关键词： 袁磊   模块封装   芯片技术   半导体   董事长   创始人   合肥  

摘要： 忙。这是合肥中恒微半导体有限公司(以下简称中恒微)创始人、董事长袁磊的工作常态。早上八点,袁磊已经开启了一天的工作模式,他忙着抓技术,忙着抓管理,忙着出差,忙着参加会议,更多的是忙着思考以及对公司发展的不断复盘。而在袁磊的带领下,这家自2018年成立以来就一直专注于IGBT的芯片技术以及模块封装测试技术上的持续研究及创新的公司,已经走在大多数人的前面,但它仍然在规划自己的每一步,并朝着最后的目标进发。

关键词： 半导体   固晶   工艺   设备   研究  

摘要： 对半导体固晶工艺进行研究,具体包括粘合剂键合工艺、共晶键合工艺、软焊料键合工艺、银烧结键合工艺、热压键合工艺、倒装芯片键合工艺。对半导体固晶设备的种类和重要技术指标进行介绍,对发展现状进行分析,并展望了发展趋势。

关键词： 生物光子学   二维材料   磷烯   半导体   光学性质   光电探测   非线性光学   医学应用  

摘要： 与其他二维材料相比,二维黑磷具有较高的载流子迁移率、宽可调带隙和面内各向异性等特点,在晶体管、光子学、光电子学、传感器、电池和催化等领域引起科学家的广泛关注.然而,黑磷在自然环境条件下的不稳定性以及大面积、高质量半导体黑磷纳米材料制备的局限性严重滞缓了其在纳米器件、催化以及生物光子学领域的快速发展.本工作总结了近年来高稳定性黑磷纳米材料的可控制备和光学性质,重点突出其在光电探测器、非线性和线性光学、光催化和生物光子学等光学应用方面的研究进展,并对黑磷在未来光电子器件、光催化以及生物光子的挑战及机遇做出相应展望.

关键词： 研发生产基地   功率半导体   碳化硅功率器件   功率模块   区委书记   模块封装   第三代半导体   创新突破  

摘要： 6月5日,在北京昕感科技有限公司总部,在锡山区委书记方力与昕感科技董事长王哲共同见证下,第三代半导体功率模块研发生产基地项目签约落户锡东新城。昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件、模块、模组产品的创新突破与研发生产,致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。此次签约的项目总投资超10亿元,主要建设车规级第三代半导体功率模块封装产线,可同时覆盖汽车主驱、超充桩、光伏、工业等应用场景。项目预计2025年投产,实现满产产能约129万只/年,产值超15亿元/年。

关键词： 改良1470nm半导体激光前列腺剜除术   经尿道前列腺等离子剜除术   前列腺增生   性功能  

摘要： 目的比较改良1470nm半导体激光前列腺剜除术(DiLEP)与经尿道前列腺等离子剜除术(PKEP)对前列腺增生(BPH)的治疗效果及对患者性功能的影响。方法选择2021年1月至2022年12月首都医科大学附属北京友谊医院收治的130例BPH患者。按照组间基线特征匹配的原则,采用随机数字表法将患者分为改良DiLEP组65例(采用改良1470nm半导体激光剜除术治疗)与PKEP组65例(采用经尿道前列腺等离子剜除术治疗)。比较两组手术相关指标,观察两组术前、术后3个月、术后6个月国际前列腺症状(IPSS)评分、排尿情况(最大尿流率、残余尿量)及国际勃起功能指数问卷表(IIEF-5),记录两组术后并发症发生情况。结果与PKEP组患者相比,DiLEP组患者手术、术后膀胱冲洗及导尿管留置时间均更短,术中出血量更少(P<0.05)。术前、术后3个月、术后6个月,两组患者IPSS评分及残余尿量呈下降趋势,最大尿流率呈上升趋势(P时间<0.05);但两组各时点IPSS评分、最大尿流率及残余尿量比较,差异无统计学意义(P组间>0.05)。两组患者术后3个月、术后6个月IIEF-5评分均低于术前,术后6个月IIEF-5评分高于术后3个月(P时间<0.05);但两组各时点IIEF-5评分对比,差异无统计学意义(P组间>0.05)。DiLEP组患者术后并发症发生率低于PKEP组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论改良DiLEP与PKEP均能有效改善BPH患者下尿路症状,且对其性功能影响均较小,而改良DiLEP与PKEP相比又具备手术时间短、术后并发症少等优点,可加速患者术后恢复。

