关键词:
MEMS
气体传感器
脉冲驱动
NO2检测
超低功耗
摘要:
金属氧化物半导体(MOS)气体传感器被广泛应用于众多领域,如:大气环境监测、医疗健康、农业生产等。与传统的检测方法相比(气相色谱-质谱法、非色散红外分析法等),其具有灵敏度高、响应时间快、体积小、成本低等优点。然而,MOS气体传感器的工作温度通常在100~450℃范围之间。这是由于在较高温度的热激发条件下,金属氧化物表面的电子更易被气氛中的氧分子捕获,形成化学吸附氧,从而与目标气体发生氧化还原反应,使器件的导电性发生改变。因此,MOS气体传感器内部通常会配置加热电极来提供合适的工作温度,这也使传感器产生了较高的功耗。随着物联网、人工智能技术的快速发展,气体传感器的应用场景大幅增加,低功耗、小型化、集成化是传感器未来的发展趋势。本文采用脉冲电压驱动的加热方式降低器件功耗,并研究在此加热方式下MEMS传感器对二氧化氮(NO2)的气敏特性,分析不同加热方式下气体扩散行为及敏感机理。
本文的主要研究内容如下:
(1)利用脉冲电压驱动的加热方式降低MEMS传感器的功耗。选择商用MEMS NO2气体传感器(GM-102B)来研究和验证该策略的可行性。以脉冲驱动电压(Ton=0.1 s,Toff=29.9 s)作为加热电压,在此加热模式下,传感器能够达到其最佳工作温度210℃,且加热功耗仅为0.09 m W,是直流加热方式下的1/300。分析在脉冲电压加热模式下传感器的电阻变化,控制电阻信号的采样时刻,消除不同温度对传感器电阻信号的影响,合理定义灵敏度。在脉冲电压驱动下,传感器对0.1~4 ppm的NO2表现出较高的灵敏度,对1 ppm NO2的响应为6.03,比直流加热方式下的灵敏度(2.75)提高了2.2倍。
(2)制备了基于分等级氧化铟(In2O3)的MEMS NO2气体传感器,研究脉冲电压驱动下传感器的气敏特性。采用水热法制备了分等级结构的In2O3气敏材料,其疏松多孔的表面结构为气体扩散提供更多的通道,并且材料富含氧空位,为反应提供大量的活性位点。在脉冲电压驱动下(Ton=0.1 s,Toff=29.9 s),MEMS传感器对低浓度NO2的检测具有更高的灵敏度,检测下限由直流方式下的1 ppm降低至100 ppb,且传感器表现出良好的响应/恢复特性,传感器的平均功耗低至0.075 m W。在脉冲电压驱动模式下,休眠阶段减少了目标气体的解吸,并驱动目标气体向传感层内部扩散,为下一个脉冲周期内的加热阶段的连续氧化还原反应提供反应气体。
综上所述,本论文通过脉冲电压驱动MEMS气体传感器的方式,在有效降低功耗的同时,传感器对NO2的气敏特性也得到了优化。对脉冲驱动加热方式下气体分子的扩散行为及材料的敏感机理进行分析,为今后传感器在功耗要求更为苛刻的可穿戴、便携式设备和物联网等领域的应用提供了新的工作模式。