关键词： 高纯度电子特气   半导体器件性能   制备技术优化  

摘要： 本文主要针对高纯度电子特气的制备工艺及对半导体器件性能产生的影响进行深入的研究。首先对电子特气高纯度制备工艺现状进行分析,指出现有工艺中存在的瓶颈问题,讨论新技术开发和应用进展情况。然后,详细描述电子特气纯度对于半导体器件电学性能及可靠性所产生的具体作用,并结合案例研究进一步验证纯度提升对于器件性能所产生的明显提升作用。同时本论文还注意到高纯度电子特气制备技术所面临的一些挑战,主要是技术创新和成本平衡、环保和可持续发展等方面的要求,最后展望了该技术发展的趋势和前景。

关键词： 老年   半导体激光   微波治疗   带状疱疹   带状疱疹后遗神经痛  

摘要： 目的探讨半导体激光结合微波治疗老年带状疱疹(herpes zoster,HZ)的疗效。方法选择2022年8月—2024年2月上海市闵行区中心医院皮肤科就诊的120例老年HZ患者,按随机数字表法分为A组、B组和C组,每组40例。A组接受常规的药物治疗。B组接受除常规药物治疗之外,附加半导体激光治疗。C组接受常规药物治疗及半导体激光之外,附加微波治疗。结果C组(95.0%)的疗效高于A组(67.5%)和B组(82.5%),且组间相比较差异具有统计学意义(P<0.05)。治疗后,视觉模拟评分法(visual analog scale,VAS)评分显示C组(2.63±1.09)分显著低于A组(4.28±1.17)分和B组(3.79±1.03)分,且组间相比较差异有统计学意义(P<0.05)。并且C组的疼痛开始减轻时间(2.13±0.97)d及水疱开始结痂时间(3.46±0.78)d均早于A组(5.21±1.17)d、(6.12±0.07)d和B组(4.26±1.29)d、(4.95±1.01)d(P<0.05)。观察发现治疗开始后的第2周及第3周,C组的HZ后遗神经痛(postherpetic neuralgia,PHN)总发生率(16%、6%)显著低于A组(31%、23%)和B组(22%、14%)(P<0.05)。结论半导体激光联合微波治疗老年HZ的疗效显著。

关键词： 废硫酸   工艺研究   半导体   硫酸铵   芯片  

摘要： 通过对芯片、半导体、面板等行业所产生的废硫酸进行脱氟预处理工序,降低废硫酸中的氟含量,然后对脱氟后的废酸进一步试验,研究了pH值和旋转蒸发温度对工业硫酸铵产品中氮含量和游离酸含量的影响。研究表明,较佳的工艺条件为:1 t废酸中投加0.0015 t氢氧化钙和0.0024 t氯化钙进行脱氟,1 t废酸投加0.1262 t氨水进行反应,控制pH值为5,旋转蒸发温度为60℃,可制得符合行业标准HG/T 5744—2020的工业硫酸铵产品,并对其经济效益进行了测算。

关键词： 基础性项目   功率半导体   占地面积   新能源汽车   主体结构   电机控制器   功率模块   浙江平湖  

摘要： 近日,中电二公司承建的嘉兴臻驱半导体施工总承包项目厂房主体结构顺利封顶。嘉兴臻驱半导体施工总承包项目位于嘉兴市平湖市,项目总占地面积约27533平方米、总建筑面积约55936平方米,属于浙江省及平湖经开区重大产业基础性项目。项目建成后将形成年产90万片功率模块、45万片PCBA板和20万台电机控制器的生产能力,在新能源装备领域率先实现功率半导体模块的批量国产替代。公开资料显示,臻驱科技成立于2017年,是一家提供国产功率半导体及新能源汽车驱动解决方案的公司,在上海临港、广西柳州、浙江平湖及德国亚琛(Aachen)等地布局了多家子公司。据悉,臻驱科技采用的是“模块+电控”的垂直整合模式,其车规级碳化硅模块和双电控正式量产上车。目前,臻驱科技正在积极布局碳化硅功率半导体,目标在在未来2~4年形成大批量交付能力。

关键词： 半导体光放大器   明脉冲   暗脉冲   被动锁模   非线性极化旋转  

摘要： 为了解决激光明脉冲在光通信和光纤传感等领域的应用瓶颈,设计了一种基于半导体光放大器(SOA)的锁模光纤环形激光器,该激光器由SOA、偏振控制器、滤波器和起偏器等构成。分析了横电/横磁(TE/TM)模式光场经历SOA时的增益比值和相位差的变化机理,研究了环腔内总色散管理与SOA动态增益的关系,获得了稳定输出的明脉冲和暗脉冲,以及2种类型脉冲的动态演变过程。实验结果表明:当SOA的工作电流为242 mA时,成功获得脉冲重复频率均为14.83 MHz、脉宽为1.1ns的明脉冲和脉宽为0.95ns的暗脉冲,并验证了在相同工作电流时,暗脉冲的强度显著大于明脉冲的强度。

关键词： 半导体企业   芯片制造   先进封装   封装技术   产能建设   设计复杂度   美国商务部   研发激励  

摘要： 今年7月,为进一步加速美国先进封装产能建设,美国商务部宣布推出高达16亿美元的研发激励举措。此前的4月,日本经济产业省为旨在实现尖端半导体国产化的半导体企业Rapidus公司追加提供最多5900亿日元补贴,其中超过500亿日元用于先进封装技术研发。近来,由于先进封装可以大幅提高芯片良率、降低设计复杂度及减少芯片制造成本,已成为美日对华半导体竞争的最前沿。

