关键词： Circuit oscillations  

摘要： This study examines the gate magnetic coupling technique, a gate drive technology for series-connected power semiconductor devices, and discusses the generation principle of gate voltage oscillation specific to the technique and its countermeasures. Additionally, this study proposes two gate-drive circuits designed to suppress gate voltage oscillation. The experimental results obtained using 3.3 kV/750 A SiC-MOSFET/SiC-SBD power modules demonstrate that the proposed methods can suppress gate voltage oscillation and reduce the voltage imbalance between the series-connected elements. © 2025 The Institute of Electrical Engineers of Japan.

关键词： 第三代半导体   产业链   建设路线   产业发展  

摘要： 第三代半导体产业作为新兴高科技产业,其发展前景和应用领域十分广阔。宁波市作为中国的沿海城市,具备发展第三代半导体产业的地理、产业和人才优势。因此本文旨在分析宁波市发展第三代半导体产业链的建设路线,为促进产业升级和经济转型提供指导。通过对宁波市第三代半导体产业链建设的分析,得到如下结论:①市场需求是指导产业链建设的重要依据,市场发展趋势可以加强技术研发和创新能力的建设,建设完整的产业链;②宁波市发展第三代半导体产业需要全面考虑市场需求、技术研发、产业链建设、创业创新和人才培养等方面因素,积极制定政策和行动计划,为宁波市经济转型和高质量发展提供新的动力和机遇。鉴此,本研究可为宁波市制定科学合理的发展战略和政策提供参考,走出一条符合宁波实际的第三代半导体产业发展之路。同时,本研究期望对其他地区和相关领域的产业发展也具有一定借鉴意义,能够促进区域经济协调发展和国家科技创新能力的提升。

关键词： 半导体聚合物   聚合物纳米点   荧光探针   荧光成像  

摘要： 荧光成像技术因其非侵入性、高时空分辨率和高灵敏度,在生命科学研究领域中备受关注.作为荧光成像技术的基础工具,发展高性能的荧光探针成为提高成像质量的关键途径之一.随着纳米材料科学领域的迅速发展,荧光纳米颗粒探针因其克服了传统有机染料和荧光蛋白在荧光效率和光稳定性方面的不足,逐渐成为荧光成像领域的有力竞争者.近年来,半导体聚合物纳米点(Pdots)因其粒径小、亮度高、稳定性强等特性在荧光纳米探针领域中备受瞩目.本文首先回顾了Pdots的发展历程和制备策略,并总结了Pdots作为荧光纳米探针在光物理特性上所具备的优势.此外重点介绍了Pdots作为一类性能优异的荧光纳米探针在荧光标记成像、超分辨荧光成像和活体生物成像中的最新应用进展.最后,分析了当前Pdots作为荧光探针存在的一些优点和局限性,并探讨了该类纳米探针在未来存在的主要发展方向和应用前景,为Pdots在生命科学成像领域中的更广泛应用开辟新的可能性.

关键词： 半导体行业   湿电子化学品   高效纯化工艺   膜分离技术   电渗析技术  

摘要： 研究目的是探索半导体行业湿电子化学品高效纯化工艺设计方法,促进产品质量的提高和适应产业发展的需要。在分析半导体行业湿电子化学品发展现状和存在问题的基础上,对膜分离技术、电渗析技术和组合工艺优化设计进行了研究。研究表明,与传统的纯化工艺相比,膜分离技术可以提高纯化效率20%,而电渗析技术则可以将产品的纯度提高到99.999%或更高,该组合工艺在确保高纯度的前提下,进一步提升纯化效率,降低成本。该研究也为促进纯化效率、降低成本和能耗以及环保和可持续发展等方面提供了一些建议。

关键词： 锑化物   半导体   分子束外延(MBE)   能带结构   生长工艺  

摘要： 锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长中得到了广泛应用。通过对锑化物半导体材料的特性、实际应用的探讨,着重介绍了分子束外延技术在锑化物生长领域的最新研究进展。首先,阐述了二元、三元和四元锑化物半导体材料的物理特性;其次,总结了相关的红外探测器、激光器和热光伏电池等器件在低暗电流和高工作温度等研究方向的进展;最后,针对锑化物半导体的MBE生长工艺和过程中存在的问题,总结了一些切实可行的解决方案,并且展望了未来锑化物半导体材料分子束外延的发展趋势。

关键词： CMOS integrated circuits  

摘要： 2-dimentional materials are now intensively studied with the aim of the application to advanced CMOS logic transistors for 1 nm node and beyond. Here, the reason why the 2-dimntional materials are expected and the present status of the research of 2-dimntional materials transistors are reviewed. Challenges and prospect of this technology are also discussed. © 2025 The Institute of Electrical Engineers of Japan.

