摘要： 氧化镓（Ga2O3）作为超宽禁带半导体材料的代表，凭借其超宽禁带（4.4～4.9 e V）、高临界击穿场强（8 MV/cm）及优异的Baliga优值（理论值达SiC的10倍、Ga N的4倍），被视为突破传统半导体性能极限的关键材料。然而，其产业化进程长期受限于低热导率、p型掺杂困难、大尺寸单晶制备困难等问题。近年来，国家“十四五”规划将超宽禁带半导体列为重点攻关方向，“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件”研究获国家重点研发计划支持，亟需学术界与产业界通过协同创新打通从材料到器件的全链条技术壁垒。

关键词： 双稳态   多稳态   点间隧穿耦合   光力耦合  

摘要： 本研究探讨了外部磁场对半导体量子点分子与腔光机械耦合系统中光学双稳态行为的影响.研究结果显示,外部磁场、量子点之间的隧穿耦合以及探测光单光子的失谐可以有效地调控系统的光学双稳态.在弱隧穿和弱磁场条件下,系统的光学双稳态阈值和磁滞回线宽度随着外部磁场和点间隧穿耦合强度的增加而增大.随着磁场强度和隧穿耦合强度的进一步增加,系统的双稳态将演变为多稳态.有趣的是,在强隧穿和强磁场作用下,系统的光学双稳态阈值和磁滞回线宽度随着外部磁场和点间隧穿耦合强度的增加而减小.这种对耦合腔光机械系统中光学双稳态的灵活调控将在可控光开关方面具有潜在的广泛应用前景.

关键词： 多量子阱   外延生长   生长温度   生长速率   界面质量  

摘要： 针对传统InGaAs/GaAs量子阱在890 nm波段增益与带阶下降的问题，在势垒层引入了P元素形成InGaAs/GaAsP量子阱结构以提高量子阱的应变及导带带阶，同时将阱层数量增加到10层，实现了在890 nm波段仍具有高增益的多量子阱。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，采用生长参数组合调控的方法，外延生长了InGaAs/GaAsP多量子阱，研究了不同生长条件对InGaAs/GaAsP多量子阱界面质量及光增益特性的影响。通过对比分析最终确定了适合InGaAs/GaAsP多量子阱的最佳生长参数，并获得了高质量的InGaAs/GaAsP多量子阱外延样品。

关键词： 窄禁带半导体   Bi2Te3   单晶生长   掺杂效应   输运性质  

摘要： 阐述在新型半导体材料研究中，单晶材料被广泛应用于探索电子、光学和磁学性质。Bi2Te3作为典型的窄禁带拓扑绝缘体，具有0.145 eV的理论禁带宽度，是目前体积热电材料中ZT系数最高的之一。掺杂是调节半导体材料性质的有效手段，通过引入不同的杂质原子，可以显著改变材料特性。为了深入探索新材料的特性，采用温度梯度流体传输法成功制备了大尺寸、高质量的Nb0.3Bi2Te3单晶样品。通过单晶X射线衍射（XRD）和高分辨透射电镜（HRTEM）等技术手段，验证样品的成分和结构。电输运和磁输运性质的研究显示，样品在电输运测试中表现出典型的简并半导体行为，并在低于30 K的温度下展现了费米液体行为。此外，在50 oe的外磁场下，掺杂后的样品显著改变了Bi2Te3基材料的磁化率特性。

