关键词： 半导体   聚四氟乙烯   5G基站  

摘要： 以半导体芯片与器件为基础的信息化产业在经济发展和人民生活中扮演着重要角色。通过做好半导体产业链相关材料的开发与应用，可以有效促进信息技术发展。本文选取半导体材料中的聚四氟乙烯作为研究对象，分析了半导体与聚四氟乙烯基本概念，对聚四氟乙烯的开发进行了深入探究，通过试验、聚合反应得到了聚四氟乙烯材料的光谱图、分子结构与纯度等级，并重点论述了聚四氟乙烯材料在半导体领域中的实际应用。本文旨在证明聚四氟乙烯在半导体领域中具有良好价值，进而使相关领域研究人员重视该材料的开发与应用。

关键词： 半导体器件  

ISBN: (纸本)9787121493713

摘要： 本书基于国产EDA软件Empyrean XModel器件模刑提取工具，介绍硅基MOSFET和GaN HEMT的器件建模、测试分析和参数提取的设计和实验全流程。

摘要： 近年来，伴随着超级计算机、新能源汽车、数字经济、5G、AI等产业的蓬勃发展，高集成度、高性能成为电子信息产业的主流趋势。在摩尔定律开始逼近极限和圆晶成本居高不下的情况下，开发更先进的封装技术成为产业界的又一突破方向。封装基板作为半导体封装体的重要组成部分，是用于承载芯片的电路板，主要起到芯片的电气连接作用，同时为芯片提供保护、支撑和散热的作用。根据Prismark统计，2022年全球IC封装基板行业规模达174亿美元（同比增长20.90%），预计2026年将达到214亿美元，2021-2026年CAGR达到8.25%，是PCB领域中增长较快的一个细分产品门类。我国十分重视封装基板产业，预测未来几年将是我国封装基板产业发展的战略机遇期。本文从专利情报的视角下出发，针对封装基板的专利信息进行分析和研究。

关键词： 可调谐激光器   窄线宽   外腔   半导体激光器  

摘要： 可调谐的集成窄线宽外腔半导体激光器因其具有尺寸小、调谐范围宽、单模、边模抑制比大、输出功率高等优点，在相干光通信、波分复用系统、相干探测和超高速光互连等许多领域中有着广泛的应用。本文详细介绍了窄线宽半导体外腔激光器的工作原理以及发展状况，并比较分析了目前主流平台上集成外腔激光器的性能和设计思路。最后，对基于无源外腔的可调谐窄线宽半导体激光器的发展进行了展望，讨论了其在中红外波段的未来前景。

关键词： 氮化镓   激光二极管   位错降低   漏电流   多量子阱  

摘要： 氮化镓（GaN）基激光二极管（LD）在激光显示、激光制造、可见光通信和量子信息技术等领域中具有广阔的应用前景，是第三代半导体光电子器件研究的前沿方向和产业发展的热点。然而，其性能和可靠性的提升仍面临科学和技术上的挑战。介绍了GaN基LD的发展现状，讨论了制约其性能提升的主要瓶颈问题，总结了研究团队在器件设计和材料外延方面的最新研究进展。研究团队提出了三维六角叠层掩模方法，实现了高位错密度区域的降维；建立了漏电流解析模型，揭示了电子阻挡层的作用机制；利用结晶恢复层提高了超厚多量子阱结构的外延质量，并阐明了其对发光性能的影响机理。这些研究为发展高性能GaN基LD提供了物理依据和技术支撑。最后对未来的研究重点进行了展望。

关键词： 半导体   光催化   过氧化氢   载流子  

摘要： 近年来,半导体光催化过氧化氢（H2O2）合成因其相较于传统化学合成方法在能耗和环保方面具有显著优势而受到了广泛关注,在污染物处理、化学品合成、生物医疗等领域展现出良好的应用前景.然而,由于半导体光催化H2O2合成涉及复杂的反应机制以及产物相对较高的化学活性,其在催化体系的设计、性能评估及优化方面呈现出一定的特殊性,这也成为了当前研究的重点与难点.本文聚焦半导体光催化H2O2合成,对近期该领域的研究进展进行了综述.在简要介绍H2O2产生机制基础上,从催化体系筛选、催化反应器设计、性能评估、优化策略开发、应用场景拓展等方面对相关研究进行总结、归纳;讨论了半导体光催化H2O2合成研究面临的挑战,展望了该领域未来的研究方向及可能的突破点.

