关键词:
低压差线性稳压器
低功耗
低静态电流
快速瞬态响应
采样保持
摘要:
随着微电子技术以及半导体工艺的迅猛发展,5G、物联网设备(Internet of Things,Io T)和新能源汽车已经从一个新兴概念走进更为全面更为多样化的应用中。电源管理类芯片在各类用电设备的正常运行过程中,起到至关重要的作用。高性能低功耗低压差线性稳压器(Low-Dropout Regulator,LDO)以其性能良好、封装小巧和成本低廉等优点在消费电子以及未来更多的物联网设备上更具有发展空间。
针对目前低功耗物联网设备和可穿戴设备上对长久待机,以及高效利用电池的需求,本文基于0.18μm CMOS集成电路工艺,设计了一种高性能低压差快速瞬态响应线性稳压器。
在系统层设计方面,本文在传统LDO的基础上,引入了数字时钟信号,通过采样保持电路采样基准电压和电流镜栅压,在保持阶段关闭基准电压和基准电流产生电路,使部分电路开启占空比不到1.5%,很大地程度上节约了平均功耗;其次,用10 n A假负载尾电流源代替传统结构中的反馈电阻结构,并通过拆分功率管和引入平滑过渡缓冲级,在保障主环路性能的同时,降低了静态导通电流。
在低功耗模块设计方面,提出了一种新型结构的带隙基准源、欠压锁存电路和低功耗振荡器,巧妙的利用了MOS管的阈值特性进行设计,节约了电阻版图面积,降低了静态电流消耗,并具有一定温度补偿作用;其次,在主环路中引入平滑过渡缓冲级,在保障主环路性能的同时降低静态导通电流减小功耗。
在瞬态响应方面,提出了一种新型的低功耗下环路补偿方法,提高了环路稳定性以及瞬态响应性能;其次,提出了一种瞬态提升自偏置电流源和快速响应回路,能在输出稳定时保持较低的静态电流消耗,并在负载瞬态变化时提高环路的瞬态响应性能。
最终对本设计进行版图设计和后仿真验证,并进行流片测试。结果表明,在2.8 V工作电压时,空载平均静态电流最大为147 n A;输出电压1.8 V,负载电流满载200 m A时,压差电压为205.6 m V,平均静态电流达171.7μA,电源效率约为89.7%;50 m A/μs下空载至满载的负载瞬态响应,过冲电压仅58.47 m V,恢复时长25.78μs,下冲电压为85.47 m V,恢复时长仅为8.53μs;整体芯片版图面积仅为0.55mm×0.65 mm。本文提出的设计架构和电路结构,在有效降低平均功耗的同时,实现了对负载变化的快速瞬态响应,满足设计要求。