关键词： 第三代半导体   功率器件   封装结构   可靠性评估  

摘要： 第三代半导体材料,如SiC和GaN,因其卓越的性能在电力电子领域展现出巨大潜力。为了充分发挥材料的优势,需要通过先进的封装技术来解决电气互连、机械支撑和散热等问题。围绕第三代半导体封装结构的研究进展,从降低寄生电参数、降低热阻、提高集成度3个发展方向分类总结近年来新型封装结构特点及优化效果。基于新型封装结构,总结了其面临的可靠性问题以及现行的可靠性测试标准和方法,探讨了存在的问题和不足,对第三代半导体封装技术的未来发展进行了展望。

关键词： 半导体   产业链   贸易网络   稳定性  

摘要： 基于2010年、2014年、2018年和2022年的全球进出口贸易数据,本文从产业链视角构建了涵盖原材料、生产设备以及元器件成品3个环节的全球半导体贸易网络。通过对整体结构、节点影响力、社群结构等多个维度进行分析,本文深入剖析了半导体贸易网络的结构特征,并通过冲击模拟探究了该网络在面对不同形式冲击时的稳定性。研究发现:(1)全球半导体贸易网络的“小世界”特征显著,且连通性良好。(2)半导体传统强国的影响力仍然稳固,但新兴势力已不容小觑。(3)在全球半导体贸易网络中,尽管存在“逆全球化”现象,但“全球化”仍是主要趋势。(4)全球半导体贸易网络兼具稳定性和脆弱性。在随机攻击模式下,该网络表现出较强的抵抗能力,其稳定性随着网络规模的增长而增强;然而,该网络在蓄意攻击模式下的抵抗能力较弱,其稳定性随着网络极化程度的加深还会进一步减弱。本文为系统理解全球半导体贸易网络的结构演进及其稳定性提供了有力支持。根据分析结果,中国有必要在要素禀赋原则和技术民族主义之间,探索一条更为务实的半导体产业发展道路,在努力实现独立自主的同时,积极参与全球产业链价值链分工仍应是产业政策的主轴。

关键词： g-线光刻胶   i-线光刻胶   半导体工业   性能测试   发展趋势  

摘要： 本论文讨论了半导体工业用g-线/i-线用光刻胶的研究状况。首先对光刻胶基本概念、分类以及技术特点进行综述,并对半导体制造用g-线光刻胶、i-线光刻胶应用领域以及市场竞争格局进行深入分析。采用性能测试及分析的方法,对g-线光刻胶及i-线光刻胶分辨率、灵敏度及稳定性等性能指标进行比较,结合应用案例分析揭示i-线光刻胶用于高端芯片制作的优越性。另外,本文对g-线或i-线用光刻胶的研究趋势进行了预测,主要从提高分辨率、灵敏度、稳定性以及环保性能几个方向进行分析,并在此基础上指出市场竞争日益激烈,技术壁垒、环保要求增加以及供应链风险所带来的挑战。最后提出加强技术创新、品牌建设、环保技术研发、供应链管理以及国际合作交流的发展建议。

关键词： 双目视觉   聚类阈值分割   模板匹配   检测方法   表面缺陷   半导体器件  

摘要： 半导体器件表面缺陷检测方法采样图像的清晰度低,主要是源于光照不足、镜头污染以及焦距不准确等,导致图像细节模糊,使表面缺陷形态的精准检测不准确。当光照不足时,半导体器件表面的反射光线减少,导致相机接收到的光信号变弱。同时,镜头表面如果受到灰尘、油渍或其他污染物的覆盖,会阻碍光线的正常传播,导致图像出现模糊、斑点或条纹等伪影。此外,焦距的调整决定相机镜头对物体的聚焦程度。为提高表面缺陷采样图像的清晰度,引进双目视觉技术,对半导体器件的表面缺陷检测方法展开设计。使用双目视觉相机系统采集半导体器件表面图像,通过去噪、三维重构、锐化等,完成图像的预处理;从预处理后的图像中截取一个包含该缺陷的子图像作为模板,并计算模板与图像中各个位置子图像之间的相似度,设计半导体器件表面缺陷模板匹配方法;根据匹配结果,采用聚类阈值分割方法,对图像进行相似度矩阵分类,根据分类结果设定最佳阈值,以此为依据,对匹配结果进行二值化处理,得到缺陷检测结果。对比实验结果表明:设计的方法不仅可以实现对半导体器件表面缺陷形态的精确检测,还能提高缺陷图像采样的完整性与清晰度。