型的步伐加快,“走出去”的发展方针和“一带一路”的倡议规划带动了国内企业跨国并购的发展。一些已经完成原始积累、具有资本优势的中国企业纷纷投身海外并购,以获取国外高端制造业企业先进的技术、品牌影响力和海外市场,从而实现转型升级。当前我国半导体产业面临规模较小、经济效益不高,研发能力不强的困境,许多半导体企业顺应趋势,选择优质的海外并购对象,获得外延式发展。但是,大部分并购最终没有达到预期目的。因此,跨国技术并购是否能真正为企业带来技术创新,产生协同效应提升企业核心竞争力,成为当前值得探讨的课题。 本文以制造业企业闻泰科技为研究对象。首先,采用文献研究、案例研究方法,研读技术并购的相关文献,并介绍了闻泰科技并购安世半导体的动因及过程。其次,从管理、经营和财务三方面分析该并购协同效应。针对费用控制能力和营运能力对管理协同效应进行分析,采用应收账款周转率、管理费用率等指标;针对盈利能力、成长能力和研发分析对经营协同效应进行分析,采用销售净利率、净利润增长率、研发投入营收占比等指标;针对偿债能力和节税能力对财务协同效应分析,采用流动、速动比率、资产负债率和实际所得税率等指标和经济增加值法。 最后本文得出以下结论:(1)闻泰科技并购安世半导体前后,应收账款周转率、总资产周转率和管理费用率等指标先大幅下降后平稳上升至并购前水平。并购形成的管理协同效果不明显。(2)并购后销售净利率、净利润增长率、研发投入营收占比等指标稳步上升,其中净利润增长率在2019年大幅提升至并购前3倍。经营层面协同效果较好。(3)并购后短期偿债能力增强,长期偿债能力减弱,产生节税效应。财务协同效果较好。(4)协同效应长期表现好。2019年至今闻泰科技经济增加值持续上涨,股东财富和资本利用率不断提高,并购的长期协同效应表现好。为加强管理协同有以下建议:(1)加强应收账款管理(2)放缓整合速度,注重管理质量(3)吸收激励人才,提升管理效率。

关键词： 氮杂环   立体构型   有机半导体   三维结构  

摘要： 多环芳烃因其独特的π电子拓扑结构所赋予的特殊电子属性,长久以来一直是研究的焦点。以并五苯为例,其优异的发光和导电特性使其成为光电子应用研究中的明星分子。然而,当并苯单元数量增加至六个及以上(N≥6)时,所面临的合成挑战显著增加,其原因主要归因于这类结构在有机溶剂中的溶解性差以及在环境条件下稳定性降低。 在有机半导体的设计策略中,杂原子掺杂可有效提高材料的稳定性并优化其光电特性。氮杂环,凭借其独特的光物理和电子性质,在有机光电器件中有着广泛的应用潜力。然而,关于氮杂环立体构型设计的报道较为匮乏,特别是缺电子构建块。本文以芘和苯并噻二唑为研究对象,通过碳原子桥接,苯并噻二唑二聚体展示出顺式与反式两种不同的构型。在此基础上,设计并合成了一系列具有特定立体构型的氮杂环,主要研究内容如下: 1.通过将顺式苯并噻二唑二聚体的还原产物四胺与二酮进行缩合,合成了新型稠环分子双芘并喹喔啉(BPQ)。BPQ分子呈现U型构型,其中双层稠环单元(N=4+4)通过强共价键紧密相连。光物理测试表明,BPQ的光学带隙约2.51 e V,显著小于芘的光学带隙(3.59 e V);最大发射波长为533 nm,斯托克斯位移为72 nm。立体设计策略实现了对氮掺杂位点和立体构型的精确控制,有效调控了分子前沿轨道能级,显著减小了光学带隙。电化学分析表明BPQ具有三个准可逆的还原过程,反映了其优异的电子接受能力。单晶数据显示,BPQ以“鱼骨”状堆积排列,π-π堆积距离为3.37?。不同层之间的“鱼骨”状堆积构成心形图案,并在晶体中紧密排列,形成规则但未完全封闭的孔隙。 2.在对反式苯并噻二唑二聚体进行氢化锂铝还原时,高选择性地获得了二胺,而非四胺。之后与四酮缩合,合成了新型稠环分子双噻二唑芘并双喹喔啉(BBP)。BBP分子展现两种立体异构,分别为双层“纸飞机”和三层“阶梯状”构型(N=6+2+2)。光物理测试显示,两种异构体的光学带隙约2.82 e V,具备半导体特性;最大发射波长位于460 nm和458 nm,斯托克斯位移较小,分别为34 nm和32 nm。电化学测试显示两种异构体均具有高电子亲和能(3.60 e V),凸显了它们作为电子受体的潜力。单晶数据显示,晶体生长条件能够影响分子堆积方式:采用蒸汽扩散法生长的单晶尺寸更大,质量更高,堆积模式为“鱼骨状”堆积;而通过溶剂蒸发法生长的单晶尺寸较小,晶体缺陷较多,呈现一维π-π堆积。此外,噻二唑单元与邻近分子间的非共价键相互作用揭示分子间构象锁的存在。

