关键词:
接收机射频前端
低噪声放大器
混频器
增益可调节
摘要:
近年来,伴随着物联网技术的兴起,2G退出市场,LTE Cat.1逐渐成为研究热点。LTE Cat.1作为4G通信LTE网络用户终端类别的一个标准,可以直接接入现有的4G LTE网络,节省了大量的资源,而且Cat.1功耗低成本低,广泛应用在物联网的一些中速率场景。本文基于LTE Cat.1应用的特点和要求,对接收机射频前端电路进行研究,满足指标要求的同时,成本和功耗都比较低。
本文基于LTE Cat.1的应用需求,采用了直接变频接收机架构设计了一款低功耗,低成本的接收机射频前端电路,主要包括了低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),混频器和跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)。其中,低噪声放大器采用了CMOS电流复用架构,结合片外匹配网络实现输入阻抗匹配,实现高增益、低功耗、高线性度,同时实现了电压转电流提供满足要求的跨导以及增益可调。为了降低版图面积,压缩成本,低噪声放大器单端输出直接与混频器相连,相对于传统结构省去了单端转差分所需的片上巴伦的面积。混频器采用了无源单平衡结构,并且在结构上进行创新,消除了单平衡混频器相对于双平衡混频器的性能恶化,本振信号采用了25%占空比的方波信号,实现了比较高的转换增益,同时支持IIP2校准功能。跨阻放大器实现了电流转电压,提供了较低的输入阻抗,并且实现了一阶滤波以抑制带外阻塞对整个链路性能的影响,此外,跨阻放大器中的运算放大器不仅采用了前馈补偿和反馈补偿的方式来拓展带宽,还使用了准静态悬空栅技术提高了驱动能力。
本设计采用了TSMC 22nm ull CMOS工艺,后仿结果表明,在2.3GHz~2.7GHz的输入频率范围内,LNA输入到跨阻放大器输出实现最大45dB,最小-10dB的电压增益,具有50dB以上的增益可调范围,增益步径为6dB;在最高增益处的噪声系数为2.13dB,输入三阶交调点大于-13.5dBm,输入1dB增益压缩点大于-25dBm,功耗为8.8mW。