关键词： 超快光学   极紫外光源   成像检测   半导体  

摘要： 近些年,随着光刻技术进入极紫外光刻,相关的技术研究对极紫外光源的需求大幅度增长。基于高次谐波的超快极紫外光源成为一种重要的极紫外光刻技术研究工具,同时基于这种超快极紫外光源在光刻和半导体检测中的应用研究也在快速发展。回顾了近些年高重复频率高亮度的高次谐波超快极紫外光源的发展以及其在极紫外光刻和半导体检测方面的一些应用。随着高重复频率激光技术的发展,高次谐波方法已可以在极紫外波段产生功率高达12.9 mW的单次谐波,大大拓展了其应用范围。由于高次谐波具有很高的亮度、超宽的光谱和非常好的相干性,目前在相干衍射成像、相干散射成像等方面具有广泛的应用前景,比如在掩模检测中可观测到最小达到2 nm的线缺陷,有望实现晶体管的三维(3D)纳米尺寸量测等。

关键词： 电路与系统   功率半导体   宽禁带半导体材料   战略机遇期   射频器件   快速充电   太赫兹   技术瓶颈  

摘要： 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga_(2)O_(3)为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。

关键词： 功率半导体   融资总额   股权投资   董事会   领投  

摘要： 9月6日,据成都岷山先进技术研究院官微消息,近日,成都复锦功率半导体技术发展有限公司(以下简称“复锦功率半导体”)完成A轮融资,融资总额为5000万,由湖北晟贤股权投资有限公司(以下简称“湖北晟贤”)领投,同时湖北晟贤也将加入复锦功率半导体的董事会。

关键词： 制程排气   附着液   腐蚀   压力  

摘要： 针对制程排气[1]附着液出现的各种问题,为保证工艺机台正常运行不受其影响而进行分析。附着液问题主要包括化学品附着液腐蚀、酸碱处理设备药液腐蚀、风管外壁冷凝液等。以上问题成因,解决措施为今后半导体工程制程排气建造具有指导意义。

关键词： 半导体聚合物   碳量子点   平面异质结   有机光电晶体管   电荷分离  

摘要： 采用二酮吡咯并吡咯基半导体聚合物PDVT-10与新型碳纳米材料碳量子点(CQDs)复合,通过溶液法制备了平面异质结薄膜有机光电晶体管(OPT)。PDVT-10/CQDs薄膜叠加了PDVT-10和CQDs的光学特性,在紫外至近红外的宽频范围显示了很高的光吸收能力。相较于纯PDVT-10光电晶体管,PDVT-10/CQDs平面异质结OPT展现出更优异的宽谱光电探测性能,在450 nm激光照射下,器件的光响应度达2.6×10^(4)A/W,比探测率达2.4×10^(13)Jones,最大光灵敏度超104;在808 nm光照下,光响应度甚至高达4.4×10^(4)A/W,比探测率达1.2×10^(13)Jones。根据OPT光响应过程的探究,PDVT-10/CQDs异质结器件的性能提升源于界面处合适的能级排布增强了激子的解离效率、促进电荷分离,并有效减少了空穴-电子复合几率,同时PDVT-10高空穴迁移率有助于形成高效的电荷传输通路。研究为发展高性能有机光探测器件中提供了一条重要途径。

关键词： 绝缘体   硅功率半导体   单芯片   集成技术  

摘要： 绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术是目前制作芯片的主要技术之一,使用该项技术生产的芯片体积小、损耗低,虽然技术难度高,但是在单封装形式下,智能功率大幅提升。通过对半导体单芯片的介绍,分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺模式及集成工艺平台,并利用发射极、漂移区、集电极优化技术,通过检测半导体单芯片的可靠性、稳定性以及灵敏度,测试绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术的应用效果。

关键词： 半导体激光器   垂直外腔面发射半导体激光器   增益芯片   应变量子阱  

摘要： 针对目前激光医疗、食品药品检测等领域对橙黄色激光的应用需求,开展了高功率基频光1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)研究。提出激光谐振腔内大尺寸基模光斑外腔结构,使VECSEL腔内模式匹配较大泵浦光斑尺寸,实现了高功率激光输出;提出增益峰-腔模失谐结构,增益峰与腔模温漂系数不同,高泵浦功率下具有良好的增益峰-腔模匹配,实现高泵浦功率工作下的激光波长稳定控制。制备的VECSEL器件在1150 nm激光波长的输出功率达到9.38 W,并获得良好的圆形对称的输出光斑形貌,光斑在正交方向上的发散角分别为7.3°和7.5°。

关键词： 低维材料   半导体   激光器   激光阈值  

摘要： 激光自问世以来发展迅速,为传统光学技术注入新的活力,并极大地推动自然科学的进步。相比于传统半导体材料,湿法制备的低维半导体材料因其独特的电子结构和可溶液处理特性,在低成本、高性能以及可调谐激光领域中展现出广阔的应用前景。目前,基于低维半导体材料的连续光泵浦激光已陆续被报道,并且在通往该类光增益介质应用于电泵浦激光的研究上也取得一定进展。基于此,以湿法制备的低维半导体材料作为增益介质制备的激光器为主题展开综述,重点介绍基于低维半导体材料的光泵浦和电泵浦激光器的研究进展以及存在的问题,涉及的增益介质主要包括传统III-V、II-VI族无机半导体和钙钛矿材料。最后,对湿法制备的低维纳米材料作为激光介质的未来前景进行展望。

关键词： 半导体行业   职业伤害   职业危害   危害控制   职业卫生防护   防护设计   应对措施   防护措施  

摘要： 随着半导体产业的发展,员工的职业健康要求也随之提高,为了防范职业危害风险,建设初期,需做好防护设计、评价以及职业危害基础防护措施,将危害控制到最低水平,运行后需不断提升半导体行业企业的职业卫生防护意识及管理水平,提高职业安全的等级,避免产生职业伤害的可能性。

关键词： 国产替代   半导体材料   同源性技术   机会窗口   动力机制  

摘要： 半导体材料国产替代是打赢关键核心技术攻坚战、实现高水平科技自立自强的重要任务之一。本文围绕日益增长的半导体材料国产替代需求与中小型企业缺乏与之相适应的国产替代模式这一突出矛盾,以湖北鼎龙为对象展开纵向案例研究,有力揭示了半导体材料后发企业实现国产替代的创新模式与实践路径。研究发现:第一,不同于传统集成创新型和生态导向型国产替代模式,同源性技术创新是湖北鼎龙实现国产替代的关键,其创新过程为中小型专精特新企业突破资源禀赋约束和开展国产替代提供了有效路径。第二,湖北鼎龙国产替代的机会窗口以“技术机会窗口—制度机会窗口—需求机会窗口”的顺序逐次打开,并推动了同源性技术“初始积累—跨界应用—深度转化”。第三,对内外部资源利用方式的结构性调整塑造了湖北鼎龙不同阶段的国产替代动力机制,这也是其实现“技术奠基—单点突破—多维突破”国产替代过程演化的关键。本文围绕模式创新和“机会窗口—同源性技术—动力机制”动态关联视角,填补了当前关键核心技术国产替代理论与机制研究的缺口,为科技封锁背景下我国关键材料后发企业国产替代提供了典型经验。