关键词： 半导体   水溶性   湿法设备   废气   单晶圆  

摘要： 在集成电路飞速发展的时代背景下,随着晶圆特征尺寸的持续缩小,晶圆清洗标准也在逐步提升,这推动着清洗化学液的持续改进。为了满足当前对精密清洗的需求,相比传统的槽式清洗方式,单晶圆清洗机因具备高精度和低污染的特性而被更广泛地应用。然而,这种清洗方式的普及导致大量废气的产生,因此对单晶圆清洗机的废气进行及时处理是必要的。 单晶圆清洗机是半导体湿法工艺中的重要设备,涉及到化学药液的使用。针对清洗过程中使用的化学药液产生的废气,目前主流的处理方式是中央集成处理。然而,这种方式容易导致管道内部产生结晶形成堵塞,影响半导体生产制造并对环境造成污染。因此,本文提出了一种与单晶圆清洗机相匹配的尾气处理系统,旨在源头对废气进行处理。 本文主要研究单晶圆清洗机与尾气处理系统的相关技术,并设计了一款匹配单晶圆清洗机的尾气处理系统。研究内容包括: (1)根据现有理论分析单晶圆清洗机尾气处理系统的结构及尺寸大小,并依据其功能设计相应的液路与气路管路图以及系统布局; (2)建立单晶圆清洗机尾气处理系统的三维模型,分析进气口入口角度对腔室内壁的影响。分别设计了30°、45°、60°和90°的入口角度,并在验证壁面网格无关的条件下对模型进行流固耦合分析。通过流固耦合分析发现入口角度在60°时为最优角度,并在后续以该角度进行设计分析; (3)使用FLUENT与Meshing模块对系统整体流体域进行分析,设置两组多孔介质区域模拟真实填料层,通过分析其中的压力变化与速度分布,验证简化模型流道结构的合理性; (4)按照加工要求和材料特性对设计的模型进行处理加工,并考虑半导体领域的特性,针对不同零部件进行定制化设计和制造,并完成零部件的加工与组装,为后续的性能指标测试做好准备; (5)根据半导体S-2准则,对设备的性能指标进行检验,涉及到噪音、压力和废气处理效率等标准。通过验证发现噪音量在风机口处最大,达到86.9dBA,但仍在可接受范围内。系统在45Hz下能达到500Pa的负压指标,相较于50Hz,45Hz条件下能够更好地节约资源;最后对所产生的废气进行浓度验证,发现其去除效率均大于95%,满足废气排放标准。 本文通过相关理论知识设计了与单晶圆清洗机相匹配的尾气处理系统,通过仿真与性能指标测试,验证了系统的可行性。这为大型半导体厂处理废气提供了理论依据和实践指导作用。

