关键词： 超纯水   超纯水制备系统   配送点   微纳气泡   微粒子   激光粒子计数器  

摘要： 微粒子是半导体超纯水中核心的微污染控制指标,在线监测100nm和50nm粒子数浓度成为保障12英寸半导体生产工艺用水的关键措施。在超纯水制备系统的配送点(POD),激光粒子计数器(LPC)发生监测报警,影响了制备系统的运行和工艺设备的生产预警。研究简述了超纯水中颗粒物对半导体生产工艺的影响,分析了微纳气泡(MNBs)被光感应器累计测量导致计数器误判报警的原因。通过采样解吸系统(SDS)的中试试验,消除了气泡颗粒形成的83%的粒子浓度干扰,还原了真实的在线检测值(平均粒子浓度0.06pcs/mL),为半导体工厂湿法清洗的质量监控提供了稳定保障。

关键词： 遞延效果   研發投入   經營績效   半導體產業  

摘要： 研究发展支出为企业累积创新能力的重要投入，但对於企业的经营绩效未必会有立即性的效果。本研究以2007－2021年上市柜半导体产业之企业财务资料作为研究对象，透过固定效果模型（fixed effect model）与系统性一般化动差法（system generalized method of moments）两种分析方法，探讨我国半导体业之研发投入与经营表现之递延效果及其时间长短。实证结果确认我国半导体业研发投入对资产报酬率（return on assets）存在递延效果，且具一定之延续性；正向效益约可持续1至3年。

关键词： 脉冲功率技术   脉冲功率半导体开关   MOS栅控晶闸管   电压控制   重复脉冲  

摘要： 近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展,同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件,阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况,并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势,对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。

关键词： 功率半导体   能源短缺   产品线   全球性挑战   气候变化   环境污染   能源变革   东芝  

摘要： 在能源短缺、环境污染和气候变化成为全球性挑战的当下,电力电子行业作为推动能源变革的关键力量,正以前所未有的速度发展。作为这一领域的先锋企业,东芝半导体(以下简称“东芝”)凭借其在电力电子行业的深厚积累,为全球市场提供了众多高性能、高可靠性的功率半导体产品。

关键词： TDLAS   半导体激光器   温度控制   多级积分分离PID  

摘要： 由于TDLAS(可调谐激光吸收光谱)技术中半导体激光器工作温度直接影响气体浓度检测准确度。为实现气体浓度高精密检测,采用多级积分分离PID控制算法设计了一种用于TDLAS的半导体激光器温度控制系统。实验结果表明,多级积分分离PID控制算法在提高温度控制系统响应速度、提高系统精度和稳定性、减小超调等方面具有优势。温度控制系统在10℃~40℃温控范围内,温控精度优于±0.03℃,并在148 s内达到设定温度,温控超调量小于2.5%,设计满足TDLAS气体浓度检测要求,为实现气体浓度高精密检测奠定了基础。

关键词： 钙钛矿   光电效应   半导体   太阳能电池   光电探测器   光电二极管  

摘要： 发展可再生能源替代传统能源是维持生态可持续发展的有效手段,其中太阳能当之无愧是可再生能源中的佼佼者。明星材料“钙钛矿”因其独特的光电性质在半导体材料领域发展迅猛。重点对钙钛矿的晶体结构进行了分析,同时总结了钙钛矿薄膜的制备技术及其应用,为未来钙钛矿的发展提供参考。

关键词： 半导体设备   半导体材料   产业园   智造   半导体专用设备   核心部件   浙江  

摘要： 8月23日,浙江大和半导体产业园——半导体专用设备智造项目开工奠基仪式在常山举行。据悉,浙江大和半导体产业园半导体专用设备智造项目由浙江富乐德半导体材料有限公司投资,该项目建设主要用于半导体设备核心部件生产、部套装配。

关键词： 半导体物理   三全育人   课程思政   教学改革  

摘要： 课程思政是新发展形势下高校开展“三全育人”的具体实践,是构建全课程育人体系、形成协同效应的重要途径。《半导体物理》作为电子科学技术专业核心课程,为学生从事半导体行业的工作打下坚实的理论基础。本文主要介绍了《半导体物理》课程思政建设过程中思政元素的挖掘、教学设计与课堂实施、师资队伍建设与课程评价体系四个方面的探索与实践。实践证明,课程思政建设在知识传递的过程中有效提高课堂效率,实现能力培养和价值引领,有利于培养堪当民族复兴大任的时代新人。

摘要： 页面尚无资料

关键词： 行业变革   功率半导体   芯片生产   英飞凌科技   突破性技术   首项   晶圆  

摘要： 英飞凌科技股份公司最近宣布,已成功开发出全球首项300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于200mm晶圆,300mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进,也因为晶圆直径的扩大,每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍,效率也显著提高。