关键词:
铁电器件
纳机电开关
铁电纳隙
低功耗计算
陡亚阈值摆幅
存内逻辑
摘要:
大数据和万物互联时代对数据的处理和存储提出更高要求。互补金属氧化物半导体(Complementary metal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺在经过不断的技术迭代后,器件的特征尺寸已逼近物理极限,以摩尔定律为驱动的技术发展速度正逐渐减缓。传统金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值摆幅(Subthreshold swing,SS)存在玻尔兹曼限制,使得芯片的功耗难以继续降低、速度难以进一步提升。另外,在现有冯·诺依曼架构中,由存储和计算单元分离而产生的“存储墙”问题,也导致芯片的能效受限。为了突破上述瓶颈,已有多种技术路线被提出,其中包括突破玻尔兹曼限制的陡亚阈值摆幅器件以及存算一体技术(Processing in memory,PIM)。铁电器件凭借其超低功耗、非易失性、高操作速度等优势在该领域得到广泛研究。另外,纳机电开关具有接近为零的静态功耗和亚阈值摆幅,同样引起了极大关注。
本论文研究基于铁电裂纹制造的纳米级间隙结构(铁电纳隙)及其应用。铁电纳隙融合了铁电器件和纳机电开关的优势,具有优异的电学性能和独特的可调控性,可用于开发低功耗电子器件。本论文首先从“材料-机理-器件”层面,研究了铁电纳隙的基本性质。接着,针对后摩尔时代的能耗瓶颈问题,提出两种解决方案。主要研究内容如下:
首先,研究了全电学可控铁电纳隙的构建及其调控机理。探究了不同铁电畴翻转控制下的纳隙类型,即易失纳隙与非易失纳隙。揭示了铁电畴翻转诱导纳隙开闭的工作机理,分别为:局域非均匀畴翻转诱导的非易失应变和全域非稳态畴翻转诱导的易失应变。随后,研究了不同导电薄膜对构建纳隙的影响,发现导电材料的力学性能是需要被考量的重要因素。进一步地,研究了纳隙在不同结构形态下的电学性能,分析了纳隙从完全闭合到绝缘打开过程中的状态变化,结果展现出良好的全电学可控性。该研究为铁电纳隙应用于低功耗电子器件奠定了理论基础。
然后,基于BaTiO3/MnPt/Pt异质结的铁电纳隙结构,首次提出并实验验证了陡亚阈值摆幅铁电纳隙晶体管。在平面型铁电纳隙晶体管中实现了15.9 m V/dec的平均SS值和13.23 m V/dec的最小SS值,同时其具有高导通电流(202μA/μm@VDS=0.5 V)和几乎为零的关态电流。超低亚阈值摆幅和高导通电流的同时实现,对逻辑晶体管能耗的降低以及速度的提升具有重要意义。在垂直结构的纳隙晶体管器件中,发现铁电材料厚度的减薄有望降低工作电压。该研究表明铁电纳隙晶体管具有成为后摩尔时代低功耗晶体管候选方案的潜力。
最后,基于PMN-PT/MnPt/Pt异质结的铁电纳隙结构,提出了低功耗的存内计算(In-memory computing,IMC)方案。实验表明,制备的铁电纳隙存储器具有良好的非易失性、大存储窗口和接近为零的关断电流。结合实验和仿真分析得出,器件尺寸的微缩可以优化其电学性能,这在低功耗存储器应用方面具有潜在优势。接着,利用双纳隙结构的互补开闭特性,在非易失存储器中原位执行逻辑计算操作,由此验证了存内逻辑计算(Logic-in-memory,Li M)。因此,在单个器件中实现了以存储单元为核心的计算范式,为低功耗存算一体领域提供了一种新的硬件解决方案。