关键词： 产业链和创新链融合   产业链韧性   产业韧性评价   半导体产业  

摘要： 基于2016～2022年我国半导体产业上市企业面板数据，研判半导体产业链、创新链融合与产业韧性间的关系。研究结果显示：我国半导体产业韧性不断增强，呈现两极分化态势，且分化态势有所减弱，向更高水平集聚；双链融合能提升半导体产业韧性，区域人工智能发展水平越高，双链融合对半导体产业韧性的促进作用越强；双链融合对半导体原材料与设备企业韧性的促进作用要高于制造企业。据此，应构筑良好的产业链、创新链融合生态，以产业融合集群建设推进产业整合，构建多元化的知识积累路径，统筹人工智能发展与安全，培育龙头企业与扶持产业链“专精特新”企业并行，加快实现我国半导体产业链安全自主可控。

摘要： 2025年2月26日，在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》，希望利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的所有相关半导体材料大幅推动各领域向低碳化和数字化转型。英飞凌在《2025年GaN功率半导体预测报告》中强调，GaN将成为影响全球半导体竞争格局的材料，将改变大众在消费、交通出行、住宅太阳能、电信和AI数据中心等领域提高能效和推进低碳化的方式。

关键词： high-pressure torsion (HPT)   semiconductors   photocatalysis   metal oxides   solar energy conversion  

摘要： The electronic structure of the band gap determines the amount of light and its wavelength that can be absorbed by a semiconductor. Most photocatalysts are semiconductor materials, therefore, the state-of-art band gap engineering plays an important role in the efficiency of the photocatalytic reactions. Metal oxides are the most abundant semiconductors in the Earth's crust, most of which possess large band gaps. In order for oxides to be able to absorb solar energy, the band gap must be reduced. In this review, band gap of high-pressure phases of some wellknown metal oxides like TiO2, ZnO, and Y2O3 are studied, which are known to be unstable at ambient pressure while having the advantage of narrow band gaps. High-pressure torsion ( HPT) is introduced as an effective method for stabilization of high-pressure phases, and these phases show good activity under visible light for water splitting hydrogen or oxygen production, and/or CO2 reduction reactions. High-entropy oxides and oxynitrides are another group of materials that will be introduced for effective photocatalytic properties, synthesized by the HPT method. [ doi:10.2320/***202403 ]

摘要： IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由BJT（双极结型晶体三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特征。功率模块是实现绿色能源转换的重要部件，IGBT是一种综合性能优异的全控型电力电子器件，IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，既具有MOS管的易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，还兼备了功率晶体管导通电压低、通态电流大和损耗小的优点，是电力电子器件中的主流产品，已广泛应用于工业、航空航天、国防军工等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域，在市场应用中占主导地位。但IGBT作为使用频率最高的电源转换芯片，出现故障的频率也一直很高。本文就IGBT故障失效损坏的机理进行分析研究。

关键词： 镓氧氮   薄膜   电弧检测   深紫外   光电探测器  

摘要： 电弧是气体放电的最终形式，放电过程中产生的光电效应会辐射紫外线，波长主要集中在200～400 nm。因此，通过深紫外光电传感器将电弧产生的光信号转换为电信号，可以检测和评估电弧放电的程度，防患于未“燃”。通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统制备了镓氧氮（GaON）薄膜并构建了基于GaON的金属-半导体-金属（MSM）型深紫外光电探测器。实验结果表明，所制备的深紫外探测器在254 nm紫外光照下具有高响应度（0.327 A/W）、高探测率(4.08×1014Jones)和快响应速度（上升时间为0.708 s，下降时间为0.413 s ）。该探测器在无任何光学聚焦器件的情况下，实现了在室外太阳光环境下对高压脉冲电弧的高灵敏度探测，在工业安全领域中有着潜在的应用价值。

关键词： Chiplet先进封装技术   高性能计算   网版印刷   C4技术  

摘要： 社会各行业对高性能计算的需求不断提升。Chiplet能够高效处理复杂计算，同时又具节能性。Chiplet为芯片用户创造前所未有的机遇，进入Chiplet先进封装技术的网版印刷迎来新的机遇和责任，在C4倒装焊技术中，网版印刷高温助焊剂的工艺，可以实现芯片与基板的互连技术。

摘要： 在汽车行业的技术革命中，半导体技术起着催化剂和加速器的作用，随着中国汽车产业快速发展，市场对汽车电子芯片的需求也在持续增长。业内专家预测，2025年中国汽车半导体市场仍将保持稳健增长态势，人工智能（artificial intelligence, AI）和能源是未来最重要的两大变革因素，长远来看汽车主机厂和芯片厂商的连接也将越来越紧密。

关键词： 碳化硅半导体   多层陶瓷板   压合参数   成型方式  

摘要： 高压快充的高散热和高可靠性需求，使逆变器由硅基模块替换为碳化硅功率模块，AMB陶瓷基板以高热导率、高载流能力及低热膨胀系数等优势成为碳化硅芯片最佳封装材料。本文融合了AMB陶瓷基板和埋元器件印制板的生产工艺，主要研究内容包括复合陶瓷基板的设计方案、碳化硅芯片埋置方式、各高度差的填充方案、压合参数及翘曲控制、高精度成型技术，实现了埋置碳化硅半导体器件的复合陶瓷基板制备。