摘要： 科技日报2025年1月21日报道,荷兰特文特大学科学家开发出一种新工艺,能在室温下制造出晶体结构高度有序的半导体材料.他们表示,通过精准控制这种半导体材料的晶体结构,大幅降低了内部纳米级缺陷的数量,可显著提升光电子学效率,进而促进新型太阳能电池和电子产品的发展.相关论文发表于最新一期《自然·合成》杂志.

关键词： 半导体激光器   光纤耦合技术   技术进展  

摘要： 本文以半导体激光器光纤耦合为研究对象,深入分析了高功率光纤合束、单模激光器光束整形、偏振保持光纤耦合、波长锁定外腔反馈以及集成化耦合模块等方面的最新进展.针对光纤耦合中的光束整形、模式匹配、偏振控制等关键问题,提出了体光栅、微透镜阵列、偏振分束等新型解决方案,为半导体激光器的高效率、高稳定性光纤耦合提供了新思路.

关键词： acceptance   funding   national natural science foundation of China   scientific research project application   semiconductor science and information devices  

摘要： Data of application, acceptance, and funding of National Natural Science Foundation of China (NSFC) projects in the "Semiconductor Science and Information Devices" (F04) discipline for the year 2024 is analyzed in this paper. Firstly, it outlines the reform measures implemented by the NSFC in 2024, and it analyzes the application and funding status of various project types within the "Semiconductor Science and Information Devices" discipline, including General Programs, Young Scientists Fund Projects, Regional Science Fund Projects, Key Programs, Excellent Young Scientists Fund Projects, and National Science Fund for Distinguished Young Scholars. Secondly, it summarizes the distribution of supporting institutions and the pilot work of the Responsibility, Credibility, Contribution (RCC) project review mechanism during the application and funding process. Lastly, the paper offers a conclusion and outlook for the project application in the field of "Semiconductor Science and Information Devices" . © 2025 Chinese Institute of Electronics. All rights reserved.

关键词： 扁平苔癣,口腔   激光,半导体   糖皮质激素类   白细胞介素18   治疗结果  

摘要： 目的 观察半导体激光联合局部注射糖皮质激素治疗糜烂型口腔扁平苔藓(erosiveorallichenplanus,EOLP)患者的短期疗效及其对唾液中白细胞介素-18(IL-18)水平的影响。方法 收集符合EOLP临床和病理诊断标准的EOLP患者90例,随机分为A、B、C三组,每组各30例,A组患者采用糖皮质激素药物进行治疗,B组患者采用半导体激光进行治疗,C组患者采用半导体激光联合糖皮质激素药物进行治疗。分别于治疗前和治疗4周时检测所有患者唾液中IL-18水平;分别于治疗前、治疗2周和治疗4周时评价患者病损区域基底部病损面积和疼痛程度,在治疗4周时评价患者临床疗效。结果 三组患者治疗4周时与治疗前比较唾液中IL-18水平显著降低(F=90.456～697.671,P<0.05);治疗4周时,C组患者唾液中IL-18水平较A、B组显著降低(F=25.803,P<0.05)。与治疗前比较,三组患者治疗2周和4周时病损面积均显著减小(F=-104.445～54.096,P<0.05)。治疗2、4周时与治疗前比较、治疗4周时与治疗2周时比较,三组患者的VAS评分均显著降低(F=2.546～4.665,P<0.05)。治疗4周时,A、C组患者的临床疗效显著优于B组(H=7.561、23.262,P<0.05),B、C组患者比较差异无显著性(P>0.05)。结论 半导体激光联合糖皮质激素治疗EOLP优于单一治疗方案,短期内即可明显改善患者临床症状,其治疗机制可能与降低唾液中炎症因子IL-18水平有关。

关键词： 卡脖子技术   弯道超车   市场自发   政府主导  

摘要： 在逆全球化背景下如何突破“卡脖子”技术成为中国未来发展的战略性问题。本文通过比较中国新能源汽车产业和半导体产业的发展差异后发现，政府具有前瞻性的产业政策、市场竞争和国内超大规模市场是中国新能源汽车产业弯道超车的重要因素，而半导体产业并不具备这些条件。沿着欧美发达国家主导的技术路径突破“卡脖子”技术存在技术垄断、追赶难度大等困难，而且，欧美发达国家主导的技术路径存在路径依赖和供应链粘性，这为中国在“卡脖子”技术领域实现弯道超车提供了机会。突破“卡脖子”技术采用市场自发模式还是政府主导模式取决于产业链长度、技术复杂度（创新不确定性）以及产业的公共品特性和市场需求情况。产业链相对较短、技术创新路径相对确定、公共品特征强、固定资产投入高或市场需求不确定的产业适合采用政府主导模式。市场自发模式也需要产业政策从全产业链角度对“卡脖子”技术环节进行扶持。政府主导的产业发展模式也应注重政府与市场的互动，重视市场机制的发挥。

