关键词： Flexible nanoimprint lithography   Bioinspired   Micro-and nano-manufacturing   III-nitride epitaxy   Optoelectronic devices  

摘要： III-nitride materials are of great importance in the development of modern optoelectronics,but they have been limited over years by low light utilization rate and high dislocation densities in heteroepitaxial films grown on foreign substrate with limited refractive index contrast and large lattice ***,we demonstrate a paradigm of high-throughput manufacturing bioinspired microstructures on warped substrates by flexible nanoimprint lithography for promoting the light extraction *** design a flexible nanoimprinting mold of copolymer and a two-step etching process that enable high-efficiency fabrication of nanoimprinted compound-eye-like Al2O3 microstructure(NCAM)and nanoimprinted compound-eye-like SiO_(2)microstructure(NCSM)template,achieving a 6.4-fold increase in throughput and 25%savings in economic costs over stepper projection *** to NCAM template,we find that the NCSM template can not only improve the light extraction capability,but also modulate the morphology of AlN nucleation layer and reduce the formation of misoriented GaN grains on the inclined sidewall of microstructures,which suppresses the dislocations generated during coalescence,resulting in 40%reduction in dislocation *** study provides a low-cost,high-quality,and high-throughput solution for manufacturing microstructures on warped surfaces of III-nitride optoelectronic devices.

关键词： 第三代半导体   供应链   本土化策略   区域合作  

摘要： 进入21世纪以来,随着对半导体材料研究的深入,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等第三代半导体材料开始崭露头角,因其具有更宽的禁带宽度、更高的导热率,更高的击穿电场、以及更强的抗辐射能力等优势,占据着市场的主导地位。为了促进宁波市第三代半导体产业的发展,增强竞争力,文章基于宁波市第三代半导体的产业现状,探析宁波市第三代半导体材料供应链本土化策略。宁波市是国家自主创新示范区,宁波市的第三代半导体材料供应链本土化示范作用对于提高我国制造业的高质量发展和核心技术自主可控具有重要意义。

关键词： 消费电子   科特   盘点   半导体   板块   A股   市场  

摘要： 盘点最近资本市场上最火的词汇,“科特估”必居其一。过去一段时间里,大盘持续调整,很多板块接连下跌,被ST的小微盘股更是一个接一个,让无数投资者叫苦不迭。然而在此期间,以半导体、消费电子为代表的科技板块却逆势上涨,成为A股为数不多的亮点板块,这也让市场关于“科特估”的讨论多了起来。

关键词： 半导体   质量   改进循环神经网络  

摘要： 在复杂的半导体生产过程中,为了减少成本、缩短周期,须优化质量检测过程。本文对半导体的生产特点进行分析,结合数据预测的深度学习理念,构建基于长短期记忆网络(Long Short-Term Memory,LSTM)的质量预测模型。与基础预测模型相比,该模型考虑在复杂加工过程中使用的不同工具,引入工具识别模块。改进后的模型提高了质量预测的准确性和预测能力。对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的生产数据进行验证,本文方法预测结果更接近真实值,均方根误差(Root Mean Square Error,RMSE)和平均绝对误差(Mean Absolute Error,MAE)2类指标均大幅度降低。

关键词： 金属-半导体异质结   肖特基势垒   肖特基接触   欧姆接触   物理场调控  

摘要： 金属-半导体异质结(MSJ)是研发新型器件的基础.本文考虑利用不同相的金属H-和T-NbS_(2)与半导体GeS_(2)组成不同的二维范德瓦耳斯MSJ,并对它们的结构稳定性、电子特性以及电接触性质进行深入研究,重点在探索MSJ电接触性质对不同相金属的依赖关系.计算的结合能、声子谱、AIMD模拟以及力学性质研究表明,两异质结高度稳定,可实验制备,且用于电子器件设计可行.本征态H-NbS_(2)/GeS_(2)和T-NbS_(2)/GeS_(2)异质结分别形成了p型肖特基接触和准n型欧姆接触.同时发现它们的肖特基势垒高度(SBH)和电接触类型可以通过外加电场和双轴应变来有效调控.例如,对于H-NbS_(2)/GeS_(2)异质结,无论施加正/负电场或平面双轴压缩,均能实现欧姆接触,而T-NbS_(2)/GeS_(2)异质结,仅在施加负电场时,才能实现欧姆接触,但需要的负电场很低,平面双轴拉伸能导致其实现准欧姆接触.也就是说,当以半导体GeS_(2)单层为场效应晶体管沟道材料,与不同相的金属NbS_(2)接触形成MSJ时,其界面肖特基势垒有明显区别,且在不同情形(本征或物理调控)中各有优势.所以,本研究对于理解H(T)-NbS_(2)/GeS_(2)异质结电接触的物理机制具有重要意义,特别是为如何选择合适金属电极以研发高性能电子器件提供了理论参考.

