关键词:
RC-IGBT
超结
电压回跳
超低功耗
摘要:
IGBT结合了BJT和MOSFET的优点,具有较高的工作频率和较低的导通压降。但是在使用中通常要与续流二极管并联,片外集成的IGBT和续流二极管模块存在寄生效应、可靠性等问题。为解决此类问题,研究者们提出了将IGBT和续流二极管单片集成的Con-RC-IGBT器件,然而Con-RC-IGBT存在固有的电压回跳现象,限制了其应用。且Con-RC-IGBT在关断期间,拖尾电流过大,增加了器件的动态功耗。本文围绕如何解决RC-IGBT器件的电压回跳和关断功耗问题进行研究,并利用Sentaurus TCAD仿真软件进行优化与验证。
首先,针对Con-RC-IGBT的基本动静态特性进行了仿真分析,分析了Con-RCIGBT和FS-IGBT的导通和耐压机理,重点分析了Con-RC-IGBT产生电压回跳现象的原因,讨论了FS层厚度、掺杂浓度和N+集电极长度对电压回跳现象的影响。介绍了本文采用的动态仿真电路,给出了基于TCAD仿真软件的Con-RC-IGBT的关断特性和反向恢复特性仿真结果。
其次,提出了一种具有集电极侧槽的超结RC-IGBT(CST-RC-IGBT),该结构漂移区采用超结结构,利用电荷补偿效应,优化了耐压与导通损耗之间的折衷限制,在相同漂移区厚度下,提高了击穿电压的同时降低了导通功耗。同时通过集电极侧槽将N+短路区和P+集电区物理隔离,P柱在N+短路区上方,N柱在P+集电区上方,避免了器件在导通初期工作在MOS模式下,当集电极偏压大于PN结内建电势差时,CSTRC-IGBT直接导通工作在IGBT模式下,完全消除了电压回跳现象。器件关断时,超结的P/N柱之间横向耗尽,集电极侧槽辅助耗尽集电极侧剩余少子,关断时间大大减小,从而将动态功耗降低了56%。CST-RC-IGBT具有比Con-RC-IGBT更优的导通压降和关断损耗的折衷曲线。
再次,在CST-RC-IGBT的基础上,提出了具有集电极侧肖特基结的RC-IGBT(SCRC-IGBT),SC-RC-IGBT将集电极侧N+短路区部分替换为肖特基结构二极管,同时在超结底部增加了N+FS层,作为逆向导通的续流二极管中载流子的补充。利用了肖特基二极管的快速关断特性,进一步提高了器件的关断速度,降低拖尾电流,从而大大降低了关断功耗,其关断功耗相比于Con-RC-IGBT下降了62.2%,相比于CST-RCIGBT降低了14.1%,具有更低的动态功耗。SC-RC-IGBT同样完全消除了电压回跳现象,由于集电极侧肖特基结和漂移区超结的存在,集电极电压小于PN结导通电压时,器件不导通,大于PN结导通电压后,SC-RC-IGBT同样直接导通工作在IGBT模式下,不会发生MOS模式到IGBT模式转变的电压回跳过程。
最后,针对SC-RC-IGBT提出了一种终端结构,该结构选用深槽终端结构,将阻断状态下电场线全部截断在深槽内,击穿电压接近SC-RC-IGBT的击穿电压,保证了击穿发生在元胞区内。