关键词： 氢氧化镍   微晶   微结构参数   电极材料  

摘要： 本文概括Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）方法，拉曼散射谱（ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａ）和电子显微术等方法，结合我们的工作实践，探讨氢氧化镍电极材料的微结构特性及其分析方法．Ｘ射线衍射和拉曼谱可以有效地用于预测氢氧化镍的电化学效率，而由Ｘ射线衍射测量确定的微晶结构参数，可以用于建立氢氧化镍正极活性材的利用率与这些微结构之间的关系．

关键词： 断路器   真空断路器   机械特性参数   调整  

摘要： 1前言真空开关是我国正在普遍推广的配电设备无油化首选的替代品种。真空断路器具有体积小、重量轻、使用寿命长、适于频繁操作、开断能力强、触头和灭弧系统简单，便于安装维护、灭孤室不用检修、无渗漏油和爆炸的危险等显著优点，在我国中压供配电系统中已应用相当普遍，以10kv级的真空断路器为例，国内市场各类型号已达到50种以上。虽然其技术要求一样，但生产的厂家多，其技术力量参差不齐，制造工艺和装配水平各异，对技术要求的理解和把握也不尽相同，这就造成了各家产品的实际特性参数有高有低，致使各用户也难以辨别，尤其是用户订货时一般只注重断路器的主要技术参数，而往往容易忽视机械特性参数，因此，有必要对真空断路器的机械特性参数及其调整和监控进行探讨。2真空断路器的机械特性参数真空断路器的机械特性参数主要有：触头开距，触头超程，动、静触头累计允许磨损厚度，平均分闸、合闸速度，三相分合闸同期性，触头合闸弹跳时间等。3真空断路器的特性参数调整3．l触头开距的调整真空断路器的标准开距在我国目前有smm和10nun两种。适当增大触头开距可增加断口耐压，一般开距超过llmm以后，对断口耐压的增加已作用不大。目前有些厂家将触头的开距定为12mm，其...

关键词： 长余辉荧光材料   微结构   发光性质   短余辉材料  

摘要： 该文的主要工作就是对和余辉荧光材料中一些重点物理现象和理论进行研究和探索.长余辉材料的基本理论原理比较复杂,这是和它所涉及的复杂的荧光系统分不开的.与无余辉以及短余辉材料相比,长余辉荧光系统中要多出陷阱对电子空穴的束缚和反束缚的余辉体系,以及陷阱与发光中心之间的的能量传递方式等因素.这使得在对长余辉荧光材料的研究方面遇到很大的困难.总体上该文按照三基色的框架对蓝色长余辉材料CaS:Bi<\'3+>、 戏色长余辉材料CaS:Eu<\'2+>,Tm<\'3+>,以及绿色超长余辉荧光材料SrAl<,2>O<,4>:Eu<\'2+>,Dy<\'3+>三个长余辉荧光系统进行了深入的研究,该文的主要工作的目的和成果有以下几个方面.首先是对CaS:Bi<\'3+>的长余辉体系进行了研究和改进.该文的另一个主要部分是对荧光材料和形貌和结构的研究.

关键词： Plates (structural components)  

摘要： Based on the thin laminate plate theory, new material parameters introduced in the coupled stress theory are investigated. The constitutive relations for the coupled stress theory are discussed and its special form with a transverse symmetry are applied to describe the constitutive relations of a thin plate element. Their relations with microstructural parameters are provided through a micro-macro homogenization in a thin plate element, representative volume element (RVE).

关键词： 原位反应   SiC   TiSi2   纳米复合材料   显微结构  

摘要： 采用Si粉和TiC为原料，通过反应热压可制得纳米SiC粒子复合的TiSi2材料，生成的纳米SiC粒子聚集分布在TiSi2基体中，SiC粒子与TiSi2的界面没有晶界相存在．但由于残余应力的作用．TiSi2晶格发生扭曲并有位错出现。

关键词： 蠕变行为   显微结构   活化能   耐火材料  

摘要： 本文论述了蠕变行为和相应粘结相的显微结构特征之间的关系,并分析了蠕变机理同时列出各种耐火材料的蠕变活化能。

关键词： 二硅化钼   碳化硼   显微结构   力学性能   复合材料  

摘要： 研究了在热压过程中ＭｏＳｉ２ 与Ｂ４Ｃ反应合成的硅化物与硼化物复合材料的显微结构及力学性能．结果表明，得到的复合材料以ＭｏＳｉ２，Ｍｏ２Ｂ５ 为主要组成相．复合材料的力学性能较纯ＭｏＳｉ２ 有较大改进．当Ｂ４Ｃ 添加量ｗ ＝ １０％ 时，σｂ 及ＫＩＣ均达到最大值，分别为３８０ＭＰａ 和３．９ＭＰａ·ｍ １／２，复合材料的硬度值则随添加量增加而增加．

关键词： Metallographic microstructure  

摘要： A certain degree of cold working is advantageous in developing a fine microstructure with minute silicon crystals for eutectic and/or hypereutectic Al-Si cast alloys. A novel process, repeated thermomechanical treatment (RTMT), was applied to an Al-12.6 wt pet Si cast alloy. The process involves multiple-pass cold working (less than a 20 pet reduction in section area) and heat treatment at 793 K for 3.6 ks. Cold-work annealing was repeated up to about an 80 pet reduction in section from the beginning. The RTMT material showed a refined microstructure with high ductility. Most silicon crystals were fragmented to only a few micrometers and were spheroidized. The RTMT material showed such marked plasticity that it could be wrought up to a 99 pet reduction in section at room temperature. The Cold-worked RTMT materials exhibited an excellent balance between tensile strength and elongation and a higher strain hardening than the cast material.

关键词： Crystal microstructure  

摘要： Upon extrusion of SiO2-B2O3-Al2O3-MgO-Na2O-K2O-F- glasses, mullite-aluminium berate solid-solution crystals become aligned with their elongated axes parallel to the extrusion direction. During subsequent heat treatments, fluorophlogopite platelets crystallize in part epitaxially on these solid-solution crystals. As shown by texture goniometry and electron microscopy, an orientation of mica basal planes either parallel or perpendicular to the extrusion direction is indicated. Using selected-area electron diffraction in a transmission electron microscope, epitaxial orientation relationships between the lattices of the fluorophlogopite and the solid-solution crystal are determined. The combination of texture formation and epitaxial growth opens new ways of microstructural design in extruded glass-ceramics. (C) 1999 Acta Metallurgica Inc. Published by Elsevier Science Lid. All rights reserved.

关键词： GaN   蓝色发光材料   电子显微结构  

摘要： 该论文主要是对分子束外延(MBE),低压金属有机化学气相外延(LPMOVPE),金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的GaN/Al<,2>O<,3>(0001)薄膜进行了透射电子显微学研究.