关键词： 射波刀(CK)   二维半导体矩阵(SRS MapCHECK)   质量保证(QA)   γ通过率  

摘要： 目的:利用二维半导体矩阵(SRS MapCHECK)剂量验证系统对射波刀(CK)临床治疗患者计划进行剂量验证,通过对其γ通过率的分析实现肿瘤患者放疗计划的个体化快速验证。方法:选取2021年3月至2023年5月解放军总医院第一医学中心接受CK临床治疗的253例肿瘤患者,CK治疗中头部肿瘤患者121例,肺部肿瘤患者30例、腹部及其他转移肿瘤患者102例,在MultiPlan治疗计划系统中通过计划影像中心重合的方式将患者计划映射至StereoPHAN模体与SRS MapCHEC剂量验证系统组成的一体化模体上,在保证射束数量、方向及机器跳数一致性基础上对每例患者计划进行剂量验证。采用9个不同γ分析标准(1%/1 mm、2%/1 mm、3%/1 mm、1%/2 mm、2%/2 mm、3%/2 mm、1%/3 mm、2%/3 mm和3%/3 mm)对各验证计划进行绝对剂量的全局分析,其中低剂量阈值(TH)设置为10%。结果:253例患者模体验证计划在9个不同分析标准下γ通过率分别为(88.64±5.91)%、(95.43±3.40)%、(97.90±2.06)%、(96.51±2.35)%、(98.15±1.68)%、(99.06±1.12)%、(98.30±1.39)%、(99.09±0.97)%和(99.52±0.63)%;不同部位肿瘤患者除按1%/1 mm标准分析结果外,其他标准γ通过率均>95%。中心点剂量偏差整体分析结果为(-1.30±2.17)%,其中头部肿瘤、腹部及其他转移肿瘤均在-2%左右,而肺部肿瘤在-3%左右;且腹部及其他转移肿瘤偏差最小。Pearson相关性分析显示,靶区体积、最小准直器大小分别与患者整体和头部中心的点剂量偏差均存在一定的相关性。结论:SRS MapCHECK剂量验证系统可简便快捷实现CK治疗患者计划个体化验证。

关键词： 激光器   半导体光放大器   脉冲串激光   激光器种子系统  

摘要： 设计了一种基于半导体光放大器的纳秒脉冲串激光种子源系统。在该系统中,半导体光放大器具有40 dB以上的高消光比,可实现高信噪比的脉冲串激光输出。利用半导体光放大器腔外调制窄线宽连续激光光源,研究了不同重复频率下纳秒脉冲串激光的输出特性,通过调控触发信号实现了子脉冲重复频率为10~100 kHz、子脉冲脉宽为8.6~88.2 ns、单脉冲能量为0.892~6.124μJ的高光束质量1064 nm脉冲串激光输出,最大平均功率为86.4 mW,输出不稳定度为1.66%,横向光束质量因子(M_(x)^(2))和纵向光束质量因子(M_(y)^(2))分别为1.12和1.16。该系统可作为高平均功率纳秒脉冲串激光器的种子源系统。

关键词： 半导体激光器   MMI耦合器   双梯形   电光转换效率  

摘要： 设计并制作了一种含有双梯形多模干涉(DT-MMI)耦合器结构的有源MMI半导体激光器(DTM-LD)。基于双梯形MMI多模波导的自映像分布重构效应,该激光器在保持与传统矩形有源MMI激光器(MMI-LD)相同有源区面积的同时,具有更短的器件腔长,有利于器件电光转换效率的提升。实验制得了双梯形底宽为15μm、腰宽为30μm的DTM-LD器件。在保持有源面积约为3.33×10^(4)μm^(2)的情况下,该激光器件的腔长相比于MMI-LD减小了4.2%。在注入电流为1 A的情况下,DTM-LD的电光转换效率由14.5%提升至16.3%,相对提升了12.4百分点,同时其最高输出功率由355 mW小幅提升至360 mW。当MMI多模波导的宽度减小0.5μm时,相比于MMI-LD,DTM-LD的输出功率损耗由51 mW减小至40 mW,降低了21.6%,这表明DTM-LD具有较低的制造误差敏感性。

关键词： 冷等离子体   半导体纳米晶体   生长动力学   超掺杂   光电性能  

摘要： 冷等离子体已发展成为纳米材料合成领域的重要技术途径.无需化学溶剂和配体,冷等离子体为高品质半导体纳米晶体的生长提供了独特的非热力学平衡环境:等离子体中的高能电子与纳米颗粒碰撞使得纳米颗粒带电,可降低或消除纳米颗粒之间的团聚;高能表面化学反应能够选择性地将纳米颗粒加热到远超环境气体温度的温度;气相中生长物和固相纳米颗粒表面结合物之间化学势的巨大差异,有利于实现纳米晶体的超高浓度掺杂.本文综述了冷等离子体合成半导体纳米晶体的研究现状,详细讨论了冷等离子体中纳米颗粒形核、生长和晶化的基本原理,总结了冷等离子体在单元素、化合物和复杂核壳结构纳米晶体方面的研究进展,特别强调了冷等离子体在纳米颗粒尺寸、形貌、结晶状态、表面化学和组分等性能调变上的技术优势,概述了超掺杂纳米晶体呈现的新颖物性,展望了冷等离子体技术在纳米晶体合成领域的应用前景.

关键词： 可调谐半导体激光吸收光谱   高超声速风洞   流场诊断   温度   浓度   速度  

摘要： 高超声速风洞在航空航天领域占据着不可替代的作用。可调谐半导体激光吸收光谱技术(TDLAS)是一种具备非接触、灵敏度高、多参数测量、结构简单、价格低廉和高时空分辨等优点的流场诊断手段,被广泛应用于高超声速风洞等极端环境的温度、组分浓度、气流速度等参数测量。介绍了TDLAS技术的测量原理以及典型的光路设计,总结了近几年来国内外在高超声速风洞流场诊断中开展TDLAS应用的实例,最后概述了国内在高超声速风流场应用TDLAS诊断的发展水平以及还存在的相关问题,并对高超声速风洞中TDLAS流场诊断技术发展做了简单展望,为后续开展TDLAS技术改进及相关高超声速流场诊断实验提供参考。