关键词： 科技全球化   新加坡   半导体产业   产业链供应链韧性  

摘要： 半导体产业是信息技术和数字经济发展的基石。目前,半导体产业总体上保持全球化特征,但是,近年来,随着美国、欧盟等一些主要经济体在科技创新战略竞争驱动下采取的贸易保护主义政策,全球半导体产业逐渐出现本土化、区域化趋势,引发半导体产业供应链脆弱性风险。在科技全球化背景下,从投融资及税收优惠政策、基础设施建设、人才培养、产业转型升级战略、知识产权保护、综合生态系统构建、供应链供需均衡等维度,研究梳理了新加坡保持半导体产业链供应链韧性机制,以期在全球政治、经济不确定风险加剧的情况下,对加快我国半导体产业发展以及保持半导体产业链供应链安全稳定提供一定的借鉴和启示。

关键词： 气敏材料   器件   综合实验   教学改革  

摘要： 通过半导体氧化物气敏材料的合成、表征,气敏传感器的制备,性能测试以及气敏传感器的应用,探索综合性实验项目教学改革。基于“寓精于料,料要成材,材要成器,器要可用”的原则,设计了综合性全流程的实验项目。通过实验项目的学习,能够激发学生的学习积极性和主动性,同时提升学生对于材料合成、表征、性能及应用的全方位理解,为应用创新型人才的培养奠定坚实的基础。

关键词： 客户沟通   美国政府   管制政策   半导体   存储厂商   外资   执行细则  

摘要： 尽管早有预期,但美国这份200多页新禁令出台时点的突元、所涉内容的深度和广度,仍令中外半导体业界震惊“美国未提前和企业沟通。我们总部正和美国政府方面协商管制政策的执行细则,中国区也在和每个客户沟通,希望尽量不太影响中国市场。”一名头部外资存储厂商人士在第一时间对财新回应。

关键词： 微型天线   半导体集成   高频通信   氮化镓   匹配网络  

摘要： 针对5G及以上高频通信对天线小型化和集成度要求日益提高的问题,设计了一种基于氮化镓半导体材料的微型天线集成方案。通过天线结构优化和匹配网络设计,在GaN半导体基底上实现了天线与射频芯片的无缝集成。HFSS仿真结果表明,该集成方案在30~40 GHz频段表现出优异的辐射性能,天线增益达到6.5 dBi,驻波比小于1.5。基于GaN材料平台的多层复合介质结构设计使天线尺寸仅为传统贴片天线的1/3,在保持良好性能的同时实现了显著的体积缩减。研究成果为高频通信系统的小型化集成提供了可行的技术方案。

关键词： 内部培训   DMG   MX   平湖   半导体   客户需求   转型   展厅  

摘要： 在过去的一年中,DMG MORI中国围绕加工转型(MX)展开了全面的内部深化和市场活动。从佛山到天津工厂,从株洲到大连,从无锡到平湖工厂,从烟台到洛阳,2024年我们在全国各地举办了8场加工转型(MX)区域研讨会,与客户密切交流,更透彻的了解当地客户需求,以更契合的解决方案助力产业发展。9月,平湖工厂展厅正式启用后,接连举办了内部培训活动、客户研讨会活动,6月和12月,在DMG MORI中国上海总部成功举办了两场技术日聚焦了医疗,刀具、模具,半导体等行业,在展厅为中国用户展示了融合加工转型概念的高效解决方案。

关键词： 陶瓷静电卡盘   叠片机   半导体   光学设备  

摘要： 陶瓷静电卡盘是半导体以及光学设备中的关键器件之一,主要起到固定衬底快速加热的作用,其性能与稳定性直接影响芯片制造的质量和效率。叠片工艺是实现陶瓷静电卡盘吸附和保证温度均匀性的关键工艺。多层陶瓷基板叠片机作为一种先进的精密加工设备,以其高精度、高效率的特点,在HTCC和LTCC等行业内应用广泛,但国内尚未有适用于陶瓷静电卡盘研发的叠片机。旨在通过分析陶瓷静电卡盘陶瓷基板的特点,开展大尺寸生瓷片叠片设备的研究,探索叠片机在陶瓷静电卡盘制造中的应用。

