关键词:
ZnO薄膜
电沉积
微结构
润湿性
摘要:
ZnO是具有3.37eV能隙的宽带隙半导体,由于其在电子、光子和光学及生物等领域的出色表现,可广泛应用于各类高科技领域。为了制备不同尺寸,晶体结构,晶形和颗粒形状的ZnO,开发了多种制造方法。本文使用阴极电沉积法制备ZnO纳米棒阵列,利用X射线衍射仪、扫描电镜、接触角测量仪、拉曼光谱仪等测试仪器,研究两种基底(ITO/Ti片)上改变沉积时间、电解液组成成分比例对其微观结构形貌、润湿性以及光学性能等的影响。首先,通过改变电化学沉积的时间在ITO基底上制备ZnO纳米棒阵列。XRD结果表明ZnO呈六方纤锌矿结构,随着电沉积时间的增长,结晶度以及002方向的择优取向生长都得到增强,同时纳米棒的直径、表面粗糙度和ZnO纳米棒阵列的厚度都变大。所有的样品都展现出疏水性,水接触角在电沉积120min时逐渐上升到120°,经过10min紫外光照,ZnO纳米棒阵列表面润湿性转化为亲水性,光照后水接触角与未经紫外照射前的比例为73.5%、63.5%、48.3%和24.2%,分别对应沉积时间10min、30min、60min和120min的样品。光致发光(PL)光谱结果显示随着电沉积时间的增加,ZnO的紫外发光峰(本征发光峰)的峰强比由2.26%提升到63.84%,同时可见光发光峰(缺陷导致的发光峰)的峰强比降低,说明沉积时间从10min增长至120min,ZnO薄膜的内在缺陷减少。拉曼图谱的分析表明,ZnO纳米棒阵列在这些条件下呈现439cm-1,566cm-1,和1097cm-1三处特征峰,分别对应了ZnO阵列的E2光声子振动模、EIL光声子振动模以及E3单晶振动模。随后,保持其他条件不变,改变电解液浓度组成(Zn2+浓度不变),在Zn(N03)2中掺入ZnCl2溶液,XRD结果表明,所有的峰都归因于六方纤锌矿结构,晶粒尺寸随着ZnCl2浓度的增加而变小,晶核数量增加,同时c轴(002)方向择优取向减弱。SEM结果显示,随着Zn(NO3)2浓度的降低,纳米结构由棒状变为锥状,其中ZnO的直径,除了浓度比为1:1的样品之外,持续减小,且纳米结构的顶端由"吞并"状态改变为远离,间隙得到增加。PL光谱显示Zn(NO3)2电解液制备的样品A紫外发射峰相对较强,随着电解液中ZnCl2浓度比的增加,紫外发射峰比率增强,纯ZnCl2电解液制备的样品E的紫外发射峰比率为最小,缺陷最多,随着氯离子浓度的增大,一个极少见的位于350nm处的发光峰逐渐显现。在紫外照射之前所有的样品均表现为较强的疏水性,且随着ZnC12浓度的增长,水接触角有先增加后减小的趋势,可能与表面粗糙度变大以及结晶度变差的综合结果有关。ZnO纳米棒阵列的可润湿性在15分钟紫外照射后从疏水性改变为亲水性,并且水接触角的光诱导变化从45 8至12.9%,这可能是与润湿模型的变化、ZnO纳米结构的表面粗糙度大小差异以及间隙有关。紫外吸收谱表明,随电解液中氯离子浓度的增加而增加,禁带宽度不断增加至3.34接近标准值3.37eV。最后,改变沉积时间在Ti片上制备ZnO纳米棒阵列。SEM结果显示,所有样品均为棒状六棱锥形貌,随着电沉积时间的增加,纳米棒的直径、棒之间的间隙减小。在PL光谱中所有样品都具有窄的紫外发射峰,在可见光区显示宽的发光区,并且随着电沉积时间增加,缺陷先减小后增加,在45 min时候达到最小。样品的沉积时间由15分钟增长到60分钟,在紫外照射之前的水接触角逐渐变小,这可能与表面粗糙度变小有关。ZnO纳米棒阵列的可润湿性在2小时紫外照射后全部转换为超亲水性,并且水接触角还原率的光诱导变化先变大后变小,在45 min时达到最大,这可能与润湿模型的转变、ZnO纳米棒阵列的表面粗糙度大小差异以及薄膜的缺陷多少有关。禁带宽度曲线与光电流曲线都与PL光谱有相同的规律性,都在45 min时候达到最大值(紫外峰强、禁带宽度与光电流大小)。