摘要： 经过数十年发展,半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限,但传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律.发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路,从而获得三维集成技术的突破,是国际半导体领域积极探寻的新路径之一.

关键词： 多线切割机   光伏行业   半导体   芯片产业   新型切割材料  

摘要： 多线切割机是硬脆性材料切片主流技术,具有切割快、精度高、损耗低等优势。通过介绍其工作原理等,分析了多线切割关键技术研究现状和发展,包括材料去除机理、结构优化设计、多轴同步控制、工艺参数优化等方面。同时,介绍了多线切割机在光伏、半导体和消费电子等3个领域的应用,尤其是在光伏行业和消费电子领域,国产设备已占据国内市场。未来,多线切割技术将向着智能化、集成化、新型材料与工艺应用等方向发展,随着我国技术的不断提升,国产多线切割装备将走向世界。

关键词： 腔型设计   可调谐钛宝石激光器   单纵模   全固态   高稳定度   稳定运转   一体化   高功率  

摘要： 全固态高功率连续可调谐钛宝石激光器采用一体化的腔型设计可保证长时间的稳定运转。殷钢材质的高稳定度参考腔,可以保证激光器长时间稳定单纵模输出。

关键词： Van der Waals contact   GaN   Optoelectronics   Metal-semiconductor contact  

摘要： Metal–semiconductor contacts play a pivotal role in controlling carrier transport in the fabrication of modern electronic *** exploration of van der Waals(vdW)metal contacts in semiconductor devices can potentially mitigate Fermi-level pinning at the metal–semiconductor interface,with particular success in two-dimensional layered semiconductors,triggering unprecedented electrical and optical *** this work,for the first time,we report the direct integration of vdW metal contacts with bulk wide bandgap gallium nitride(GaN)by employing a dry transfer ***-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy explicitly illustrates the existence of a vdW gap between the metal electrode and ***,compared with devices fabricated with electron beam-evaporated metal contacts,the vdW contact device exhibits a responsivity two orders of magnitude higher with a significantly suppressed dark current in the nanoampere ***,by leveraging the high responsivity and persistent photoconductivity obtained from vdW contact devices,we demonstrate imaging,wireless optical communication,and neuromorphic computing *** integration of vdW contacts with bulk semiconductors offers a promising architecture to overcome device fabrication challenges,forming nearly ideal metal–semiconductor contacts for future integrated electronics and optoelectronics.

关键词： 数字信号处理器   C2000   实时控制   处理单元   TMS320   系列产品   MCU   半导体  

摘要： 德州仪器(TI)的C2000系列产品是半导体发展史上的一个传奇,它不仅代表了TI在数字信号处理器领域的深厚积累,也是实时控制应用中的佼佼者。从1994年推出的第一个TMS320C10处理器,提供16位DSP定点内核,到今天的集成神经处理单元(NPU)的智能实时MCU,可以说,C2000系列的发展历程见证了这30年来的技术的演进和市场需求的变化。

关键词： 中日半导体产业   合作潜力   产业链重构   博弈   合作共赢  

摘要： 20世纪80年代日本半导体产业全球领先,但受美国打压由盛而衰,目前仅在半导体上游保持优势。中国半导体产业虽然起步晚,但发展迅速,在产能和终端市场占绝对优势。中日通过半导体产业内贸易和日本半导体企业对华投资构成了优势互补的产业链。从中日半导体贸易竞争力及产业互补性来看,产业合作基础夯实、潜力较强。尤其是中国超大规模市场为中日半导体产业合作提供了广阔的空间和机遇。然而,随着美国拉拢日本等国加紧对华半导体出口管制和技术封锁,中日半导体产业陷入脱钩、断链的风险,呈现出竞争和博弈的新格局。未来中日要加强政府之间合作机制,创新多层次合作模式,充分发挥RCEP合作平台,化解西方技术封锁和地缘政治风险等外部挑战,实现半导体产业高质量发展。

关键词： 贸易便利化   半导体企业   半导体产业   稳步推进   供应链   叠加影响   扁平化   区域化  

摘要： 近年来,由于多重因素的叠加影响,不少产业供应链都遭遇了显著挑战,半导体产业亦未能幸免。当前,半导体产业链呈现出扁平化与区域化的发展趋势,这使得我国半导体产业供应链面临颇为严峻的考验,部分国内半导体企业甚至遇到了供应链中断的问题。

关键词： 氧化还原中介   选择性氧化   二氧化钛   共价有机框架  

摘要： 稳定自由基TEMPO(2,2,6,6-四甲基哌啶氧化物)可以与半导体光催化相协同,用于促进氧化反应过程中的电子和质子转移。通过理性设计可以将TEMPO作为氧化还原中介引入到反应体系中,提高反应效率。研究证明,二氧化钛和共价有机框架均可与TEMPO构建协同光催化活化双自由基分子氧体系,实现可见光驱动下胺和硫醚类有机底物的选择性需氧氧化。

关键词： 晶圆键合   超薄界面   异质异构   直接键合   金刚石基氮化镓微波功率器件  

摘要： 半导体产业对国防安全和国民经济发展意义重大,高端半导体装备也是国外对华技术封锁的重点领域。雷达探测、5G通信等领域所用的导体器件对大功率、高频率、高响应等性能要求越来越高,目前该类器件面临界面热阻高、传输损耗大和集成度低等技术瓶颈。开展超薄界面异质异构晶圆键合装备研发,大幅度降低键合界面热阻、提高互连密度和键合精度,是解决当前技术瓶颈、提高器件性能的重要途径。但由于核心零部件被国外垄断、设备整机技术攻关难度大,目前尚无成熟的国产异质异构晶圆键合装备,这就严重制约了我国新一代半导体器件的自主创新发展。本文梳理了超薄界面异质异构晶圆键合技术及典型工艺研究现状,并展望了超薄界面异质异构晶圆键合技术发展趋势。