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问题描述:
关键词: 集成电路 半导体制造 工艺基础教学 OBE 教学模式创新
摘要: 阐述以半导体制造工艺基础课程为例,针对教学中的知识讲授过程、参与程度,以及课程特点,采用问题引导、鼓励激发、细化课堂和更新教学模式的综合策略,实现对传统教学模式的创新与完善,以及基于OBE理念的半导体制造工艺基础课程的教学实践。
关键词: 欧盟 半导体战略 《欧洲芯片法案》 战略自主
摘要: 近年来,在全球半导体市场供需失衡及中美科技竞争加剧的背景下,欧盟积极部署并实施半导体战略。欧盟半导体战略的实施与推进是内部和外部因素共同作用的结果:内部驱动因素包括实现数字化转型战略目标和确保半导体供应链安全,外部驱动因素则涵盖应对美国的全球半导体竞争策略以及其他主要国家在半导体领域的崛起。欧盟半导体战略聚焦于三大核心路径:一是健全支持服务体系,巩固半导体研发与创新优势;二是采取“国家援助工具、建立激励框架和完善机制建设”三管齐下的策略,刺激半导体制造的发展;三是政企携手深化半导体国际合作。尽管欧盟半导体战略的实施取得了一定成效,但其仍将面临内外多重挑战。内部挑战包括半导体产业结构性缺陷、监管机制过严、半导体专业人才短缺等,外部挑战包括欧盟在中美半导体竞争中的“摇摆”困境及其能源高度对外依赖对欧洲半导体产业发展的钳制。未来,中国应持续关注欧盟半导体战略目标的实现情况,深化与欧盟在半导体领域的合作。
关键词: 激光雷达 光源 调制器 探测器 扫描方式
摘要: 激光雷达(LiDAR)作为一种关键的三维感知技术,在自动驾驶、遥感测绘和工业检测等领域具有重要的应用价值。激光雷达是一种高度集成的光电系统,其技术路线多样。基于不同原理的激光雷达对核心光电子器件性能的要求存在显著差异。本文系统综述了激光雷达中的半导体光电子器件的最新研究进展。首先,分析了不同测距原理对光源性能的具体需求,重点总结了分布式反馈激光器(DFB)、垂直腔面发射激光器(VCSEL)等主流激光光源的特点及适用场景。接着,梳理了激光雷达中的调制技术,包括DFB激光器内调制、电光调制以及声光/压电调制等方式或器件的实现原理和研究进展。然后,比较了雪崩光电二极管(APD)、单光子雪崩二极管(SPAD)和超导纳米线单光子探测器(SNSPD)这三类探测器的性能特点与发展趋势。此外,本文还总结了闪光激光雷达、微机电系统(MEMS)激光雷达、光学相控阵(OPA)激光雷达、焦平面阵列激光雷达等多种应用不同扫描方式的激光雷达的发展现状与技术瓶颈。本文为激光雷达核心光电子器件的研究提供了全面的参考。在实际应用中,应结合具体应用场景和测距原理优化器件选择,并不断提升其性能,推动激光雷达技术的进一步发展。
关键词: 太阳能 半导体 微生物 全细胞杂合体 电子传递
摘要: 太阳能是地球上一切生命活动的能量来源,其高效转化对解决全球能源危机和环境问题具有重要意义。受光合作用启发,研究人员近年来通过集成光敏半导体优异的光吸收特性与微生物高效的生物催化能力,研发了基于半导体和微生物的光驱动全细胞杂合体,旨在通过绿色、低碳的方式实现太阳能向化学能的高效转化。本文从全细胞杂合体的运行原理出发,对光敏半导体种类及性能进行了总结,重点阐述了全细胞杂合体的构建机制及半导体与微生物界面的电子交互机制,并综述了全细胞杂合体当前在二氧化碳高值转化、人工固氮、制氢、污染物去除及资源化方面取得的研究进展。本文对全细胞杂合体的环境影响和挑战进行了讨论,如应用场景及成本、光敏半导体的管理和回收、复杂运行条件下的运行稳定性,并对未来发展进行了展望,以期为全细胞杂合体的开发及未来实际应用提供参考。
