关键词:
CMOS温度传感器
低功耗
电压补偿
亚阈值区电流
浅槽隔离效应
摘要:
随着科学技术的快速发展和社会发展水平的不断提高,半导体器件性能的不断研究和突破,使得相同面积上电路的集成度越来越高,导致整个电路的温度不均匀性问题不断增加。由此可知,温度传感器对于现代高性能微处理器和片上系统的温度管理越来越重要。通常数十个温度传感器会安装在同一颗芯片上,用于实时冷点和热点检测。在不同应用条件下温度传感器对应不同的性能要求,如在工业控制领域,传感器应该具有宽量程指标,对感温精度的需求却较为宽泛;在智能可穿戴消费电子领域,传感器应该具有低功耗和小尺寸的特点;而对于片上温度管理而言,传感器需要具有低功耗,小尺寸,宽量程以及高电源抑制能力的特点。CMOS温度传感器,其具有小尺寸,低功耗,低成本以及易于集成的突出优势适合片上热管理应用,因此得到学术界科研人员的广泛关注。本文对CMOS工艺的温度特性进行了仔细研究并且综合上述应用领域温度传感器的性能要求,设计出一款温度传感器。此温度传感器由电压补偿模块,感温模块,电流-频率转化模块以及计数器模块构成,具有低功耗、小尺寸、宽量程、以及高电源抑制能力。电压补偿模块利用栅极隧穿电流产生CTAT电压对感温模块进行电压补偿;感温模块中利用亚阈值区电流比值进行感温,满足低功耗小尺寸的要求;电流-频率转化模块采用电流比较器的方式,减小了电路的面积和功耗;计数器模块利用可编程计数器,在将频率比值转化为数字信号输出的同时可以实现分辨率可调。此外,基于对浅槽隔离效应和衬底偏置效应仔细分析和充分利用,克服了传感器感温精度随工艺角恶化严重的缺点。基于40nm CMOS工艺,对本文提出的温度传感器进行设计验证。整体电路的功耗为73n W,符合低功耗的应用要求。在-40℃-125℃的感温范围内,所有工艺角能满足-1℃/+0.7℃的感温精度,并且其电路面积仅为0.004mm,适合多集成领域的应用。在1.4V-1.8V电源电压范围内,温度传感器的感温精度优于1.3℃,电源灵敏度小于1.5℃/V。