关键词： 金属基复合材料   AlO颗粒   显微组织   时效机理  

摘要： 该文在采用挤压铸造法成功制备了亚微米Al<,2>O<,3p>/Al复合材料的基础上,利用透射电镜(TEM)、高分辨电镜(HREM)、能谱仪(EDX)、布氏硬度和示差扫描热分析(DSC)等多种手段,系统研究了0.15μm-Al<,2>O<,3p>/Al复合材料的界面行为、压铸态复合材料的基体组织特征及0.3μm-Al<,2>O<,3p>/LY12复合材料的时效硬化行为.

关键词： 化合物半导体   分子束外延   异质结双极晶体管   太阳电池  

摘要： 采用GSMBE技术，研究了GaAs、AlGaAs、InP、InGaP等薄膜材料及其异 质结构的生长与特性，研究了InGaP/GaAs异质界面生长中的衬底温度和AsH、 PH气氛切换及In、Ga束流强度的影响，获得了失配度Δa/a约10量级的高质量 InGaP外延薄膜，通过优化材料结构生长出高性能的InGaP/GaAs异质结双 极晶体管微结构材料并制备出原型器件。设计的HBT微结构材料中采用了100nm 的InGaP宽禁带发射极和厚度为60nm、掺杂浓度为3×10cm的掺Be GaAs 基区及5nm非掺杂隔离层。 原型器件制作采用湿法化学腐蚀制作台面结构大尺寸HBT单管。测试结果表 明器件具有良好的结特性和直流增益，BE、BC结正向开启电压为1.0V和0.65V， 反向击穿电压分别达10V和12V，集电极电流密度280A/cm时共发射极电流增 益达320。分析了带有非掺杂隔离层的InGaP/GaAs HBT突变异质结空间电荷区 的电势分布及HBT器件中的电流成分，就非掺杂隔离层等因素对器件特性的影 响进行了讨论。 在AlGaAs/GaAs空间太阳电池研究中，就器件反向漏电、串并联电阻等因素 对太阳电池输出特性影响进行了模拟，优化了p-n型AlGaAs/GaAs太阳电 池器件工艺。分别采用真空蒸发AuBe/Au和AuGeNi/Au并合金化形成欧姆接触 制作太阳电池正面栅线和背面电极;采用NHOH：HO：HPO：HO体系的选择性 腐蚀液去除高掺杂的GaAs接触层;采用真空蒸发技术制备ZnS/MgF双层复合减 反射膜。成功制备出高效AlGaAs/GaAs太阳电池，AMO测试条件下，所制备的 器件光电转换效率最高达22.23％。

关键词： zinc   stabilised waste   cement (OPC)   PFA   sequential chemical extraction   SEM   XRD  

摘要： In the present study, a five step sequential chemical extraction (SCE) procedure was employed to investigate the binding mechanisms and chemical partitioning of zinc in cement-based stabilised waste materials. After each step of SCE, scanning electronic microscope with energy dispersive spectrometer (SEM/EDS) and X-ray diffraction (XRD) were used to assess the microstructural and chemical changes of the waste materials. The results showed that the leaching of Zn from the cement based stabilised waste mainly took place at the second and the third extraction steps at pH 5.0 and 2.0, respectively. The addition of pulverised fly ash (PFA) increased the leachability of Zn at the second extraction step. The SCE results also indicated the hydration of cement was greatly retarded by the incorporation of zinc waste. The SEM and XRD analysis of the samples after each extraction step demonstrated that zinc leached at the second step extraction was partially due to the dissolution of the new crystalline phase (ZnO) in the waste materials. Since large amounts of zinc were leached out only at the third extraction step at pH 2.0, these stablised waste materials may be relatively stable under a normal disposal environment.

关键词： 木材   无机纳米   溶胶—凝胶法   原位聚合  

摘要： 以硅酸乙酯作为无机纳米前体 ,以甲基丙烯酸甲酯为有机改性单体 ,经无机前体的溶胶—凝胶过程或与有机单体原位聚合同时进行制得木材—SiO2 复合材料与木材—PMMA—SiO2 复合材料。并通过SEM测试对其微观结构进行表征。结果表明改性物质在木材中的结合方式与单纯加入有机高分子或无机粒子有很大差别 ,在细胞壁及细胞空隙中均有分布。

关键词： 磁性能   硬磁相   剩磁   微结构   土壤结构  

摘要： 奥地利Vienna技术大学***等与荷兰、法国、爱尔兰和德国的研究工作者合作采用各种技术如熔旋、熔化萃取、急冷和机械合金化,制备了NdTbFeCoB的纳米晶贫稀土复合材料合金。研究发现,要达到500kA/m的高矫顽力的这类合金,Tb与Co含量是关键。剩磁的典型值是1.05～1.10T。未观测到晶体织构,因此,用弹性磁体行为获得了剩磁增量。在红外线加热炉中退火处理