关键词： 压电半导体   多场耦合波   状态转移方程   PN结   声子晶体  

摘要： 压电半导体作为一种兼具压电性质和半导体效应的新型功能材料,因具有机械场、电场和载流子场的多场耦合性,被广泛应用在不同领域的新型微纳米器件中。因此,对压电半导体中的多场耦合波的研究具有重要的理论意义和应用价值。PN结是半导体材料中的一种重要结构,它是在掺杂类型不同的半导体接触时,由于载流子的扩散运动和漂移运动所形成的空间电荷区。通过研究PN结对耦合波的传播特性的影响规律,可以为通过PN结实现波的调控提供理论指导。为此,本文基于理论推导和数值模拟,重点研究了 PN结对压电半导体中多场耦合波传播特性的影响。具体的研究内容如下: (1)研究了多场耦合波在压电半导体PN结处的反射和透射特性。首先,基于压电半导体材料的本构方程和控制方程,得出多场耦合波的各种模态。然后基于耗尽层假设和小扰动假设建立理想PN结数学模型,推导载流子浓度和电势在PN结内部的不均匀分布,进一步将PN结视为载流子浓度和电势随坐标变化的电学功能梯度层。通过状态转移方程推导出PN结的传递矩阵,并通过Magnus级数展开对其进行数值处理。最后,计算反射波和透射波所携带的能量以及与入射波的能流比获得反射和透射系数,并通过能流守恒验证数值结果的可靠性。数值算例表明PN结显著改变了多场耦合波在压电半导体接触面的反射和透射行为。基于数值结果讨论了稳态载流子浓度、偏置电场和外加载荷对PN结处多场耦合波反射和透射行为的影响规律。 (2)提出了 PN结的等效非完好界面模型。该模型将PN结视为无厚度的非完好界面,用一组界面参数来表征PN结的影响,建立了 PN结两侧物理量的间断条件。考虑同质结和异质结两种情况,计算了反射波和透射波的能流比,并通过能流守恒验证了数值结果的可靠性。将非完好界面模型与分层均匀化模型和功能梯度界面模型的数值结果进行比较,表明非完好界面模型在一定误差范围内,与其它两种模型具有较好的一致性。非完好界面的有效性依赖于界面参数的合理选择,为此讨论了等效非完好界面模型中的3个电学界面参数对反射和透射能流比的影响规律,为界面参数的合理选择提供理论指导。 (3)研究了一维压电半导体声子晶体中的平面内Bloch波和出平面Bloch波的色散和衰减特性。首先,基于PN结的功能梯度界面层的理论,将声子晶体单胞分为N型半导体、N-P异质结、P型半导体和P-N异质结4个子结构,分别计算各个子结构的传递矩阵,再集成得到单胞的传递矩阵。然后采用周期结构的Bloch定理,得到声子晶体中多场耦合Bloch波的色散方程。不同于纯弹性和压电声子晶体,压电半导体声子晶体具有耗散特性,需在复数域寻根求解得到多场耦合波的色散和衰减曲线。最后通过对比纯压电、不考虑PN结效应和考虑PN结效应这三种情况下的数值结果,得到了 PN结对压电半导体中耦合波的色散、衰减以及带隙的影响规律,并分析了半导体掺杂浓度的影响。 PN结是压电半导体层状结构中的一种特殊微结构,载流子浓度和电势在PN结内呈现非线性分布。上述研究结果表明PN结对压电半导体分界面的反射和透射特性以及周期层状结构中的Bloch波的色散、衰减和带隙特性具有不可忽视的影响。研究结果对于利用外加机械载荷和偏置电场改变PN结特性进而实现对耦合弹性波传播特性的调控提供理论指导。

关键词： 金刚石半导体   培养模式   应用技术型大学   模拟工厂  

摘要： 金刚石半导体材料因其高热导率、禁带宽度等性能，在电子、光电、热管理等领域展现出巨大的应用潜力，被誉为“终极半导体”材料。然而，该行业尚处于起步发展阶段，其细分领域高层次专业人才的需求日益迫切，人才培养模式尚需研究。本文旨在通过构建理论与实践相结合的教育体系，探讨面向应用技术型大学的金刚石半导体行业硕士生培养模式，培养出具备扎实理论基础、实践能力和创新精神的复合型人才，以满足行业发展的需求。

摘要： 由于果果身体不舒服，这几天巢小爷陪他在家休息。一开始兴奋、好奇的果果，此时想爸爸妈妈、爷爷奶奶了，好几次都带着哭腔问巢小爷：“哥哥，我们还能回去吗？我有点儿想家了。”巢小爷摸摸果果的头，安慰道：“相信哥哥，一定会带你回去的。”巢小爷一有空就去书房，查阅各种资料，有时也会咨询小小或小Ⅰ一些问题。这一天，果果身体好得差不多了，吵着让巢小爷带他出去散散心。果果平时很喜欢飞机，收集了很多战机航模，所以巢小爷便想着带果果看未来的战机。两人来到了航空博物馆，一进门，

关键词： 高可靠半导体集成电路   静电放电敏感度   评价标准  

摘要： 针对高可靠半导体集成电路静电放电敏感度（ESD）评价标准及存在问题开展了研究，分析了在现行标准规定的人体模型ESD评价基础上补充带电器件模型ESD评价的必要性，重点探究分析了带电器件模型ESD失效风险较高的器件类型及其技术特点，提出了高可靠半导体集成电路ESD评价标准完善建议。

摘要： 受整体经济形势低迷、需求放缓以及MCU市场竞争加剧等因素影响，2024年很多半导体厂商都进入去库存阶段，MCU业务营收受到影响。在这种情况下，寻找新的增长点对于MCU企业来说至关重要。2025年2月，《电器》记者采访了意法半导体中国区微控制器、数字IC与射频产品部门AI市场经理丁晓磊和意法半导体中国区微控制器、数字IC与射频产品部门通用微控制器市场经理罗少贤，听他们讲述了意法半导体顺应家电发展趋势，在困难中不断寻找机遇的突围之路。

摘要： 最近，市场调研机构Counterpoint指出，全球半导体产业在经历低迷后强劲回升，主要受益于人工智能（AI）需求大增、存储芯片需求增长及价格回升所拉动，而除AI相关半导体之外的逻辑半导体市场仅呈现温和复苏。Counterpoint指出，按半导体销售额统计的2024年全球前十大半导体品牌厂商排名来看，三星电子以11.8%的市场份额位居全球第一。紧随其后的分别是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、