关键词： 美日半導體協定   貿易摩擦   日本半導體產業發展策略   技術貿易  

摘要： 1980年代後期美日在半导体相关产品领域产生相当大的贸易摩擦问题，对此美日展开两次「美日半导体协定」，对於日本半导体产业竞争力由盛转衰产生关键性影响。本文探讨「美日半导体协定」对日本半导体产业国际竞争力之影响与技术贸易之转变，并从中探讨日本经验对台湾的启示。

关键词： 國產化   半導體材料   地緣政治  

摘要： 本文探讨中国大陆半导体材料产业的国产化进程，聚焦六大关键材料领域的技术突破与产业化成果。分析中国代表性企业在矽晶圆、电子气体、光罩、化学机械研磨材料、湿电子化学品、靶材等领域的创新成果。研究发现，相关企业已在14奈米及以上制程相关材料完成突破，部分产品进入国际半导体大厂供应链。然而，在地缘政治压力和技术封锁下，先进制程材料的自主研发仍面临挑战，使中国大陆加速推进半导体材料的技术创新与产业化进程。

关键词： 高亮度   蓝光半导体激光器   激光合束   光谱合成  

摘要： 蓝光半导体激光器目前在铜、金等有色金属及其复合材料的加工上发挥着重要作用。行业越来越期望开发高亮度蓝光半导体激光器，因此，高亮度蓝光激光芯片和激光合束技术这两方面得到了国内外机构广泛的关注。本文综述了高亮度蓝光半导体激光器在上述方面的发展近况，简要讨论了高亮度蓝光激光芯片亮度的提高，以及各种合束技术的原理和相关研究工作。其中，文章特别聚焦于基于光栅光谱合束的蓝光激光器，因为光栅光谱合束是目前亮度提升最为显著的技术路线。最后，总结了高亮度蓝光激光器面临的挑战，并对未来进行了展望。

关键词： 半导体激光器   侧向表面光栅   模式调控   近场分布  

摘要： 本文针对传统宽区半导体激光器在大电流下导致横向高阶模式激射引起光束质量变差的问题，在脊波导两侧引入侧向表面光栅结构。研究了光栅结构对光损耗的影响，通过改变光栅距脊波导的距离，进一步研究了侧向光栅对光场模式的调控作用。随着距离的减小，侧向光栅对高阶横向模式的调控能力增强，体现在远场横向发散角减小，近场分布能量更集中。

关键词： 活性炭   Xe分离   半导体制冷   静态质谱  

摘要： Xe气体浓度和同位素比值的分析测试在核工业、核保障监督、前沿科学等领域具有重要意义，但Xe在空气中的含量极低，特别是在大气颗粒物和大气放射性氙样品中，极微量Xe的高效捕集成为非常大的难点和挑战。本文基于半导体制冷技术设计了一种紧凑型活性炭冷阱装置，并通过降低冷阱温度吸附混合气体中的Xe，再升温至180℃释放Xe，纯化后利用Helix MC Plus静态气体质谱仪测量Xe的浓度和同位素比值。实验结果显示：利用活性炭冷阱吸附分离的方法，最低温度可达-37℃，制冷时间只需180 s,Xe的回收率达到81%,Kr、Xe分离系数为188。在进样量约1×10-13mol条件下，除124Xe/132Xe、126Xe/132Xe和128Xe/132Xe外，利用法拉第筒测量Xe同位素比值的精密度为0.06%～0.12%，与参考值的相对偏差为-0.14%～0.22%，其中129Xe/132Xe、130Xe/132Xe和134Xe/132Xe测量值与参考值的相对偏差为-0.03%～0.07%。结果表明，紧凑型活性炭冷阱装置制冷迅速且稳定，样品处理流程耗时约0.5 h，联合静态气体质谱可实现高精度Xe同位素比值分析，可为核保障监督和核环境监测中大气颗粒物和大气放射性氙的监测提供技术支撑。

关键词： 第三代半导体   功率器件   封装结构   可靠性评估  

摘要： 第三代半导体材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其卓越的性能在电力电子领域展现出巨大潜力。然而，为了充分发挥材料的优势，需要通过先进的封装技术来解决电气互连、机械支撑和散热等问题。围绕第三代半导体封装结构的研究进展，分类总结近年来新型封装结构特点及优化效果，包括降低寄生电参数、降低热阻、提高集成度三个发展方向。基于新型封装结构，总结面临的可靠性问题以及现行的可靠性测试标准和方法，探讨了存在的问题和不足，最后对第三代半导体封装技术的未来发展进行了展望。

摘要： 半导体行业正在经历复苏周期,行业发展迅速,一些龙头公司通过回购等方式推动公司价值发现. 据专业机构统计,全球半导体行业在2024年前三季度实现了 26％的收入同比增长.与之对比,A股申万半导体行业总营收同比增长也达到22％,归母净利润同比增长达到25.73％. 尽管全球和国内半导体行业增长情况"形似",但国内增长逻辑主要是国产替代.A股半导体公司中,部分龙头公司如韦尔股份等通过回购以及股东增持等方式,提升股票投资价值并彰显发展信心.

关键词： 出口管制   出口限制   贸易战   超硬材料   经贸领域   关键矿产   半导体   换届  

摘要： 中国首次对美国出台镓、锗、梯、超硬材料等关键矿产出口限制,关键矿产安全与科技贸易战深度博弈。随着美国总统换届日临近,中美双方在科技和经贸领域的对战性动作也愈发密集尤其在美国频繁加码对华半导体出口管制的局面之下,中国商务部也对美国企业祭出了史上最严的金属出口管制。

关键词： 固体高次谐波产生   半导体布洛赫方程   随机相位  

摘要： 高次谐波(High-Order Harmonic Generation,HHG)是强激光与物质相互作用过程中产生的一种重要的非微扰、非线性光学现象.它不仅开辟了产生极紫外光源的新途径,还被用于合成阿秒脉冲,从而开启了阿秒物理学的大门.与气体相比,固体具有更高的原子密度,高次谐波的产生机制也更为复杂.半导体布洛赫方程(Semiconductor Bloch Equations,SBEs)作为研究固体HHG的一种重要理论方法,在揭示固体HHG的物理机制、解释和预测实验现象等方面扮演着重要角色.本文综述了SBEs的理论框架和最新进展.首先总结了布洛赫基组和绝热休斯顿基组下的SBEs,并分析了它们在数值计算中的优势与局限性.针对波函数随机相位问题,探讨了平滑波函数相位的平行输运规范和扭曲的平行输运规范.最后重点介绍了规范不变形式和瓦尼尔规范SBEs.它们不仅完美地解决了随机相位问题,还为分析固体高次谐波的产生提供了新的视角.