关键词： 星间相干激光通信技术   光学锁相环   注入锁定   载波恢复技术  

摘要： 空间相干激光通信技术是当前卫星互联网远距离高速通信的主要途径,针对当前零差相干通信体制中光学锁相环载波恢复技术存在的锁定范围小、系统复杂以及对激光器线宽和频率调谐带宽要求高的问题,研究了基于半导体激光器注入锁定技术的相干接收端载波恢复方法,并利用数字解调技术实现了信号的接收。发射端采用曼彻斯特码型二进制相移键控(BPSK)调制技术有效保留了发射光信号中的载波分量,在接收端通过半导体激光器注入锁定技术对调制光中的载波分量进行过滤和放大,并将其作为本振光与调制信号进行混频探测,利用数字解调算法实现了通信速率为5 Gbit/s的BPSK相干信号的解调,同时分析了注入功率、调制速率和调制深度的改变对载波恢复效果的影响。该方案可有效降低空间相干激光通信对本振光的性能及接收端采样速率的要求,极大简化了空间相干通信系统的复杂度。

关键词： 国家安全   安全例外   安全例外条款   GATT 1994第21条   WTO  

摘要： 2022年10月起,美国开始全面限制向中国出口特定半导体产品以及相关的技术服务等,并援引WTO安全例外条款为其措施辩护。近几年,WTO发布了多个与安全例外条款相关的专家组报告,中国或作为当事方或作为第三方参与到这些争端中。在这些争端中,援引例外条款的成员所依据的事实和理由逐渐从传统的国家安全事项向知识产权、经济安全乃至民主和人权问题演变,WTO主要成员之间就该条款的解释和适用问题存在巨大分歧。从WTO已发布的专家组裁决、WTO成员的态度、例外条款谈判历史以及学者的观点可以看到,美国对中国采取的广泛而严苛的半导体贸易限制措施不符合WTO安全例外条款。WTO成员应秉持善意和克制原则援引安全例外条款,给予条款中的“基本安全利益”“国际关系中的紧急情况”等关键用语清晰明确的定义和范围,帮助WTO成员在维护国家基本安全利益与防止安全例外滥用之间达成有效的平衡。

关键词： 高级研究计划局   管制措施   出口管制   半导体产业   宽带隙半导体   人造金刚石   美国国防部   军事装备  

摘要： 近年来,全球半导体产业竞争日益激烈,尤其是围绕宽带隙和超宽带隙半导体的技术创新,已经成为各国科技战略的关键焦点。此前我国对关键材料进行出口管制让很多国家开始调整战略。据TOM'S HARDWARE报道,由于中国在宽带隙半导体材料—氮化镓(GaN)供应方面的优势地位,近期又采取了出口管制措施,美国国防部高级研究计划局(DARPA)已采取行动,委托雷神(RAYTHEON)公司开发基于人造金刚石和氮化铝(AlN)的超宽带隙半导体,以确保美国的军事装备生产。

关键词： 表面活性剂   结晶性   微结构   光吸收   光电转换性能  

摘要： 调控半导体材料结晶性和微结构是增强光吸收和光电转换性能的有效策略。实验发现,当前驱体中添加0.8 g PVP,水热条件为12 h和180℃时合成的SnSe2在200~2500 nm宽光谱范围内均具有最佳的光吸收性能,并在模拟光照和外加1.23 V vs. RHE条件下其光电流密度最大约为0.04 mA/cm2。优化后的SnSe2材料光吸收和光电转换性能的增强机制主要归于结晶度、纯净度和微结构的改善促进光吸收特性和提升光生载流子分离与迁移效率,从而增强其光电转换效率。本实验为通过表面活性剂来调控新型半导体材料的光吸收和光电转换性能提供了研究思路,同时也为设计和开发高效催化剂奠定了实验基础。Regulating crystallinity and microstructure of semiconductor materials are effective strategies to enhance the light absorption and photoelectric conversion performances. It was found that SnSe2, which was synthesized by adding 0.8 g PVP to the precursor under hydrothermal conditions of 12 h and 180˚C, had the best light absorption performance in the wide spectral range of 200~2500 nm. Meanwhile, the photocurrent density is approximately 0.04 mA/cm2 under simulated illumination and 1.23 V vs. RHE. The enhancement mechanisms of light absorption and photoelectric conversion performances of the optimized SnSe2 material are mainly attributed to the improvement of crystallinity, purity and microstructure to promote light absorption characteristic and improve photogenerated carrier separation and migration efficiencies, so as to enhance the photoelectric conversion efficiency of SnSe2. This experiment provides a research idea for regulating light absorption and photoelectric conversion performances of new semiconductor materials by surfactants, and also lays an experimental foundation for designing and developing efficient catalysts.