关键词:
低功耗
高瞬态响应
高稳定性
NMOS功率管
过欠冲抑制电路
低阻输出缓冲器
摘要:
LDO(Low Drop-Out regulator-线性稳压器)作为电源管理系统的末级支路,能够过滤电源端带来的输入扰动,在电源管理系统中起着无可替代的作用。随着电子电路规模扩大和便携式技术的发展,对LDO的带载能力、续航能力和输出稳定性提出了更高的要求,因此瞬态增强技术、低功耗技术应运而生,受到更多的关注。本文针对两类不同的应用需求,分别设计了一种低功耗高瞬态响应的Capless LDO(无片外电容的线性稳压器)和一种具有高稳定性的瞬态增强型LDO。针对便携式设备提出小面积、低功耗的芯片设计要求,本文设计了一种低功耗高瞬态响应的capless LDO。采用了一种Nmos功率管并结合过、欠冲抑制电路结构来提高电路的瞬态响应。由于无片外电容,该类电路的稳定性设计是一个难点,本文使用一种改进型Class-AB OTA(operational transconductance amplifier-跨导放大器)作为误差放大器来消除低频极点,并采用超级源极跟随器和密勒电容为系统提供频率补偿,实现了系统的稳定性。最后该系统可以在负载电流切换时间为1ns的情况下提供稳定电压。带片外电容的LDO采用片外分立器件进行频率补偿,分立器件精度较集成器件精度低,同时易受外界环境干扰导致补偿不精准。为了进一步满足工业级LDO对于高稳定性的需求,本文设计了一种采用片内补偿的高稳定性瞬态增强LDO。针对负载变化导致的极点重合问题,本文采用折叠式共源共栅运放作为误差放大器保证环路增益,同时配合一种输出低阻buffer将功率管栅级极点推到高频,从而将系统的稳定性分析转化为所熟知的经典两级运放稳定性分析,然后采用密勒电容进行频率补偿,实现了系统片内补偿的稳定性。该buffer在推远栅极极点的同时,将系统带宽从数KHz提升至数MHz,可以实现9)~级的负载电流切换,系统的瞬态特性较强。本文设计的两个结构采用TSMC 180nm CMOS工艺完成芯片的仿真和版图设计。Capless LDO电路的版图面积为184μm×222μm,该芯片适用于2.5-3.6V输入,1.2V输出,后仿真结果表明LDO静态电流仅有0.57μA,1ns的切换时间下,瞬态电压小于260m V,恢复时间小于450ns。在最差PVT条件下,最小相位裕度大于45°,线性调整率小于1.37m V/V,负载电流变化时,最大偏移小于2.1m V,满足为后级电路供电要求。对于高稳定性瞬态增强型LDO,电路版图面积为354μm×130μm,该芯片适用于2.5-5V输入,1.8V输出。后仿真结果表明负载从0-100m A切换时瞬态峰值小于30m V。在最差PVT条件下,最小PM>57.5°,线性调整率小于0.723 m V/V,负载电流变化时,最大偏移小于20m V,满足工业级LDO的应用需求。