关键词:
a-SiO:H薄膜
微观结构
光学性质
纳米硅
输运特性
摘要:
研究人员采用PECVD技术制备了一系列a-SiO<,x>:H薄膜,利用红外吸收谱、微区Raman谱研究了薄膜的微观结构.在薄膜结构研究的基础上,该文主要研究了a-SiO<,x>:H的光学性质.研究人员测量了薄膜的室温光致发光谱,研究了发光谱的退火行为,并用红外谱和微区Raman谱、透射电镜和原子力显微镜跟踪了薄膜结构随退火温度的变化.发光谱是弛豫了的电子态的辐射复合部分,而吸收谱包括了所有可能能级之间的跃迁.所以,将发光谱和吸收谱结合起来,更有助于解纳米硅的发光机制.研究人员还结合Raman谱和原子力显微镜,研究了多孔硅的光致发光谱.除研究了纳米硅的光学性质以外,研究人员也初步研究了纳米硅的输运特性.