摘要: 随着电子信息技术的不断发展,半导体材料也经历了数代更迭。第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础;第二代半导体材料奠定了通信产业的基础;目前以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料具有耐高压、耐高温等优越性能,主要应用于功率器件和射频器件;而氧化镓、氮化铝、金刚石等第四代半导体材料具有优异的物理化学特性、良好的导电性以及发光性能,在功率和射频半导体器件、紫外探测器、气体传感器以及光电子器件领域具有广阔的应用前景。
关键词: 激光技术 锑化物 中红外光源 量子阱激光器
摘要: 锑化物量子阱激光器是高效的中红外半导体光源,具有小体积、低功耗、高效率等特点,其工作波长可以覆盖2~4μm。由于该波段光子与各类物质有着强烈的相互作用,锑化物量子阱激光器在生物医疗、材料加工、气体检测等领域中都有着重要应用。综述了锑化物量子阱激光器的发展过程与国内外研究现状,重点介绍了材料外延在激光器效率和功率提升及波长拓展过程中发挥的作用,总结了单模激光器制备方案与响应性能特点及硅基异质集成的发展情况,并综述了国内锑化物半导体激光器的最新研究进展。
关键词: 自调Q 半导体碟片激光器 倍频 水下无线光通信
摘要: 蓝光波段是水下无线光通信的窗口,高性能的蓝光激光器是水下无线光通信的理想光源。利用半导体碟片激光器增益芯片中的Kerr效应,在半导体碟片激光器中实现了稳定的自调Q输出,激光波长为982 nm。利用5 mm长的三硼酸锂(LBO)晶体进行腔内倍频,实现了脉冲宽度为8 ns、重复频率为61.9 MHz、平均输出功率为702 mW的高功率自调Q蓝光输出。基于上述脉冲蓝光激光器,搭建了水下无线光通信系统,并在不同数据传输速率和不同Maalox溶液浓度下,比较了自调Q脉冲蓝光与连续蓝光的通信性能。实验表明,在相同条件下,自调Q脉冲蓝光通信的误码率比连续蓝光的误码率降低了约一个数量级。
关键词: 半导体器件物理 申请与资助 研究主题与热点 基础研究 半导体科学与信息器件
摘要: 半导体器件物理作为研究半导体器件工作机理及相关物理现象的关键科学,是半导体科学与信息器件领域的重要基础研究方向.它融合了材料学、物理学、化学和微电子学的多学科理论,为推动信息技术与半导体产业发展提供了理论支持.本文统计了近五年来(2020—2024)半导体科学与信息器件领域F0405代码方向各类项目的申请量、资助率情况,并通对过近五年资助项目题目和关键词的热点词云进行分析,总结半导体器件物理方向基础研究的主题和热点变化.本文旨在探究近年来半导体器件物理领域的自然科学基金资助特点,为国内科研院所、企事业单位的研究人员了解该领域的研究热点、未来发展方向及路径提供借鉴.
标准号: GB/T 44924-2024
关键词: 半导体LED 封装技术 小尺寸背光 亮度提升 良率提升
摘要: 本文介绍了半导体LED封装技术中小尺寸背光亮度和良率的提高策略.首先,通过引入高亮度芯片和创新荧光粉方案,优化材料和生产工艺,以提高LED背光的亮度和降低成本.其次,通过使用低压芯片和优化材料,提高LED的发光效率和能耗表现.然后,通过调整封装工艺中的温度、胶水和点胶技术,提高LED的稳定性与可靠性.最后,通过质量控制、设备精度和生产环境的优化,提高小尺寸背光LED的良率.这些策略将有助于提高LED产品的整体性能和市场竞争力.