关键词： 压电半导体梁   多场耦合   非线性   PINNs  

摘要： 压电半导体(PS)具有压电性和半导体特性共存耦合的特征，在新型多功能电子/光电子学器件中有广阔应用前景.因此，理论分析压电半导体结构在外载作用下的多场耦合力学响应是十分重要的.然而，描述压电半导体多场耦合力学行为的控制方程中含有非线性的电流方程，属于物理非线性；而且很多半导体器件通常工作在大变形模式下，在力学上属于几何非线性问题.物理非线性和几何非线性给问题的求解带来了挑战.该文针对压电半导体梁结构，基于物理信息神经网络(physics informed neural networks, PINNs),构建了能高效求解其非线性多场耦合力学问题的PINNs方法.通过依次删除网络结构中载流子项和压电项，该方法即可退化到压电结构和纯弹性结构的情况.利用所构建的PINNs,分析了压电半导体梁在均布压力下的多场耦合力学响应.数值结果表明：该文所提出的基于PINNs的模型能有效求解压电半导体、压电以及纯弹性结构非线性多场耦合问题，相对而言，其在求解压电和纯弹性结构的力学响应时具有更高的精度.

关键词： 韩国半导体产业   国际竞争力   后发优势   全球价值链指数  

摘要： 全球半导体产业正处于新一轮产业转移阶段,各主要经济体纷纷全力布局及强化自身的半导体产业链,力争在现今世界半导体产业格局中占据有利位置。韩国虽是半导体产业的后发国家,但及时抓住了半导体产业第二次国际转移的机会,在政府的支持下,各大企业以技术创新为核心手段将韩国打造成世界半导体产业强国。当前,我国半导体产业虽处于快速发展阶段,但是面临着美国对技术和产品的封锁、技术壁垒难以突破等种种困境。通过对韩国半导体产业国际竞争力及其影响因素分析,可为我国半导体产业的发展提供一些借鉴。 论文运用文献分析法、对比分析法、定性与定量相结合等多元分析方法,以比较优势相关理论、后发优势及追赶理论、竞争优势理论作为理论支撑,首先,考察了韩国半导体产业国际竞争力的演进历程、现状及特征,在此基础上利用显示性比较优势指数(RCA)、显示性竞争优势指数(CA)、产业技术高度水平指数(TL)、全球价值链地位指数(GVC＿po)、全球价值链参与度指数(GVC＿pa)和熵值法,分别对韩国半导体产业的国际竞争力进行量化分析及综合性分析,得出如下结论:第一,韩国在存储型半导体产业具有很强的国际竞争力,在系统、其他半导体产业的国际竞争力较弱;第二,韩国半导体产业综合国际竞争力在中国、中国台湾、美国等5个相比较国家及地区中处于中等水平。其次,基于迈克尔·波特的“钻石模型”,将其归类为三大影响因素:分别为要素禀赋因素、要素创新因素、需求及环境因素,对影响韩国半导体产业国际竞争力的因素进行梳理,得出韩国半导体产业国际竞争力的稳步发展是源于政府对产业的持续支持,企业家对产业风向的精准把控,以及技术不断革新等结论。 再次,通过灰色关联度方法,分析在韩国半导体产业国际竞争力发展过程中相关因素对其影响的强弱。以第四章通过熵值法所获得的综合竞争力指数作为对照序列,基于钻石模型从人力资本、资本要素、政府支持等六个维度选取2000-2022半导体产业员工、半导体产业研究人员等20个影响因素作为比较序列,得出韩国半导体产业国际竞争力的发展受到产业发展所带来的规模效益、政府支持、市场需求等因素的影响。最后,根据韩国产业国际竞争力发展经验及中国半导体产业国际竞争力现状,对中国半导体产业发展提出了加强产学研联系,提高半导体科技成果转化率;政府加大投资力度并完善半导体产业政策;提升人才培养及引进力度;抓住新的技术换挡期,实现技术追赶四点启示。

