关键词： 半导体行业废水   处理工艺   废水再生   膜污堵  

摘要： 随着中国半导体行业的高速发展,该行业的生产过程中纯水使用量和废水排放量不断增加。本文对半导体行业废水的特性和主要废水类型进行了系统梳理,对各种废水处理方法及其优缺点进行了总结,并探讨了废水再生工艺和其中的膜污堵机制及解决措施。最后,本文展望了半导体行业废水处理和再生方面的未来发展。

关键词： 半导体激光器   驱动电路   压控电流源   SPICE仿真   气体传感器   电调制   环路增益  

摘要： 为了提高激光器的工作可靠性和稳定性,借助TINA-SPICE软件对其驱动电路进行辅助设计,并通过电调制和光电检测系统实验检验设计效果。对驱动器的恒流输出电路的幅频特性和瞬态响应进行仿真,预测潜在的电流振荡现象,并提出一种用于补偿环路增益的易用方案。通过对比补偿前后的仿真曲线,验证了该方案的可行性。在此基础上,以STM32H743作为中央处理核心,通过触摸屏图形化设置和监测驱动电流参数,从而调度激光器驱动电路的运行。在296 K环境温度下,利用该电路进行半导体激光器电调制特性实验,通过拟合波长与电流得到调制系数为0.045 cm-1/mA。进一步地,将该控制器引入基于红外光谱吸收技术的气体传感系统,完成了对甲烷气体的定量分析。分析结果表明,所设计的电路能稳定地驱动激光器并实现对波长的精准调制,获得的气体传感系统的检测下限低于8 ppm。

关键词： 智能计量装置   5G通讯   碳化硅   多孔碳管   数值模拟   传热传质  

摘要： 为提高5G通讯关键半导体材料碳化硅的生长速率提出了一种新的思路,对碳化硅晶体制造的关键技术物理气相运输法进行研究,通过构建包含热场、流场以及多孔介质在内的多物理场,分析了碳化硅生产过程中的流动及传热传质情况,同时提出了一种改进式的坩埚结构,在坩埚中心增加若干多孔碳管。计算结果表明,新坩埚结构能够提高坩埚中心粉源温度,并有利于多孔粉源内部的碳化硅气体逸出,提高籽晶表面的过饱和度,进而提高晶体生长速度。

关键词： S型异质结   氧化钨   半导体   光催化  

摘要： 随着严重的污染问题和能源枯竭问题得到重视,光催化能源技术开始得到研究工作者们的重视。其中基于WO_(3)的金属氧化物光催化剂,拥有优秀的物化性能而得到密切关注。但WO_(3)的电荷载流子的复合率大和导带边缘位置小的缺点限制了WO_(3)光催化性能的进一步提高。但科研工作者们通过构建新型的S型异质结,实现了解放WO_(3)的新路径。因此,本文介绍了WO_(3)基S型异质结的设计理念、表征办法、制备策略。除此之外,还对近期的应用方向进行了总结报告,并对将来的研究方向进行了展望。

关键词： 高功率电子半导体   全IMC微焊点   多场耦合模拟  

摘要： 功率半导体高度小型化、智能化和集成化的发展趋势对半导体封装材料的耐温能力提出了新的挑战。将传统低熔点的Sn基微焊点转变为高熔点的Cu6Sn5金属间化合物微焊点进而构建新型耐高温微焊点阵列,成为目前功率半导体封装领域的研究热点。基于Comsol商用有限元仿真软件,可以针对功率半导体新型Cu6Sn5金属间化合物封装微焊点开展电-热-结构多物理场耦合仿真研究。研究解析了新型微焊点在室温和循环变温两种典型服役条件下的电场、热场及结构场分布,提出新型微焊点的潜在失效方式并建立了相应可靠性评价方法,仿真结果对于Cu6Sn5金属间化合物封装微焊点在功率半导体的实用应用具有重要指导意义。

关键词： 12寸超纯水系统   两床三塔   抛光树脂   膜脱气   终端超滤  

摘要： 文章介绍了江苏某12吋半导体芯片项目工厂超纯水系统的工程设计与运行情况。该系统共分三个工艺段,采用两床三塔离子交换预处理、RO反渗透及混床离子交换工艺的纯水后段制备系统、抛光混床以及膜脱气和终端超滤的抛光精处理系统,确保产水水质达到电子级高纯度纯水使用需求。该系统水平衡完整,满足同时考虑处理水量和自用水量,并且通过小流量循环的方式,能够适应用水量波动,有效降低系统能耗和药剂消耗的同时提升了整套系统超纯水供水的稳定性。系统在连续运行期间,超纯水离子浓度第三方检测合格,电阻率、颗粒度、TOC、DO、SiO2等指标连续在线监测合格,达到系统设计和使用要求。

关键词： 科技型企业   研发制造   碳化物陶瓷   部件材料   CVD技术   半导体   SiC材料   经开区  

摘要： 8月27日,半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区。湖南德智新材料有限公司专注于半导体用碳基及碳化物陶瓷部件材料研发、生产和销售,是国内最早采用CVD技术研发制造先进半导体用SiC材料的科技型企业之一,拥有国内领先的技术。

关键词： 企业价值评估   半导体企业   高新技术产业  

摘要： 在产业数字化结构调整、AI技术极速发展的当今时代,各行业对算力的要求越来越高,涌现出无数算力缺口。在此情景下,半导体行业发展的重要程度日益提高。但与传统企业相比,半导体企业的价值评估领域仍不够完善,作为仍处于快速发展期的新兴产业,半导体企业的准确价值评估面临新的要求。本文针对半导体行业的特征进行分析,结合传统的价值评估方法,梳理半导体企业现有的价值评估方法,并提出未来研究方向。

关键词： 硅棒   半导体   籽晶   开槽   锥面  

摘要： 介绍了一种半导体用区熔硅晶棒外圆开槽磨锥专用磨床的基本布局,对加工零件和机床内关键技术及主要部件做了重点说明。通过对区熔硅硅棒磨削工艺的研究、编辑磨削工艺和实现机床自动磨削等方法,证明了所采用的区熔硅晶棒外圆开槽磨锥专用磨床,用于磨削区熔硅晶棒外圆、矩形槽和锥面可以收到理想的效果。

关键词： 逻辑互补电路   有机场效应晶体管   双极性有机半导体   萘二酰亚胺-插烯四硫富瓦烯   核扩展   能级调控  

摘要： 与p-型和n-型有机半导体相结合的方法相比,双极性有机半导体在构筑逻辑互补电路方面具有明显优势,然而,目前综合性能优良的双极性有机半导体仍较为缺乏.通过能级调控策略,设计合成了五个苯并六元氮/氧/硫杂环核扩展的萘二酰亚胺-插烯四硫富瓦烯(NDI-VTTF)衍生物1~5,并对其底栅顶接触结构的有机场效应晶体管(OFET)器件性能进行了研究.结果表明化合物1~5均具有双极性载流子传输特性,其中化合物1,3~5是电子传输主导的双极性有机半导体,而化合物2是电子和空穴传输性能平衡的双极性有机半导体.得益于热退火处理对薄膜结晶性的提高和微观形貌的改善,基于化合物1~5的薄膜OFET器件的迁移率均随热退火温度的升高而增大,其中基于化合物2的薄膜OFET器件经180℃热退火后的电子和空穴迁移率分别达到0.037和0.050 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1).