关键词:
InAsSb纳米线
光电子器件
Dirac半金属
Cd3As2薄膜
太赫兹探测
摘要:
材料的进步,是半导体光电器件发展的基石,具体体现在多个方面,如尺寸的减小,纯度的提高,适当缺陷的引入以及材料体系的更新,均可以使材料的某一方面性能得到大幅度提升;器件结构的改善则是最大化材料性能的有效途径,从而可以进一步实现器件性能的提升。而光电探测在研究材料内在物理机制方面具有不可撼动的地位,同时,这些物理机制的揭示又可以为光电子器件的应用与设计提供新的思路,也为材料科学的发展指明了方向。因此,材料结构,器件结构与性能研究三者在光电子器件性能的提升中相辅相成,共同决定其发展方向。本文中的重点分为三个部分,一:材料的制备;二:器件结构的设计;三:器件性能的表征。其中,材料制备过程用到的是分子束外延(MBE)技术,这一技术为高质量材料的生长与原子级裁剪提供了可能。本文中采用的结构均为光电探测器结构,包括对可见光,红外光以及太赫兹的探测,探测器对波长的选择是器件结构、材料体系、材料质量三方因素共同作用的结果。因此,在给定材料的情况下,对器件结构进行设计可以有效提高其在特定波段的探测效率。传统模式下对于新材料体系的探索与对器件结构的创新已难以满足光电子器件日新月异的发展,在下一代光电子器件的制备中,我们必须将眼光投向对材料结构的理解与精确调控。这需要对材料有更准确的微观了解与微观控制,并在此基础上,能够有针对性地对器件进行设计,从而使材料与器件结构的结合在最大程度上发挥出自身的优势。微结构观察作为媒介,可以很好地将材料生长与器件应用结合起来,能够使材料生长得到进一步优化,同时能够为器件的结构设计提供精准的参考。本文为利用微结构观察,尽可能实现材料的最优化利用提供了范本。本论文的主要内容分为以下三个方面:***纳米线的生长及其微结构表征:本文采用分子束外延技术,在金纳米颗粒的催化下实现InAsSb纳米线在Ga As衬底上的外延生长。通过对纳米线生长条件,即生长时间、生长温度以及束流比等因素的调节,实现了对纳米线的形貌以及微观结构的调控。本研究中,InAsSb纳米线采用了两步生长法,即在生长InAsSb纳米线之前,生长一段In As纳米线作为支撑。这一生长方式既可以缓冲三元纳米线与衬底之间的晶格失配,又可以避免由于三元InAsSb纳米线生长窗口太窄导致的生长失败。微结构表征显示,在其他条件一致的情况下,较高的生长温度更有利于无缺陷纳米线的形成。而在低温下,由于纳米线与衬底的晶格失配,纳米线会向某一侧发生倾斜,通过对纳米线的微结构表征,可以发现,原子结构在受到拉应力时会发生扭曲,而在受压应力一侧,纳米线则会产生孪晶缺陷。***纳米线基器件的制备与光电性能的研究:作为三元III-V族半导体的重要一员,InAsSb具有迁移率高、电子有效质量低、禁带宽度可调控等诸多优势。纳米线则因尺寸的减小获得超高比表面积,从而引发小尺寸效应,量子效应等,对其物理性能产生显著的影响。本文中,首先制备了单根纳米线基的场效应晶体管,包含对称纳米线与不对称纳米线两类。通过对两种器件的光电性能进行对比,可以发现,不对称纳米线基的器件在栅压、偏压以及光波长的调控下均能够实现正负光响应之间的转换。反观对称纳米线基的器件,则没有类似的现象。因此,本文提出在应力工程的参与下,不对称纳米线基的器件具有用于普适计算的潜力。同时,利用纳米线阵列制备了阵列器件,这一结构简单、制备成本低的器件将数以万计的纳米线耦合在同一个器件中,极大提高了器件对光的探测能力。通过一系列光电测试发现,纳米线阵列器件在室温下对波长为945 nm的发光二极管(LED)可表现出12.75 A/W的响应率。3.蝶形天线耦合的CdAs薄膜器件的太赫兹探测研究:本文第三部分以CdAs薄膜为对象,研究了其在蝶形天线的耦合下,对太赫兹光的探测能力。CdAs是第一类Dirac半金属,拥有奇特的能带结构以及超高的电子迁移率,其导带与价带由两个对称分布的Dirac点连接,形成零带隙的能带结构。因此,CdAs薄膜在太赫兹探测领域中展现出诱人的应用前景。当厚度降低至50 nm以下时,CdAs薄膜的能带结构将由半金属态转变为由表面态主导的半导体态。因此,通过对薄膜厚度的调控,CdAs薄膜可以作为对半导体态与半金属态材料的太赫兹探测性能进行对比的完美载体。最后,通过在器件中引入不对称栅极的设计,阐明了CdAs薄膜基太赫兹探测器中的光电机理。