关键词： 微型反射镜阵列   微型化技术   微机械系统   微光学电子机械系统   micromirror arrays   miniaturized technology   MEMS   MOEMS  

摘要： 综述利用微加工技术制作微型反射镜阵列 ;简要叙述其发展历程 ,着重阐述其主要功能和优点。分类分析微镜阵列的基本工作方式和主要应用领域及其发展方向 ,并对应用前景进行分析。

关键词： 纳米交换耦合磁体   磁性机理   晶界相   热处理   磁硬化   交换耦合  

摘要： 纳米交换耦合磁体由于其独特的磁性机理和低的价格性能比而得到广泛的研究,并有着广阔的应用前景.该工作对Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe基纳米交换耦合磁体的磁性进行了系统的研究,从元素掺杂,晶界相的性质到热处理对磁性能的影响,均进行了有益的研究.也试图从模型计算出发阐述交换磁体和磁硬化和交换耦合机制.

关键词： 光学性质   离子注入   掺铒硅基材料  

摘要： 该论文采用离子注入方法制了掺杂铒、氧的、单晶硅,锗硅材料.研究退火条件(温度,时间)等对Si(Er)光致发光(PL)的影响.短时间的快速退火可以有效地消除因为离子注入 所造成的损伤等不利因素并有效地激活铒离子.铒氧共掺杂将形成作为发光中心的[Er-O]复合体,有效提高铒的发光强度.PL精细谱线分析表明.铒4f悫支内不同能级之间的跃迁同铒的微观环境有密切的关系.变激发功率的光致发光实验证明,以浓度2×10<\'15>cm<\'-2>注 入单晶硅材料中的铒的固溶度很低,而且可被光激发的铒发光中心的数目很有限.所以,发光强度在较小的激发功率下就达到了饱和.提高铒在材料中的固溶度,减少材料中非辐射复合中心的数目,采用宽带隙的基体材料,或者采用生长的方法掺杂铒、氧等,必将有利于提高掺铒硅基材料的发光强度.

关键词： 纳米添加剂   陶瓷   烧结性能   显微结构   三氧化二铝  

摘要： 　用纳米 Zr O3作为烧结助剂加入 Al2 O3陶瓷中 ,研究其对 Al2 O3陶瓷烧结性能及显微结构的影响。结果表明 ,纳米 Zr O2 的加入可以提高 Al2 O3陶瓷的烧结活性 ,降低烧结温度。当纳米 Zr O2 的加入量达到 9vol%时 ,Al2 O3陶瓷在 1 60 0℃以下就可烧结致密。此外 ,纳米 Zr O2的加入 ,对 Al2 O3陶瓷的显微结构也产生影响。在纳米 Zr O2 加入量较少时 ,Zr O2 粒子以“晶内型”和晶界型两种形式存在 ;而当 Zr O2 加入量达到 9vol%时 ,其主要位于四个 Al2 O3晶粒相交的晶界上 ,阻碍了 Al2 O3晶粒的异常长大 ,从而获得细晶结构的 Al2 O3陶瓷材料。

关键词： 电瓷材料   显微结构   力学性能   电瓷避雷器  

摘要： (上接《电瓷避雷器》2000年第5期第14页)4.4　电瓷材料力学性能间的关系综合(14)式、(41)式和(43)式可以得到电瓷材料的强度判据:σb=1Y2E0e-2p[γ0+K1(Ep-Em)+K2Δα2ΔT2EpEm(Ep+Em)RVp/Vg].3VP/4R(1-VP)(48)　　此式综合了气孔率、晶相种类、晶相量、晶粒大小和玻璃相各种显微结构因素对电瓷材料的强度和断裂韧性2Eγ的影响,其中E0可由(19)式求出。断裂韧性的表达式:　　KIC=2Eγ=2E0e-2p[γ0+K1(Ep-Em+K2Δα2ΔT2EpEm(Ep+Em)RVp/Vg](49)比较(48)式和(49)式可以看出,高弹性模量的晶相和高晶相含量可以得到高的强度和韧性;然而对于不同晶料的材料,在不出现显微裂纹的前提下,晶粒越大,KIC越高,强度越低,即强度和韧性与晶粒大小间存在相反的关系(这是X7材料KIC高而σb低的主要原因),因此在晶粒很细的基体内引入一些较大尺寸的高弹性模量晶粒和高膨胀系数的晶粒,将得到强度和韧性均较高的材料。已有学者注意到了这一点[5,16,26]。比较X6、X9瓷,两种瓷材料的晶相含量相当,但X6含有较多的莫来石...