关键词： 小体积   低相噪   SC-切谐振器   低电压   低功耗   高稳定度  

摘要： 根据用户需要,该文设计了一种小体积低相噪40 MHz恒温晶体振荡器。该振荡器采用低噪声线性稳压器(LDO)作为电源、SC-切晶体谐振器及B模抑制网络等设计,在减小体积的同时提高了产品的相位噪声。温控系统采用直放式加热电路,比例积分的算法,有源负载作为加热元件,提高产品的控温精度,降低环境温度变化对振荡器带来的影响。该振荡器工作稳定可靠,工作电压仅为5 V。其温度-频率特性绝对值不大于0.02×10^-6(-30^+70℃),相位噪声不大于-160 dBc/Hz@1 kHz的指标。功耗仅为0.9 W,体积仅为20 mm×12 mm×10 mm。

关键词： 双阈值独立栅FinFET   负电容FinFET   低功耗   铁电薄膜HfO2  

摘要： 将一定厚度的铁电材料HfO2应用到独立栅基准器件FinFET的前栅和后栅表面,构成具有对称栅结构的负电容独立栅FinFET器件.通过调整新器件的栅功函数、结构参数和铁电材料参数,构建高阈值和低阈值负电容独立栅FinFET器件.提出的双阈值负电容独立栅FinFET器件具有较小的亚阈值摆幅和较大的开关电流比,在降低功耗方面具有显著的优势.

关键词： 远程录井   工作曲线   CRC校验   位图显示技术   多线程  

摘要： 随着录井新技术的不断应用,远程录井服务的逐渐完善,实现了现场数据向监控中心的迁移。释放了现场人员的工作压力,弥补了远程录井对现场传感器参数准确性的监控,保证了录井数据的准确性,提高了录井质量。

关键词： 负电容场效应晶体管   低功耗   亚阈值摆幅   铁电材料   负电容效应  

摘要： 随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点。负电容场效应晶体管基于铁电材料的负电容效应可有效地降低器件的亚阈值摆幅,从而降低器件的功耗。该文设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)结构的铁电负电容场效应晶体管,利用TCAD Sentaurus仿真工具对负电容晶体管进行仿真研究,得到了亚阈值摆幅为30.931 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构和参数。最后仿真研究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度对负电容场效应晶体管亚阈值特性的影响。

关键词： 纳米MOSFET   弱反型区   噪声机理   低功耗   高频  

摘要： 针对40 nm MOSFET和表征其噪声机理的漏极电流噪声进行了研究,从强反型区到弱反型区对高频特性进行了测量和分析,建立了一个基于物理的40 nm MOSFET漏极电流噪声简洁模型。77 K和300 K温度条件下的研究结果表明:在低压弱相互作用条件下,40 nm MOSFET的高频噪声机理由受抑制的散粒噪声转变为热噪声。这个噪声机理的发现有利于纳米级MOSFET在弱反型区的高频建模和低功耗应用。

关键词： 单片机   语音播报   低功耗  

摘要： 利用Arduinouno、时钟芯片DS1307、液晶显示1602模块、语音播报模块和键盘模块等实现作息时间显示和语音播报,通过键盘模块将作息时间编程输入到单片机内部的EEPR0M保存,单片机根据读取的DS1307当前时间与作息时间比较完成作息时间播报。该系统具有硬件电路简单、操作方便、时间显示精度高、低功耗的特点;用户可以在线进行作息时间编程、修改和保存,适应作息时间不同需要的特点。

关键词： 国家安全机关   犯罪分子   社会治安   检察机关   违法犯罪   手铐   智能电子   执法办案  

摘要： 公安机关、司法机关、检察机关和国家安全机关等民警在打击违法犯罪、维护社会治安和服务人民群众等方面发挥着不可替代的作用,民警在执法办案、执勤押解过程中,手铐的使用极其重要。由于执法环境复杂,犯罪分子狡诈异常,即使佩戴制式手铐也可能发生脱逃事件。针对一线需求,本文设计了一种基于低功耗广域网的智能电子手铐系统。

关键词： 脉冲宽度调制   亚阈值泄漏   高效率转换  

摘要： 设计了一种应用于能量收集领域的低功耗、超低电压DC-DC升压转换器。研究了转换器工作频率与功率和效率的关系,通过选择合适的脉冲宽度调制(PWM)频率来提高输出功率。通过适当提升转换器开关功率管的栅极电压,减小了晶体管的泄露电流,从而提高了输出电压。基于CMOS 65nm工艺进行设计。仿真结果表明,提出的方案能提高弱能量转换效率。当输入电压为100mV时,最大输出电压为1 000mV。DC-DC升压转换器的输出功率为3.08μW,转换器控制单元的功耗为697nW,转换效率达到57.3%。

关键词： 压控振荡器   低相位噪声   低功耗   射频集成电路  

摘要： 作为收发器的重要模块,与其他收发器模块相比,压控振荡器(VCO)消耗了大量能源。由于许多射频应用系统采用电池作为能源,如WiFi、蓝牙及物联网等系统,因此,在保持合理的系统性能的前提下,需尽量降低功耗。该文研究了标准VCO结构的性能,并提出了一种新的CMOS VCO电路结构。与传统的CMOS VCO相比,该文提出的CMOS VCO只需较少的外部偏置电流便可产生更高的跨导,因而可以消耗更低的功耗。在1.8 V电压供电下,该文提出的VCO仅消耗了2.9 mW,取得了-124.3 dBc/Hz@1 MHz的相位噪声。

关键词： 数控振荡器   低功耗   低电压   多级电容衰减   频率分辨率  

摘要： 提出了一款工作在低电压(0.5~0.7 V)下的LC数控振荡器(Digitally controlled oscillator,DCO),采用电流复用结构的MOS对管为DCO起振提供能量,降低了DCO消耗的电流。提出一种多级电容衰减技术,在不增加功耗的前提下,使电容衰减系数达到0.002,并将单位可变电容值从4 fF减小到8 aF;在2.4 GHz频率下,使频率分辨率达到8 kHz。提出的LC-DCO在130 nm CMOS工艺下进行了流片验证,测试结果表明,在0.6 V电源电压下,功耗为6.6 mW,1 MHz频偏处的相位噪声从-126.7 dBc/Hz到-125.95 dBc/Hz,实现了195 dB的FoM。