关键词： 第Ⅳ主族   第一性原理计算   半导体材料   光电应用  

摘要： 随着微电子和光电子器件对材料性能的要求日益严苛,新型IV族半导体材料及其合金结构设计和性能研究成为材料科学和凝聚态物理研究的前沿课题。由于硅材料具有丰富的可获取性、成熟的工艺技术、良好的热传导性以及环境友好性,使其已经成为现代电子、光电子和计算机工业发展的基石。然而,硅材料带隙宽度有限、具有间接带隙特性、较低载流子迁移率以及不理想的高温性能,以上性质缺陷阻碍了硅材料在新材料领域的应用。因此,为光伏领域、太阳能电池领域和光电领域寻找具有较宽带隙、直接或准直接特性、高载流子迁移率或者优异光吸收能力的新型硅材料变得尤为重要。本文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统地设计和预测了单斜晶系中的硅同素异形体、空间群为P21/m（No.11）的硅同素异形体和空间群为Pbam（No.55）的硅锗合金,探讨了它们在光电转换器件和能量转换器件的潜在应用,以满足高性能半导体器件对材料不断增长的需求。以下是本文的主要研究内容和结果: 1.由于单斜晶系中三维硅同素异形体的多样性和重要性,因此本文基于密度泛函理论以及群论与图论相结合的随机策略（RG2）的高通量筛选,从1015个硅结构中筛选出87个单斜晶系中空间群范围为3-15的新型硅同素异形体,其中P21/m Si-3、P21/m Si-5、C2/m Si-1和C2/m Si-18为直接带隙半导体,在可见光吸收能力上比金刚石-硅表现得更加优异。该新型硅同素异形体,均表现出良好的机械稳定性和动力学稳定性。该结构具有直接带隙特性和卓越的光吸收能力,为其在光伏材料的应用提供了广阔前景。 2.因空间群为P21/m（No.11）硅同素异形体具有独特的空间构型,为了更加全面的对其进行研究,本文利用基于密度泛函理论以及群论与图论相结合的随机策略（RG2）的高通量筛选,从955个硅结构中筛选出35个空间群为P21/m（No.11）的新型硅同素异形体。其材料展现出机械稳定性、动力学稳定性和热稳定性,在300 K下经过从头算分子动力学模拟验证后,结构依然保持稳定。电子能带结构分析表明,其中P21/m Si-27、P21/m Si-30和P21/m Si-31为直接带隙半导体,带隙分别为1.28e V、1.11 e V和1.19 e V。此外,还发现了5个准直接带隙半导体材料。且这35个材料在可见光区域具有比金刚石-硅更好的吸收性能。这类材料合适的带隙类型和优良的光吸收能力,表明其在太阳能电池领域具有良好的应用价值。 3.硅锗合金因其性能的可调节性,成为材料科学研究的一个重要方向。本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,探究了空间群为Pbam（No.55）硅锗合金的晶体结构、稳定性、力学性能和电子性能。研究结果显示,随着Ge含量增加,该合金的晶格参数也随之增加。该合金具有机械稳定性和动力学稳定性,且在力学性能和电子输运性质上展现出各向异性。Si和Si3Ge均为准直接带隙半导体材料。进一步研究发现,Si Ge3具有最小的电子有效质量,表明其具有较大的载流子迁移率,具有潜在的大功率电子器件应用优势。该硅锗合金具有高载流子迁移率和卓越的力学性能,为其成为潜在的光电材料奠定了坚实基础。

