关键词:
达林顿结构
砷化镓
自适应偏置
线性度
射频芯片
射频放大器
摘要:
基于2μm InGaP/GaAs HBT(磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管)工艺设计了一款单片微波集成电路射频放大器芯片。针对达林顿结构射频放大器线性度低的问题,通过设计自适应线性化偏置电路,提高了线性度,降低了功耗,同时增大放大管的尺寸,提高了电路的总输出功率。仿真结果表明,在带内最大增益达到20 dB,增益平坦度为±1.2 dB,放大器的OIP3为34.5 dBm,射频放大器的P-1dB为15 dBm,输入回波损耗为11.3 dB,输出回波损耗为11.5 dB,版图的尺寸为0.4 mm×0.55 mm。