关键词： 充电时间   充电桩   新能源汽车   功率模块   充电效率   驾驶体验   碳化硅   高压大功率  

摘要： 充电桩采用碳化硅模块可以增加近30%的输出功率,减少50%的损耗。目前在充电桩领域,碳化硅应用处于快速增长阶段,预计到2025年将提升至35%,市场规模将达200亿元。近年来,充电时长已经成为影响新能源汽车驾驶体验的关键因素,市场对提高车辆充电速度的需求变得越来越迫切。高电压和大电流都可缩短充电时间,但考虑到铜线损耗的因素,高压大功率比大电流方案更有效率。

关键词： 微机电系统   半导体   气体传感器   检测方法  

摘要： 为解决微机电系统半导体气体传感器检测自主性大,一致性欠缺等问题,对传感器进行全面评价,促进性能进行,本文针对其检测方法进行了研究,检测项目包括传感器检测误差、漂移、温湿度影响试验、振动跌落试验、长期稳定性试验等通用项目,以及功率、传感器检测下限、响应时间和恢复时间等传感器特有性能参数。

关键词： 电路与系统   宽禁带半导体材料   功率半导体   原创性研究   专题栏目   太赫兹   Ga2O3   射频器件  

摘要： 近年来,以SiC、GaN、金刚石、Ga2O3为代表的宽禁带半导体在功率、射频器件方面展示出重要的研究价值,并在5G通信、汽车电子、快速充电等方面展现出了广阔的应用前景。抓住研发宽禁带功率半导体的战略机遇期,解决宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成中的关键技术瓶颈,具有极为重要的科学意义与实际价值。为进一步促进宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成等领域的新理论、新技术、新方法的创新研究,促进全国宽禁带半导体行业的相互交流、学习借鉴,《太赫兹科学与电子信息学报》计划推出“宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成”专题栏目,现特向广大专家学者征集符合该专题方向的原创性研究论文及综述,旨在集中反映该领域最新的研究成果及研究进展。

关键词： 集成门极换流晶闸管   绝缘栅双极型晶体管   大功率晶闸管   半导体   组件技术   咽喉要道   IGCT   集成设计  

摘要： 一款过硬的特种产品、一项关键的核心技术,很可能就是让一家企业陷入僵局的杀着,或者扼守一个产业发展的“咽喉要道”。围绕着半导体“卡脖子”领域,株洲中车时代半导体(以下简称“中车时代半导体”)从满足国产需求,到开始向全球输出产品,夺取市场份额。中车时代半导体成立于2019年,是中车时代电气股份有限公司下属全资子公司。目前,中车时代半导体负责中车时代电气股份的半导体产业经营,成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT (集成门极换流晶闸管)、IGBT (绝缘栅双极型晶体管)及SiC (碳化硅)器件及其组件技术的IDM (集成设计制造)模式企业代表。

关键词： 锑化物   应用   半导体   纯化工艺   展望  

摘要： 锑化物被誉为“第四代半导体”材料的核心技术,具备制造成本低、体积小巧、效率高、性能稳定和使用寿命长等优势,使其在激光器领域具有不可替代的地位,尤其是锑化物激光器,因其优越的性能,被广泛应用于各种苛刻环境中。作为一种引领未来的关键技术,锑化物激光器的发展前景和市场空间巨大,全球各国都在积极研究和发展,竞争激烈。基于此,本文主要介绍了三烷基锑的基本性质、在半导体材料中的作用及其纯化工艺,并展望了未来发展趋势。

关键词： 光电探测器   紫外   窄禁带半导体   泄漏模式共振   厚度依赖的吸收系数  

摘要： 紫外光电探测器具有比可见和近红外光电探测器更低的背景噪声、更高的灵敏度和更强的抗干扰能力,广泛应用于光学成像、安全监测、空间探测等领域。近年来,窄禁带半导体微纳结构在紫外甚至日盲紫外探测领域脱颖而出。本文介绍了两类半导体微纳结构(超细纳米线、超薄纳米片)中光吸收特性随材料特征尺寸的变化,揭示了窄禁带半导体应用于紫外探测的工作机理,综述了基于窄禁带半导体微纳结构的紫外光电探测器的研究进展,并对发展趋势进行了展望。与宽禁带半导体和Si基紫外光电探测相比,窄禁带半导体微纳结构提供了一种工艺条件更简单、制造成本更低的紫外光电探测方式。

关键词： IPO   政策红利   半导体行业   港股   上市门槛   排队   新股   A股  

摘要： 自去年8月份以来,随着A股新股审核放缓和上市门槛提高,叠加香港地区资本市场进入政策红利期,吸引众多公司奔赴港股,“A转H”上市热度回升。据集微网不完全统计,今年上半年,已超过130家企业排队申请香港地区上市,其中部分公司从A股转战港交所IPO,且包括多家半导体公司。

关键词： 可拉伸半导体   二苯甲酮   光交联   机械性能  

摘要： 有机半导体材料因具备良好的溶液加工性以及优异的电荷传输性能,在柔性器件中展现出广阔的应用前景。本文介绍了一种制备可拉伸半导体材料的方法。该方法利用二苯甲酮光引发将3,6-二噻吩-2-基-2,5-二氢吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-二酮基共轭聚合物(4Si)与聚二甲基硅氧烷进行光交联,研究了聚合物薄膜交联前后的电学性能和机械性能变化。结果显示,与未交联的4Si以及共混薄膜相比,交联薄膜的电学性能略微下降,但是机械性能得到了提升,起始裂纹应变由30%增加到50%。在100%的应变下,交联薄膜在平行应变方向上的迁移率为0.36 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),是初始迁移率的1.44倍。

关键词： 半导体   肖特基结   热电子发射   势垒  

摘要： 本文利用经典的热电子发射模型,探讨了在三维、二维和一维情况下半导体肖特基结中热电子发射电流推导的公式及其表达式的演变关系.这些拓展的公式可以广泛应用于当前研究热点——低维半导体中的界面势垒提取和分析,并有助于促进学生对半导体知识的理解以及对相关科学研究和分析手段的融合运用.

关键词： 半导体芯片   科研生产   数字档案   建设路径   信息化  

摘要： 基于半导体芯片科研行业的档案特点,文章从档案资料的有效监督、与主营业务信息系统的集成深度和档案数据归档、检索利用水平等方面讨论了企业数字档案馆建设中存在的问题及矛盾。同时,结合半导体芯片科研生产行业和信息技术的发展现状,从档案资料的电子分发、归档范围、归档模式、业务系统衔接、特殊格式数据检索方案等方面论述了企业数字档案馆的建设实践,以期为半导体芯片科研生产行业的数字档案馆建设提供信息化发展建议。