关键词： 1064nm   有限元   脉冲激光   热分析   介质膜  

摘要： 半导体可饱和吸收镜(semiconductor saturable absorber mirror,SESAM)由于其非线性吸收特性被广泛应用于产生超短脉冲激光,但是高功率工作条件下SESAM会产生非热损伤以及热损伤,从而对整个激光系统的可靠性造成重要影响。当前,国内外对于SESAM的损伤研究多是通过实验的方式进行实测验证,缺少损伤机制方面的定量理论机制研究。因此,本文基于能量弛豫过程以及固体传热理论,通过COMSOL多物理场仿真软件对1064 nm SESAM的损伤机制进行模拟计算和理论分析,最后结合SESAM芯片的损伤实验测试,对损伤规律和损伤表现进行对比分析。本文的研究内容和相关成果如下: 1.针对SESAM中的InGaAs吸收层,对其晶格弛豫模型进行计算。通过计算得出,当能量密度从50 mJ/cm2升高到150 mJ/cm2时,电子温度升高一倍,晶格温度升高450 K,载流子浓度也增加了8×1020cm-3,表明非热损伤加剧。 2.建立了1064 nm SESAM的二维模型进行热损伤仿真分析。对于脉宽为50 ns的激光,当光功率从2 W增大为8 W时,InGaAs吸收层中心点温度升高到1127.25℃,超过了材料的熔点,造成了不可逆的热损伤。当光斑半径从45 μm减小到35 μm时,吸收层中心点温度升高为1110.21℃,吸收层开始产生不可逆的热损伤。当环境温度从20 ℃上升到120℃时,吸收层中心点温度则升高88.6℃,环境温度增大使得热积累更严重。 3.研究了表面分别沉积SiO2/TiO2、TiO2/SiO2及Ga2O3三种不同介质膜的SESAM的热分布规律,通过计算分析不同结构下的反射率、电场分布以及温度场分布,发现SESAM表面沉积4对TiO2/SiO2膜会比4对SiO2/TiO2膜时,吸收层温度降低22.1℃;如果表面沉积单层Ga2O3膜,SESAM吸收层的温度比起沉积单层其它两种类型的介质膜更低,更适合抑制SESAM的热损伤。 4.对实际制作的SESAM芯片,搭建激光损伤测试平台,实验验证未镀膜SESAM和镀Ga2O3薄膜SESAM的损伤情况。结果表明激光功率的增大以及激光光斑半径的减小会使得SESAM更容易发生损伤;但对于沉积Ga2O3薄膜的SESAM,会因为膜层影响到达吸收层的激光能量和光子吸收过程的作用,其损伤阈值会提升。

关键词： 技术并购   TCL科技   并购动因   并购绩效  

摘要： 作为国民经济的重要支柱,半导体行业被喻为“制造业的大脑”,其发展将对我国经济与科技进步产生深远影响。在此背景下,《中国制造2025》战略规划中强调坚持创新驱动、智能转型、强化基础、绿色发展,加快从制造大国转向制造强国,并聚焦于发展本土企业制造高端精密产品的能力,大力发展半导体产业;“十四五”规划明确了扶持半导体产业的重要战略地位。各种政策助推旨在有力推进中国半导体行业积极自主发展,半导体行业对我国发展的重要性不言而喻。 作为高度技术密集的领域,半导体行业内的企业通常以并购的方式获取关键技术和知识产权,提高自身的研发能力和竞争力。然而,进行技术并购并非一本万利,并购过程中仍存在整合失败等诸多风险因素。对此,本文将以TCL科技对中环集团进行的技术并购事件作为分析对象,探究其并购动因及并购效果。本文首先系统梳理了关于技术并购动因和绩效、半导体行业并购的相关文献,总结了国内外研究现状;在界定技术并购的概念内涵基础上对技术并购相关理论进行阐释。接着,基于我国半导体行业的背景和发展现状分析,简要概述并购案例双方基本情况和并购主要历程,重点从国家政策扶持、国企混改机遇、延伸产业链、发挥协同效应以及获取关键技术等方面探讨TCL科技实施此次技术并购活动的内部与外部动因。最后,在企业并购绩效评价方面,本文采用了事件研究法、财务指标分析法和EVA评价法,通过多维度分析得出并购事件对TCL科技市场效应和财务绩效的影响,并结合技术并购特性,补充了并购前后创新绩效的变化。 通过案例分析结果发现,TCL科技并购中环集团的主要动因有政策大力扶持、把握混改机遇、聚焦半导体进行产业链布局、利用资源相似互补发挥协同效应、强强联手获取先进技术。用事件研究法评估市场表现时,发现并购前后引发的市场绩效并不理想。用财务指标分析法和EVA评价法分析长期绩效时,发现并购对盈利能力、营运能力、成长能力均带来了积极的影响,但偿债能力有所下降;EVA经济值的显著上升也反映了企业价值创造能力得到增强,整体财务绩效有所提升。公司的研发投入等指标的提升也说明此次并购一定程度促进了创新绩效。总体来看此次并购为TCL科技带来了正向效果。