关键词:
碳化硅(SiC)
MOSFET
高频
多谐振
驱动
钳位
摘要:
为了解决SiC MOSFET在高频电力电子应用中的高功率损耗问题,并优化其开关性能,提出一种多谐振栅极驱动电路。该驱动电路利用能量回馈的思想,设计一个多谐振滤波网络进行高阶谐波滤波和回收输入电容中的能量,通过控制三极管的通断将栅源电压钳位在+15 V和-5 V的期望电压,旨在减少驱动电路从电源中获取能量,避免误触发问题,以及提高SiC MOSFET开关过程的效率。LTspice仿真结果显示,与传统栅极驱动电路和其他普通谐振栅极驱动电路相比,所提多谐振栅极驱动电路的功率损耗分别降低了50%和30%,同时加快了SiC MOSFET的开关速度。所提驱动电路具有一定的实用价值,有利于电力电子行业的发展。