关键词： 半导体桥   电起爆器   抗静电   加固  

摘要： 为提升半导体桥电起爆器的桥路抗静电性能，开展了半导体桥桥路抗静电失效分析，基于瞬态电压抑制器对静电的防护原理，设计了桥路并联TVS二极管的抗静电电极塞结构，确定了电起爆器桥路的抗静电加固结构。通过半导体桥桥路并联不同箝位电压的TVS二极管，进行了抗静电、输出电压以及桥路分压试验，确定了箝位电压参数，可确保电起爆器发火性能不受影响。抗静电试验结果表明，并联TVS二极管的电起爆器桥路能够满足25 k V/500 p F/500Ω的抗静电性能要求，且具有一定的安全裕度。

关键词： 半导体材料   电学性质   光学性质   电子迁移率  

摘要： 本文系统地介绍了半导体材料的基本性质、在高效能微电子元器件中的应用及未来的发展方向.首先,定义并分类了半导体材料,重点分析其电学、光学、机械性质以及各种材料的优缺点.其次,阐述了对高效能微电子元器件的严格要求,包括高电子迁移率、高热导率、低功耗与高能效、微型化与集成度要求,以及稳态与可靠性等,强调了新型材料在满足这些要求方面的重要性.最后,探讨了半导体材料在各类电子器件中的应用,例如场效应晶体管(Field-Effect Transistor,FET)、光电子器件、功率器件、存储器件和传感器件,展示了半导体技术对现代电子设备发展的重要推动作用.

关键词： 科技民族主義   美國出口管制規則   美國晶片與科學法   友岸外包   全球價值鏈  

摘要： 近几十年来，科技民族主义在带给美国最大规模的外交、国防与贸易政策等等棘手问题中，以贯穿国家权力、经济治国，以及工业革命的历史脉络为基础，凸显出国家经济实力、国家安全、甚至社会稳定、与其领先科技企业、大学和政府机构的技术实力息息相关的真相。科技民族主义正在美国迅速取得共识，并在美国立法者的新政策中重新出现，包括：美国出口管制规则、美国晶片与科学法、友案外包，等等相关规则。本研究以科技民族主义为主轴，透过文献分析，剖析它是看不见的手，对於美国半导体产业带来的冲击，以及由此所直接衍生的政治与经济相关效应。研究结果发现，美国持续掌握世界科技市场主导地位的关键要素在制定能够激励企业创新并与企业建立新型策略联盟的正确政策。此外，美国开发与研发、教育和人力资本的合作夥伴关系，将可有效预防，「加拉巴哥症候群」（Galapagos Syndrome）。美国国会支持半导体制造本土化，因此任何攸关国家安全的风险考量，优先於国内选民的政策需求。最後，地缘政治占据全球商业布局的首要地位。掌握对全球半导体贸易的主要控制等於取得世界霸主地位。科技民族主义的贸易政策重塑全球半导体供应链，某种程度上反映在世界地图，竭力抑制日益加剧的对抗与分裂。

关键词： 碳化硅晶片   洁净厂房设计   工艺流程设计   升级改造  

摘要： 本文通过对第三代半导体材料——碳化硅晶片生产过程的全过程描述,以及项目实践和案例分析,在选址、工艺流程布局、建筑设计、洁净度控制、安全规范以及智能化升级等方面提炼具有规律性和通用性的设计要求.从碳化硅晶片厂建角度,总结出完整的设计思路和借鉴模式,为产业的发展提供了有力的设计支撑.

关键词： 超临界二氧化碳   黏附   颗粒   去除机制   清洗   半导体制造   范德华力   变形附加力  

摘要： 黏附颗粒的去除在半导体制造过程中至关重要。以超临界二氧化碳(supercritical carbon dioxide，scCO2)为清洗介质，能够去除小粒径和高纵横比结构中的黏附颗粒。本文通过建立黏附颗粒在scCO2中的动力学模型，分析了其去除机制，并比较了不同条件下颗粒的受力情况。结果表明，颗粒通过滚动方式被去除。在层流模式下，颗粒的去除由驱动力和提拉力共同作用；而在湍流模式下，提拉力起主导作用。对于Cu和Au等变形较小的颗粒，范德华力在小粒径时占主导地位，而在大粒径时变形附加力占优。对于聚苯乙烯乳胶等变形较大的颗粒，变形附加力始终强于范德华力。最后，通过分析温度与压力对颗粒去除的影响，发现当温度接近scCO2的临界温度且压力大于15 MPa时，颗粒的去除效果更佳。