关键词:
光学性质
离子注入
掺铒硅基材料
摘要:
该论文采用离子注入方法制了掺杂铒、氧的、单晶硅,锗硅材料.研究退火条件(温度,时间)等对Si(Er)光致发光(PL)的影响.短时间的快速退火可以有效地消除因为离子注入 所造成的损伤等不利因素并有效地激活铒离子.铒氧共掺杂将形成作为发光中心的[Er-O]复合体,有效提高铒的发光强度.PL精细谱线分析表明.铒4f悫支内不同能级之间的跃迁同铒的微观环境有密切的关系.变激发功率的光致发光实验证明,以浓度2×10<\'15>cm<\'-2>注 入单晶硅材料中的铒的固溶度很低,而且可被光激发的铒发光中心的数目很有限.所以,发光强度在较小的激发功率下就达到了饱和.提高铒在材料中的固溶度,减少材料中非辐射复合中心的数目,采用宽带隙的基体材料,或者采用生长的方法掺杂铒、氧等,必将有利于提高掺铒硅基材料的发光强度.