关键词:
电触头材料
Ag-SnO2
Ag-Ni
显微组织
力学性能
电学性能
电弧侵蚀
摘要:
电触头材料是电子和电气设备与仪器中的核心部件,其性能直接影响整个电器和电路的分断容量、可靠性和服役寿命。Ag基复合材料具有导电性高、导热性好、耐电弧侵蚀和抗熔焊性强等综合性能,是应用最广的电触头材料。然而,它们在制备和应用上还存在许多问题,其显微组织控制及其对性能的影响机制尚不明确。本文以Ag-SnO2和Ag-Ni电触头材料为对象,对其制备方法、微结构(包括增强相形貌、尺寸、含量、成分等因素)设计和调控以及性能提高进行了系统研究,主要研究内容和结果如下:通过化学沉淀法制备了四种形貌(颗粒状、管状、棒状和针状)的SnC2O4前驱体。在600 ℃煅烧2 h后,前驱体热分解形成SnO粉体,并保持它们的原始形貌。在SnSO4溶液中,部分Sn2+离子发生水解,形成片状SnO(OH)2SO4配位物。向SnSO4溶液滴加H2C2O4溶液时Sn3O(OH)2SO4配位物倾向于在SnC2O4活性面上吸附,导致颗粒状前驱体的形成。与之不同,向H2C2O4溶液滴加SnSO4溶液时,因为H2C2O4对其的溶解,底液中SnO(OH)2SO的存在量相当低,所以可以得到一维形貌的前驱体。在反应的后期,已经成形的一维SnCO倾向于在端面的中央发生溶解,最终形成管状的前驱体。通过降低pH值或Sn2+和C2O42-的摩尔比例可以抑制SnC2O4的水解。此外,添加PVP可以抑制SnC2O4分子链之间横向连接。添加1wt%PVP,并在8O℃反应2h,可获得高长径比(约40:1)的细针状SnC2O4。通过柠檬酸辅助的非均匀沉淀法制备了颗粒状SnO2强化的Ag-SnO2电触头材料。在非均匀沉淀的过程,柠檬酸的添加有利于SnO2的分散和Ag在其上的非均匀沉淀包覆。通过减小SnO2体积分数和/或增大SnO2尺寸可以提高Ag-SnO2电触头材料的导电率,但也会降低硬度。在18.3 vol%的SnO2强化的电触头中,选用1~2 μm的SnO2可使硬度和导电率都满足国标GB-T20235-2006要求。颗粒状SnO2通过直接强化和间接强化混合作用强化Ag基体,其中以间接强化为主(细晶强化作用最大,位错增殖强化次之,Orowan强化作用几乎可以忽略)。当Sn02体积分数为18.3 vol%时,Ag-Sn02的抗拉强度最高(219 MPa)。制备并表征了不同形貌增强相强化的Ag-SnO2电触头材料。与颗粒状SnO2相比,一维形貌SnO2强化的Ag-SnO2电触头材料硬度和导电率更高。其中,棒状SnO2强化的Ag-SnO2电触头材料具有最高的硬度(87.8HV)和导电率(66.9%IACS)。在24V/1OA直流阻性负载条件下,进行10万次电接触实验,Ag-Sn02电触头材料主要受到气相电弧侵蚀。电弧侵蚀后,电触头阴极失重并形成蚀坑,而阳极增重并形成凸起。管状SnO2强化的Ag-SnO2电触头材料阴极损失最少(12.8 mg)。由针状SnO2强化Ag-SnO2加工成的铆钉在80万次单分断寿命测试中未出现一次熔焊。添加In2O3,尤其是高比表面积的In2O3,可以降低Ag-SnO2电触头材料在工作中的材料转移率。而添加纳米In2O3还可以降低电触头的阴极失重。利用MATLAB软件模拟了 Ag+-Ni2+-C2O42--H2O体系中的沉淀和配位平衡情况。并分别在所得的两个极大沉淀条件下,以H2C204为沉淀剂沉淀Ag+和Ni2+离子,合成了两种Ag和Ni的草酸盐前驱体。在高H2C2O4浓度和低pH值(接近1)的条件下,合成的前驱体由六方片状Ag2C2O4(边长约5 μm,厚度约0.5 μm)和贴附在其表面的片状NiC2O4·2H20组成。在H2C2O4浓度较低和中性pH值(6~8)的条件下,合成的前驱体由多面体颗粒状Ag2C2O4和NiC2O4O·2H2O(直径1~3 μm)组成。在400℃惰性气氛中,前驱体可直接热分解形成金属Ag-Ni粉体。最后,以这两种Ag-Ni粉体分别制备出片状和颗粒状Ni强化的Ag-Ni电触头材料。其中,颗粒状Ni强化的电触头具有更高的硬度(117 HV),耐压强度(2.06×107 V·m-1)和抗材料转移性能(十万次电接触中,阳极负增重0.5 mg)。采用造粒-包覆的方法制备了核-壳结构的Ag-Ni粉体,并将其热压烧结成空间三维网状Ni强化的Ag-Ni烧结坯。以未退火的Ag颗粒制备的烧结坯中,Ni呈网断续分布。而以400 ℃退火的Ag颗粒制备的烧结坯中,Ni呈三维连续网状分布。在塑性变形过程中,Ni网被拉伸形成纤维。随真应变的增加,横截面上Ni的分布更加弥散,纵截面上Ni纤维更长。当真应变达到6.0时,断续和连续的Ni网变形成长度为50~100 μm和200~1000μm的Ni纤维。长纤维强化的Ag-Ni电触头导电率更高(91.5%IACS),抗电弧侵蚀能力更