关键词:
突触晶体管
电荷捕获
浮栅晶体管
金属纳米颗粒
模式识别
摘要:
近些年来,随着人工智能(AI)和大数据的发展,人工智能高需求与当前计算系统的计算能力之间的矛盾日渐明显。基于存储与计算分离的传统冯诺依曼架构的计算机,面临着功耗高、计算效率低下等问题,难以满足未来的需求。人脑由大量相互连接的神经元和突触组成,使其成为已知最有效的计算实体。不同于冯诺依曼架构,存储与计算相结合的方式使人脑在进行高速并行信息处理时,同时具备超低功耗运行和极高容错率等特性。受人脑功能和结构的启发,科研工作者们正在努力构建各种能够实现突触仿生功能的电子器件。在这些器件中,基于电荷捕获机制的突触晶体管由于高可靠性和良好的CMOS兼容性,成为一种很有前途的用于未来神经形态计算系统的候选器件。本研究中分别采用溶胶凝胶技术和热蒸发技术制备了电荷捕获层,成功地集成了基于电荷捕获机制的突触晶体管,模拟了各种突触行为,并构建了人工神经网络,进行了图像识别仿真。主要研究内容如下:
(1)以氧化钕(Nd2O3)作为电荷捕获层,采用溶胶凝胶法成功制备了氧化铟锌(In Zn O)突触晶体管。依靠电荷捕获层在正负偏置电压下对电荷的捕获与释放行为,模拟了一系列生物突触特性,如兴奋性突触后电流、抑制性突触后电流、短期记忆向长期记忆的转变、长时程突触可塑性和尖峰数目依赖塑性等。该晶体管具有较低的沟道电导,每个突触事件的能量消耗约为0.13 p J。基于突触晶体管的增强和抑制行为,通过人工神经网络仿真,对来自MNIST的手写数字图像数据集的识别准确率达到93.0%。该研究证明了溶液法制备电荷捕获突触晶体管的可行性,并有望推动人工突触晶体管领域的进一步发展。
(2)利用热蒸发技术制备了镍(Ni)金属纳米颗粒电荷捕获层,并集成了以Al2O3/Ni/Zr O2为叠层栅介质的氧化铟镓锌(IGZO)浮栅突触晶体管。研究表明,由于Ni金属纳米颗粒的电荷捕获作用,在正反扫过程中,该浮栅突触晶体管呈现出明显的顺时针滞后行为,并获得了约2.2 V的存储窗口。该突触晶体管成功地实现了多种生物突触功能,并且模拟出艾宾浩斯记忆遗忘曲线。通过采用阶梯式栅极电压脉冲调制策略,实现了较好的线性沟道电导调制和长程塑性。同时,对不同调制策略下的图像识别准确率进行了对比分析。该工作研究了金属纳米颗粒在突触晶体管中的应用,展现了其在构建神经网络方面的潜在应用价值。