关键词:
低功耗功率MOS器件
耐压模型
比导通电阻
特征电容
双向开关
摘要:
低功耗功率MOS器件在应用中有效降低系统功率损耗,提升系统效率,提高系统设备可靠性,减少系统成本,是实现电力电子设备的小型化、集约化、智能化不可或缺的基础和核心元件。自沟槽MOSFET结构发明和广泛应用以来,研究者们在沟槽MOSFET优化、超结MOSFET、体内场板MOSFET与分离栅MOSFET四个方向进行创新研究并获得更低功耗的功率MOS器件。特色工艺功率产品的提出实现了超越摩尔的创新途径,以功率MOS器件为主的“功率芯”成为“中国芯”最好的突破口。继续挖掘低功耗功率MOS器件潜力,研究更低导通电阻、更小芯片面积和更快开关速度的结构与技术,最大发挥功率MOS器件在驱动、开关等方面的优势,是研究者们的不懈追求。本文以低功耗功率MOS器件为研究对象,研究了低功耗功率MOS器件理论模型、结构、设计与工艺实现。提出沟槽功率MOS器件耐压解析模型和亚微米器件铝硅双扩散模型,并提出亚微米沟槽功率MOS器件、分离栅沟槽功率MOS器件和垂直单管双向功率MOS开关共计三类低功耗功率MOS器件新结构。主要创新点如下:一、提出低功耗沟槽功率MOS器件耐压解析模型、亚微米结构铝硅双扩散模型和亚微米沟槽功率MOS器件新结构。首先,建立沟槽功率MOS器件的二维耐压解析模型,获得漂移区二维电场分布,并给出最优击穿判据,得到器件击穿电压(breakdown voltage,BV)、比导通电阻(specific on-resistance,R)与结构和工艺参数的关系,实现沟槽功率MOS器件最优设计。基于该模型,提出并设计亚微米沟槽功率MOS器件新结构,元胞节距达到0.5μm级。同时,为研制该器件,提出亚微米结构铝硅双扩散模型,在扩散区中进行定性分析与基于恒定杂质源扩散和非稳态扩散的半定量分析,获得失效状态、临界状态和可靠状态下扩散区中铝的相对扩散系数和相对浓度的分布。基于该模型,讨论了金属电介质层对铝硅双扩散的影响,提出铝硅双扩散工艺并实验验证了其可靠性。实验结果显示,亚微米沟槽功率MOS器件具有24.1 V的BV和3.68 mΩ·mm的R,相比量产的低压沟槽功率MOS器件比导-耐压优值提升35.5%,器件功耗进一步降低。二、提出低功耗分离栅沟槽功率MOS器件(SGMOS)新结构。首先,对传统低压SGMOS进行优化分析,并研究其终端耐压退化机理。在此基础上,提出倒L型源高掺杂区结构的SGMOS,设计以斜角四象限注入为关键的源注入工艺实现该器件的制造。实验测得耐压为38.5 V的该器件具有157.5 mΩ·n C的导通电阻-栅电荷优值,相比同电压的低压SGMOS,性能获得18.2%的提升。提出窄控制栅结构的SGMOS,设计以类侧墙形成方式的窄控制栅形成工艺实现该器件。实验测得耐压为25 V的该器件具有34.1 mΩ·n C的导通电阻-栅电荷优值,相比同电压的低压SGMOS,性能获得11.7%的提升。研究复合介质层结构的SGMOS并对其进行优化设计,复合介质层结构指采用多层介质替代场板多晶硅与N漂移区间的隔离氧化层,实现相同的等效厚度下具有可调的等效介电常数,优化漂移区电场,降低漂移区电阻,从而实现器件功耗的进一步降低。此外,复合介质层结构还可以降低SGMOS元胞节距缩小而带来的工艺风险。三、提出低功耗功率MOS双向开关三层叠封方案、集成封装方案与垂直单管双向功率MOS开关新结构。使用亚微米沟槽结构,设计集成采样功率MOS器件的功率MOS双向开关,提出功率MOS双向开关与数据采集芯片、控制芯片三层叠封的封装方案,实现功率开关芯片级集成、系统级封装。使用分离栅沟槽结构,设计集成预充预放功率MOS器件的功率MOS双向开关,提出功率MOS双向开关集成封装方案,提高功率MOS器件开关与导通一致性,同时降低系统级成本。此外,提出并设计垂直单管双向功率MOS开关,将传统的双向开关对管设计转化为单管设计,从双沟道U型电流通路功率MOS双向开关转化为单沟道垂直型电流通路功率MOS双向开关,缩小功率开关整体尺寸,实现导通阻抗的降低,设计20 V双向耐压的功率MOS开关具有1.84 mΩ·mm的极低R。