关键词： 高频UPS   感性负载   可靠性  

摘要： 文章介绍了高频UPS和锂电池在半导体工厂实际负载工况应用场景下的性能测试。从供电可靠性、安全高效、易扩容、易维护等方面评估了高频模块化UPS,说明了高频模块化UPS应用于半导体晶圆制造厂中,对含有冲击性电流的感性负载的良好适用性。

关键词： 直接键合   微电子所   键合技术   晶圆级   高频高压   多晶金刚石   异质集成   厚膜  

摘要： 近日,中科院微电子所的高频高压中心传来喜讯,刘新宇研究员团队携手天津中科晶禾公司等单位,在厚膜氮化镓(GaN)与多晶金刚石直接键合技术领域取得了显著进展。该研究不仅攻克了多晶金刚石表面形貌的难题,更在室温下实现了与厚膜GaN的高效直接键合,为晶圆级多晶金刚石键合技术的开发和应用开辟了新的道路。

关键词： 半导体   国家安全   技术权力   中美关系   大国战略  

摘要： 由于国家安全观演变、国家主义思潮回归,美国高度警惕半导体安全问题。美国认为半导体与数字时代的大国技术权力密切相关,而本国半导体产业衰落明显、技术权力流失严重,美国国家安全与霸权地位因此备受侵蚀。自拜登政府上台以来,其注意力更加内顾,全力推动美国的半导体本土复兴战略。美国行政部门、国会、半导体产业界等各方势力联动,逐步构建起半导体战略关乎国家安全的政策共识,并经过反复博弈最终出台关键法案。在此基础上,美国从重塑产业发展思路、强化核心竞争力、优化产业链布局等多方面入手,力争实现半导体产业回归美国本土,重建美国全产业链优势与霸权。然而,美国上述做法违背了半导体产业发展规律,威胁全球半导体产业的正常有序运转,实质上更强化了对华全面遏制,动摇了中美关系根基,并连带撼动全球地缘政治经济秩序。

关键词： 硬X射线光电子能谱(HAXPES)   硬X射线光电子衍射   半导体材料和器件   能带结构   亚表面性质  

摘要： 与常规X射线光电子能谱(XPS,能量E<2 keV))相比,硬X射线光电子能谱(HAXPES)由于采用较高能量的X射线(E>2 keV),具有更大的探测深度,已经成为研究复杂材料体系的体性质,以及多层薄膜结构和纳米复合结构界面性质的重要分析工具。简要论述了HAXPES的主要特点及其发展现状,重点介绍其在半导体材料和器件研究中的典型应用,包含亚表面性质、极性判定、异质结能带结构、掺杂原子空间位置信息、器件层中界面态、介质层厚度评估等方面。随着硬X射线光源技术的不断发展,HAXPES的性能将进一步提高,其应用范围也会快速拓展,这将极大地促进功能材料的发展和应用。

关键词： 集成电路   联合接地   共用接地   独立接地  

摘要： 根据若干高端先进制程集成电路厂房工程接地系统的设计及使用现状,基于接地系统设计依据及理论基础,全面进行多方案综合比较。计算分析不同接地方式下的接地电阻,梳理各类接地系统之间的关联性及相互影响,分析接地故障或失败对生产的负面影响,提出接地系统技术重点及其解决措施。最后总结出适用于高端集成电路半导体厂房的接地系统设计方案,方便后续其他类似项目借鉴。