关键词： van der Waals layered semiconductor   lead iodide   anti-Stokes photoluminescence   exciton-phonon coupling   two-step photon absorption  

摘要： Anti-Stokes光致发光（ASPL）现象在低维范德华层状半导体中因其潜在的应用前景,如光学冷却、亚能带探测和光电器件等,引起了人们的广泛关注.过渡金属二硫化合物（TMDCs）作为研究范德华层状半导体ASPL现象的主要代表之一,其单层结构表现出直接带隙特征,但由于内部光物质相互作用距离较短,导致它们的ASPL发射效率较低,严重阻碍了其在ASPL中的应用潜力.相比之下,过渡金属卤化物碘化铅（PbI2）作为一种范德华层状半导体,在较大的厚度范围内（≥3层）均保持直接带隙特征,相较于TMDCs显示出明显优势,因此在ASPL领域展现出良好的应用前景.然而,目前报道的PbI2的ASPL发射效率仍然较低,且对PbI2中丰富的ASPL发射态及其起源和机制的研究相对匮乏.本研究通过对PbI2厚度的精确选择,观察到室温下亚微米厚PbI2中更为精细的ASPL发射峰,以及一系列在低温条件下新发现的ASPL发射态.尤为重要的是,我们发现亚微米厚PbI2在低温条件下的ASPL发射强度相较于室温下增强了约1000倍.这一显著增强可以归因于从室温下的声子辅助单光子吸收机制到低温下的共振吸收促进的两步光子吸收机制的转变,以及低温条件下非辐射衰减的明显减少.我们的研究结果不仅加深了对PbI2中ASPL现象的全面理解,而且对基于范德华层状半导体的ASPL应用开发具有重要指导意义.

摘要： 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室长期以来主要致力于半导体物理的电子/自旋量子调控及光、电器件方面的研究，研究内容涉及从基础理论、材料生长、微纳器件的基本物理/功能特性到半导体光电器件的实用基础研究。当前科研人员中包括4位中国科学院院士、9人获得国家杰出青年基金资助、3人获选优秀青年科学基金资助。为进一步增强研究室的原始创新能力，现诚聘海内外英才加盟。

关键词： 微区感应加热键合   加速度计   连接稳定性   键合工艺  

摘要： 以微机械陀螺、光电加速度计为典型代表的高精度微机电系统（MEMS）导航器件因其微型化、智能化、高集成度以及可规模化制造等优点在航空航天等领域起着非常重要的作用。而光电加速度计的摆性对系统特性（如静态偏值和标度因素），甚至系统整体动态性能影响巨大。针对光电加速度计中硅摆由于胶黏结形变、材料匹配失衡所导致的静态偏值和温度滞环等问题，本文提出采用低温金属焊料的微区感应加热键合技术替代传统胶黏结，实现硅摆与基底的低温、高强度键合，克服胶黏结引入的蠕变迟滞和连接不稳定性缺陷。同时，研究了微区感应加热技术的尺度效应行为，明确了键合层的结构设计以及制造工艺，考察了键合工艺参数对焊料回流温度的影响。键合试验结果表明，硅摆与基底键合强度大于12MPa，大幅提升了硅摆连接稳定性，为加速度计硅摆高可靠稳定工作奠定了基础，提高了航空航天惯性导航及惯性制导系统的精度和工作寿命。

关键词： 半导体器件  

ISBN: (纸本)9787121493713

摘要： 本书基于国产EDA软件Empyrean XModel器件模刑提取工具，介绍硅基MOSFET和GaN HEMT的器件建模、测试分析和参数提取的设计和实验全流程。