关键词:
基准源
极低功耗
CMOS
压电能量采集器
亚阈值区
摘要:
在可穿戴设备和无线传感节点等应用中,无源自供能系统相对于电池供电系统而言具有体积小、成本低、使用期限长等优点。无源自供能系统的能量可以来自于太阳能、风能、热能和振动能等环境能源。振动是自然环境中广泛存在的能量来源,基于压电能量采集器的无线传感节点,将环境中的振动能转换为电能为节点供电。由于节点中的能量全部来自压电能量采集器转换的能量,为了达到能量最优利用率,要求节点的能量采集、转换和管理电路具有极低功耗的特点。基准源作为能量采集和管理电路中的基础模块,其功耗要尽可能低。因此研究用于无线传感节点的低功耗基准源有十分重要的应用价值。依托国家相关自然科学基金项目要求,本文深入研究了基于MOS晶体管阈值电压温度特性的极低功耗全CMOS基准源的设计技术,针对功耗、温度系数、线性调整率和电源抑制比等性能指标,设计并实现了两款全CMOS极低功耗基准源电路,并应用于一种压电能量收集和管理集成电路中。本文首先基于MOS晶体管阈值电压的温度特性,详细介绍分析了各种基于阈值电压的全CMOS基准源结构,并讨论了μT2电流产生电路的各种结构,在此基础上,本文对所要设计实现的第一种极低功耗全CMOS基准源的整体拓扑结构进行了详细的分析和介绍,包括μT2电流产生电路、偏置电压产生电路和启动电路等其他辅助电路。该电路使用全CMOS实现,避免使用大的片上电阻,从而减小了芯片面积。该电路采用华虹宏力0.11 μm CMOS工艺实现,并采用数字修调的方法保证电路在各个工艺角下的性能稳定性。版图后仿结果表明(TT工艺角下):在1.6 V电源电压下,-40℃至100℃范围内,基准电压为673.2mV,温度系数为138.3ppm/℃;在27℃条件下,电源电压1.6 V至4.6 V范围内,线性调整率约为0.2%/V,电源抑制比为-40 dB@1 kHz;该基准源电路在1.6 V的电源电压下功耗为565.2 nW。版图的有效面积为0.035 mm2。该电路经流片后COB封装测试结果表明,基准电压为678.4 mV,温度系数为84.2 ppm/℃,线性调整率为0.5%/V,功耗为900 nW。在第一种基准源的基础上,对其进行改进并设计了第二种极低功耗基准源,主要是采用了温度系数线性度更好的晶体管,从而有效降低基准电压的温度系数。版图后仿结果表明(TT工艺角下):在1.6 V电源电压下,-40 ℃~100℃的温度范围内,基准电压为687.1 mV,温度系数为4.49ppm/℃;在27℃时,电源电压1.6V~4.6V范围内,线性调整率为45.2 ppm/V,电源抑制比为-75.5 dB@100Hz;在电源电压为1.6 V时电路的最小功耗为157.8 nW;版图的有效面积为0.036 mm2。上述两种极低功耗基准源电路都集成在一种压电能量采集和管理电路中进行了流片验证。本文对相关的测试结果进行了详细的分析和讨论,结果表明,本文实现的低功耗基准源电路可广泛应用在压电能量收集和管理集成电路中。