关键词:
功率半导体器件
LIGBT
关断损耗
正向压降
电场调制
短路阳极
摘要:
由于具有小体积,高可靠性以及绿色节能等优势,绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为一种重要的功率半导体器件(Power Semiconductor Device,PSD),被广泛应用于新能源、电力机车和智能电网等领域。此外,横向IGBT(Lateral IGBT,LIGBT)凭借其优异的导通性能和集成特性,有望成为未来智能功率集成电路的重要组成部分,以减少电路模块的整体功耗,提供性能更加高效的产品。快速低功耗新型LIGBT中的“快速”代表着关断速度快,而“低功耗”代表着低导通及关断损耗。当LIGBT导通时,漂移区中过剩载流子产生的电导调制效应带来了低导通电阻和低正向压降,而在关断时,大量过剩载流子产生的漫长复合过程也带来了长关断时间和高关断损耗,这说明导通损耗与关断损耗之间存在着矛盾。作为LIGBT在设计过程中所面临的主要问题之一,通过改善器件正向压降与关断时间或损耗之间的折中关系,最终可以实现快速低功耗器件性能的设计目标。本文从两种思路出发来优化器件正向压降和关断速度之间的折中特性,一是改善导通性能,即调节器件在导通过程中的漂移区过剩载流子存储效应,通过研究电场调制技术实现了对器件电场及过剩载流子分布的改善,性能优化包括直接提升的耐压能力和间接改善的正向及关断特性,同时建立了电场调制电场电势分布模型,设计并分析了三种具有电场调制快速低功耗新型LIGBT,包括新型PBAD LIGBT(P-Buried layer and Assisted Depletion N-region,PBAD),新型SSBO LIGBT(Single Step Buried Oxide,SSBO)以及新型BPSOI LIGBT(Buried Partial Silicon-On-Insulator,BPSOI);二是改善关断性能,即控制器件使其在关断瞬间快速抽取过剩载流子,通过对短路阳极技术的研究,阐明了在关断过程中阳极短路结构加速电子抽取的优势,从而抑制了电流拖尾现象以提升关断速度,同时建立了短路阳极导通及关断模型,设计并分析了三种具有短路阳极快速低功耗新型LIGBT,包括新型TBSA LIGBT(Trench Barriers and Shorted-Anode,TBSA),新型ASTC LIGBT(Anode Schottky Trench Contact,ASTC)以及新型EGSA LIGBT(Electron-controlled Gate and Schottky Anode,EGSA)。本文主要的创新和工作内容如下:通过电场调制技术优化了器件横纵向电场分布,提高了LIGBT耐压能力,从而在相同电压等级下间接地缩短器件长度。电场调制电场电势分布模型论证了电场优化的基本原理,其分析结果表明小尺寸LIGBT可以通过降低非平衡载流子数目来加速漂移区耗尽过程,以缩短关断时间降低关断损耗,同时在电导调制效应低电阻率的作用下维持低正向压降。通过灵活应用三种主要的LIGBT衬底类型,包括无埋层和有埋层体硅衬底以及SOI衬底,从而实现对于器件内部RESURF(REduced SURface Field)判据的影响,以此提出并分析了三种基于电场调制机理的快速低功耗新型LIGBT。三种新型LIGBT最终都实现了耐压能力的提高,在同等电压等级条件下能够达到缩短漂移区有效长度的目的,而小尺寸器件有利于获得更快的关断速度以及更低的正向压降。基于电场调制技术的三种新型LIGBT结构包括:(1)具有P型埋层和辅助耗尽N型区新型PBAD LIGBT,具有不同埋层类型的体硅衬底实现了同时存在额外高电场峰值且均匀分布的横向和纵向电场;(2)具有单面阶梯埋氧层新型SSBO LIGBT,埋氧层厚度变化形成的阶梯界面处会产生额外电场峰,器件横向电场因此得到优化;(3)具有P型埋层和部分埋氧层新型BPSOI LIGBT,P型埋层,P型衬底和部分埋氧层三个部分之间界面处都会产生额外电场峰,器件横向电场得到进一步优化。通过短路阳极技术提供了额外电子抽取路径,降低了器件阳极端非平衡载流子浓度,缓解了关断瞬间电子空穴对的复合压力,因而具有较快的关断速度,能够降低关断损耗。对于短路阳极结构来说,电势调制电压折返导通模型表明由于导通电阻突变引起的电压折返现象可以被彻底抑制。电荷控制关断模型则展现了器件正向阳极电流和阳极偏置电压随时间的变化,说明了短路阳极结构在改善关断性能方面具有优势。通过利用三种设计思路包括提供固定的或者可变的阳极区电阻,或者提高寄生阳极区开启电势差可以完全消除通态负阻区现象,从而提出并分析了三种基于短路阳极思想的快速低功耗新型LIGBT,最终都实现了显著改善的正向压降与关断损耗之间的折中特性。基于短路阳极技术的