关键词:
非晶氧化镓
非晶氧化铟镓锌
光电探测器
低功耗
有源矩阵
大面积集成
摘要:
日盲紫外光电探测器具有空间背底噪声低、抗环境干扰能力强等天然优势,因此大面积日盲紫外成像系统在人脸识别、智能车用玻璃、实时成像,以及进一步的虚拟现实和增强现实等应用场景里都有很重要的作用。尽管目前有很多成像方面的研究,但是大面积实时日盲紫外成像系统还处于研究空白。如果采用垂直方向的集成,就需要在不同功能的区域之间采用绝缘层隔离,但是截止到现在,无论从工艺还是材料角度,还没有实现不损害光敏元件的绝缘层。所以本工作主要为平面集成,即将光敏元件和开关元件在同一个平面进行电学互联。同时本工作是将薄膜晶体管的栅漏短接构成的二极管作为的开关器件,简化一部分互联线路的复杂性,增加单位面积的集成度。研究的功能材料是非晶氧化镓(a-GaO)、非晶氧化铟镓锌(a-IGZO),利用两种材料组成的异质结制成了高性能的日盲紫外光电晶体管;利用非晶氧化铟镓锌的同质结制成了增强型的薄膜晶体管(TFTs)以及在低工作电压下操作的场效应二极管(FEDs),并且各自制成了有源矩阵。首先制备了底栅叉指结构的a-IGZO/a-GaO双功能层日盲紫外光电晶体管。低阻a-IGZO提供的载流子,在栅绝缘层与沟道层接触界面处产生导电通道同时钝化接触界面处的缺陷态,极大的提高了器件稳定性,获得了开关比~10、亚阈值摆幅(SS)为0.36 V/dec的光电晶体管。再进一步制成了(2×3)的有源矩阵,测试之后发现不同像素之间仍然有干扰,因为在保证光敏元件完全打开的情况下测试开关元件的性能,发现其不具备开关特性。然后经过后退火处理,在大气中200℃/30 min条件下,可以将FEDs的反向电流降低4个数量级。然后结合TCAD的模拟结果,明确了薄膜晶体管在栅源电压为0 V,即V=0V偏压下时漏端的电流值I与FEDs的反向电流I之间的对应关系。因为异质结中的a-IGZO/a-GaO处的电子阱提供了大量的电子,在稳定器件性能的基础上也使V=0 V时的漏端电流过高,因此不能得到预期的反向电流,所以将沟道层材料改为a-IGZO/a-IGZO实现将耗尽型器件转变成增强型器件,并且最终使FEDs的I从10A量级降低到10A量级。结合后退火工艺,TFTs和FEDs的性能均在一定程度上得到优化,并且FEDs的I进一步降低到10 A量级。但是器件的不稳定性问题仍然没有得到解决,而且制成(2×2)有源矩阵之后这种不稳定性会被放大,器件需要较高的工作电压才能驱动有源矩阵正常工作。最后a-IGZO/a-IGZO紫外光电探测器的不稳定是由于背栅结构在生长过程中栅氧层和沟道层接触界面处由于磁控溅射过程中的等离子体轰击造成的损伤引起的。从薄膜生长角度来看,通过降低低阻层的生长时间,来降低溅射损伤造成的缺陷态密度;从结构参数的角度来说,通过降低器件的宽长比降低缺陷态捕获载流子的概率。然而经过实验验证后,发现器件的稳定性都没有得到明显改善。除此之外,基于栅压脉冲对薄膜晶体管的重置作用,将方波信号引入FEDs的测试过程中,可以消除连续测量时的不稳定性,但是分钟级别的时间之后就会恢复初始状态,限制了方波信号的实际应用。