关键词： 原子层沉积   分子层沉积   半导体   先进工艺   薄膜  

摘要： 原子层沉积是一种气相沉积薄膜的技术,基于表面化学饱和吸附的连续自限反应的机理,薄膜沉积过程可以在各式各样的基底上实现原子级的保形性生长。凭借这一优势,原子层沉积成为半导体先进工艺制程中的重要技术,为实现原子级尺寸和精度的器件工艺提供了重要技术支撑。与传统的化学气相沉积和物理气相沉积不同,原子层沉积在低生长温度下制备的薄膜具有良好的台阶覆盖率、原子尺度上厚度的精准可控性和成分均匀性。分子层沉积是一种类似于原子层沉积的气相沉积技术,它可以精确控制所制备聚合物薄膜的厚度和组成,且同样具有优异的保形性,是一种制备聚合物薄膜的新兴技术。本文首先介绍了原子层沉积的技术原理和特征,然后结合原子层沉积的特征优势列举了原子层沉积在半导体先进工艺制程中应用的例子,包括用于制备高k介质层材料、籽晶层材料、扩散阻挡层材料、间隔层材料、水汽阻隔层材料。后续介绍了分子层沉积技术原理和原子层/分子层沉积组合技术制备的无机-有机杂化薄膜在介电材料和水汽阻隔材料中的应用,最后进行了总结并指出原子层沉积和分子层沉积技术将在芯片器件高端工艺中扮演越来越重要的角色。

关键词： AuPdNaS_(2)   Chemical vapor deposition   Gate tenability   Anisotropic conductance  

摘要： Two-dimensional noble transition metal chalcogenide(NTMC)semiconductors represent compelling building blocks for fabricating flexible electronic and optoelectronic *** binary and ternary compounds have been reported,the existence of quaternary NTMCs with a greater elemental degree of freedom remains largely *** study presents the pioneering experimental realization of a novel semiconducting quaternary NTMC material,AuPdNaS_(2),synthesized directly on Au foils through chemical vapor *** ribbon-shaped morphology of the AuPdNaS_(2)crystal can be finely tuned to a thickness as low as 9.2 *** transmission electron microscopy reveals the atomic arrangement,showcasing robust anisotropic features;thus,AuPdNaS_(2)exhibits distinct anisotropic phonon vibrations and electrical *** field-effect transistor constructed from AuPdNaS_(2)crystal demonstrates a pronounced anisotropic conductance(σ_(max)/σ_(min)=3.20)under gate voltage *** investigation significantly expands the repertoire of NTMC materials and underscores the potential applications of AuPdNaS_(2)in nano-electronic devices.

关键词： 聚苯胺   半导体材料   三乙胺   气敏性能  

摘要： 为了对三乙胺气体进行有效、快捷地检测,通过静置法制备了聚苯胺(PANI)半导体材料,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(FT-IR)等测试方法对PANI半导体材料进行了微观结构及表面形态的表征,并对其气敏特性进行测定。通过对三乙胺气体的测定和分析,发现PANI半导体材料对三乙胺气体的敏感性较其他气体高。结果表明:在270℃的工作温度下,PANI半导体传感器对100×10^(-6)三乙胺的灵敏度为74.6,响应时间为9s,恢复时间为6s。在同种气体氛围和相同的温度条件下,连续6次重复实验,PANI半导体材料仍具有一定的稳定性。

关键词： 慢性牙周炎   半导体激光   牙周功能   炎症因子  

摘要： 目的探讨中、重度慢性牙周炎患者采用半导体激光辅助治疗对其牙周功能和炎症因子的影响,为提升该疾病的临床治疗效果提供依据。方法选取2020年5月至2023年11月广州市番禺区妇幼保健院收治的113例中、重度慢性牙周炎患者,根据随机数字表法分为对照组(56例,牙周基础治疗)与研究组(57例,牙周基础治疗+半导体激光辅助治疗),治疗后两组患者均持续随访3个月。比较两组患者治疗后3个月临床疗效,治疗前及治疗后3个月牙周功能、炎症因子,以及治疗前及治疗后2、3个月龈沟液中螺旋体百分比。结果与对照组比,治疗后3个月研究组患者疗效更高;与治疗前比,治疗后3个月两组患者探诊深度(PD)、临床附着水平(CAL)均缩短,且研究组均短于对照组;治疗后3个月两组患者菌斑指数(PLI)、龈沟出血指数(SBI)评分均降低,且研究组均低于对照组;与治疗前比,治疗后3个月两组患者龈沟液白细胞介素-6(IL-6)、超敏-C反应蛋白(hs-CRP)、肿瘤坏死因子-α(TNF-α)水平均降低,且研究组均低于对照组;与治疗前比,治疗后2、3个月两组患者龈沟液中螺旋体百分比均呈下降趋势,且研究组均低于对照组(均P<0.05)。结论中、重度慢性牙周炎患者采用半导体激光辅助治疗可提高临床疗效,改善牙周功能,降低炎症因子水平和龈沟液中螺旋体百分比。