关键词： 半导体物理   内建电场   能带弯曲   金半接触能带   MIS结构能带  

摘要： 半导体物理课程中PN结、金半接触与MIS结构为常见的几种接触情况,但学生在学习这些接触类型时,常常难以将这几种不同的接触类型做同质化的统一对比分析,不能形成统一的知识体系,造成了理解上的混乱.本文提出一种适用于各类接触情况的能带弯曲统一判断方法,从内建电场的建立会影响载流子的电势能从而产生能带弯曲的角度,为各类接触的能带弯曲提供了统一说法,并从能带中载流子流动的微观角度解释内建电场的形成.此判断方法可帮助学生梳理半导体物理各类接触的知识,从而在能带分析学习中达到举一反三的效果.

关键词： 原始设备制造商   半导体产业   半导体陶瓷   半导体制造设备   部件材料   先进陶瓷   研发制造基地   成功上市  

摘要： 2024年上半年,半导体陶瓷零部件这条赛道很热闹。国家大基金三期落地!“大金主”助力半导体产业8月16日,先进陶瓷国产替代领军者珂玛科技成功上市;8月27日,德智新材半导体用SiC部件材料研发制造基地项目签约无锡;2024年7月9日,SEMI发布报告指出,原始设备制造商的半导体制造设备全球总销售额预计将创下新的行业纪录,2024年将达到1090亿美元,同比增长3.4%;其中,2024年运往中国内地的设备出货金额预计将超过创纪录的350亿美元,全球占比约32%。

关键词： 融资资金   供应链   功率半导体   新能源车   新产品研发   主机厂   持续服务   提供支撑  

摘要： 10月16日,重庆云潼科技有限公司(以下简称“云潼科技”)近日完成B1轮数千万元融资,本轮融资由凯鼎资本暨佛山人才集团完成投资。此次融资资金将主要用于新应用/新产品研发,加速现有产品的量产,为公司持续服务主机厂、助力新能源车供应链国产化和安全提供支撑。

关键词： 供应链管理   半导体企业   企业核心竞争力  

摘要： 供应链管理是现代企业管理最重要的环节之一,对于提升企业核心竞争力具有重要意义。目前,我国半导体产业处于快速发展和赶超阶段,供应链管理不完善是制约大部分企业快速发展的影响因素之一。论文以某国际领先半导体企业M集团公司为例,从供应商管理、内部供应链优化、外部供应链整合、智慧供应链构建以及供应链质量管理等角度,剖析M集团公司现代供应链管理策略和经验,以期对我国半导体企业尤其是半导体中小企业的发展起到一定的启示和借鉴作用。

关键词： AuPdNaS_(2)   Chemical vapor deposition   Gate tenability   Anisotropic conductance  

摘要： Two-dimensional noble transition metal chalcogenide(NTMC)semiconductors represent compelling building blocks for fabricating flexible electronic and optoelectronic *** binary and ternary compounds have been reported,the existence of quaternary NTMCs with a greater elemental degree of freedom remains largely *** study presents the pioneering experimental realization of a novel semiconducting quaternary NTMC material,AuPdNaS_(2),synthesized directly on Au foils through chemical vapor *** ribbon-shaped morphology of the AuPdNaS_(2)crystal can be finely tuned to a thickness as low as 9.2 *** transmission electron microscopy reveals the atomic arrangement,showcasing robust anisotropic features;thus,AuPdNaS_(2)exhibits distinct anisotropic phonon vibrations and electrical *** field-effect transistor constructed from AuPdNaS_(2)crystal demonstrates a pronounced anisotropic conductance(σ_(max)/σ_(min)=3.20)under gate voltage *** investigation significantly expands the repertoire of NTMC materials and underscores the potential applications of AuPdNaS_(2)in nano-electronic devices.

关键词： 集成电路   先进封装   技术创新   网版印刷  

摘要： 以半导体先进封装技术中的SiP、IGBT、Chiplet、SiC、AMB等为实例,介绍了新网版印刷技术在其中的工艺、作用及技术创新。

关键词： 半导体激光器   长外腔   光反馈   相位噪声抑制   线宽压窄  

摘要： 窄线宽激光器是光谱学和精密计量学等实验的基本组成部分。由于半导体激光器对外部光学反馈十分敏感,所以可以利用光反馈的高带宽抑制半导体激光器的相位噪声,进而压窄线宽。本文采用光纤布拉格光栅作为反馈元件,搭建了长外腔反馈回路。为了降低外界环境温度起伏和气流扰动的影响,对反馈光路的光纤控温,使得1小时内最大温度起伏从0.039℃降低到0.003℃。此外,测试了反馈带宽对激光线宽的影响,尽管实验所用光纤布拉格光栅的带宽远大于自由运转的激光线宽,但仍然可以观察到激光线宽被压窄,且光纤光栅的带宽越小,激光线宽越窄。对于此现象,分析认为在反馈回路中应该存在一种负反馈机制,可以将激光线宽稳定到反馈光谱的某个斜率处,所以光纤光栅的反馈带宽越窄,反馈光谱的斜率越大,反馈越灵敏。通过调整光纤光栅的反馈功率在0~1 mW范围内改变,观察到当反射功率为0.8 mW时,光反馈将激光线宽从自由运转的100.5 kHz压窄到最窄的11.5 kHz,0.2 kHz~2 MHz范围内的相位噪声降低约20 dB。

关键词： 二维材料   密度泛函理论   铁磁性   铁弹性   磁弹耦合  

摘要： 同时具有铁磁性与铁弹性的二维材料为磁性控制提供了全新机制,即通过切换材料的铁弹态控制磁化方向.源自半填充3d轨道的大磁矩和自发结构极化,使单分子层MoTeX(X=F,Cl,Br,I)成为潜在的磁弹性多铁材料.本文基于第一性原理计算,系统地研究了单分子层MoTeX (X=F,Cl,Br,I)的铁磁性、铁弹性以及磁弹耦合性质.计算结果表明单分子层MoTeX为本征半导体,同时具有铁磁性和铁弹性.单分子层MoTeX的面内磁晶各向异性能显著,较高的磁晶各向异性能表明其具有抵抗热扰动的能力,能在有限温度下维持长程磁有序.另外,单分子层MoTeX的易磁化轴均沿着平面内方向.单分子层MoTeX在铁弹性转变过程中表现出相同幅度但符号相反的平面内磁各向异性能,意味着面内易磁化轴随铁弹态的转换旋转了90°.另外,其铁弹转换势垒(0.180—0.226 eV/atom)适中,表明单分子层MoTeX在室温下的可逆铁弹性转换和平面内易磁化轴的可逆转换.本文提出了一种二维本征多铁半导体材料,为多功能自旋电子器件提供了新候选材料.

关键词： Molecular beam epitaxy  

摘要： Optical properties of wide band-gap semiconductor ZnMgSTe have been investigated. ZnMgSTe thin film crystals were grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy. It was found that ZnMgSTe thin films exhibit relatively strong photoluminescence as compared to ZnSTe thin films. It was also found that the luminescence mechanism in ZnMgSTe is similar to that in ZnSTe and related to Te iso-electronic traps. The enhanced luminescence with Mg incorporation may be due to the fluctuation in microscopic composition of Zn and Mg. © 2024 Society of Materials Science Japan. All rights reserved.

标准号: GB/T 44558-2024

摘要： 本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。