关键词:
相变存储器
功耗
第一性原理
分子动力学模拟
电场
摘要:
随着“大数据”时代的到来,海量的数据存储及分析对计算机和存储器的性能提出了挑战。另一方面,人工智能领域的快速推进,也促使数据的存储和处理朝着通用型存储和“存算一体化”的方向发展。在这种发展趋势下,传统的半导体存储器在性能的发展也逐渐显得力不从心。人们迫切需要找到同时具有非易失性、速度快、功耗低、高集成度等优点的新型存储器。在这种需求下,以相变存储器为代表的多种新型非易失性半导体存储器应运而生。相变存储器以相变材料为信息存储的载体。相变材料在一定外界条件,通常是电脉冲作用下可以实现其晶相和非晶相之间的可逆相变。两相的性质差异为信息存储提供了两个基本的逻辑状态“0”和“1”。相变存储器由于其良好的数据保持力,快速的存储速度等优点得到了广泛关注,并且已经实现了商业化应用。不过,与阻变存储器、自旋转矩存储器等新型半导体存储器相比,相变存储器的功耗明显要高许多。特别是在器件集成度越来越高的情况下,高功耗将带来诸多问题。为降低相变存储的功耗,该领域的研究者们提出了减少相变区域体积、设计新的低功耗相变材料组分,和使用可避免熔化过程的诱发相变外界条件等方法。本论文中,针对相变存储功耗高的问题,我们使用第一性原理计算,主要探究了影响相变材料功耗的非晶化过程的机理。在此基础上,我们进一步提出了降低相变材料功耗的可行性方案。具体研究内容包括以下5个方面:1.探究空位有序的立方GeSbTe的非晶化过程及这一新相的可能应用。在目前研究最广泛的GeSbTe材料中,我们发现了它的一个新的立方相,其中空位高度集中形成了空位层。通过第一性原理分子动力学模拟,我们发现空位有序的立方GeSbTe的熔化过程首先从空位层附近开始。其中空位层附近的Ge原子会在熔化开始前进入到空位层中,进一步促进空位层附近的无序化。通过控制熔化时间,只让空位层附近转变成非晶态,那么在空位有序的立方GeSbTe中可以实现准二维非晶化过程并得到一个半非晶相。半非晶相可视为纯非晶相和纯晶相的中间态。那么基于这三个相可以实现三态的相变存储。另外,使用半非晶相和纯晶相也可以实现低功耗的双态存储方案。2.相变材料厚度的极限——单层SbTe相变过程研究。减少相变材料尺寸可以明显降低功耗。但对于常用的GeSbTe材料,其厚度达到2nm时将无法结晶。为解决这一问题,我们选择更容易结晶的SbTe材料,并将其层状结构单元取出得到单层的SbTe。通过分子动力学模拟,我们发现单层SbTe可以发生晶相和非晶相之间的可逆相变过程。其结晶过程先形成Te-Sb-Te三原子层作为晶核,之后再生长成晶相的五原子层结构(我们称之为“3+2”结晶过程)。另外,我们还发现衬底对相变影响十分显著,未钝化的衬底将破坏结晶过程。由此,我们提出了基于单层SbTe材料的二维相变存储器方案。二维相变存储器不仅解决了高功耗的问题,同时还能增加相变存储器件的集成度。3.光激发诱导新型Sc-Sb-Te相变材料超快非晶化过程。Sc-Sb-Te是一种新的相变材料组分,由于其超快的结晶速度得到了广泛关注。其中Sc与周围Te形成的稳定原子集团(ScTe)可以作为晶核,从而加速结晶过程。事实上,Sc-Sb-Te也是一种低功耗的相变材料,然而目前对其非晶化过程的研究很少。我们使用基于含时密度泛函理论的分子动力学模拟,研究光激发作用下Sc-Sb-Te的非晶化过程。由于Sc独特的d电子成键特性,使得在激发作用下,电子会选择性地占据Sc的t轨道。这导致了ScTe原子集团中的Sc偏离原来的成键构型并朝着t轨道的成键构型发生定向转变。这种转变会驱动周围原子更容易发生无序化,降低非晶化的功耗。因此,ScTe原子集团不仅可以加速Sc-Sb-Te材料的结晶过程,也有利于材料的非晶化过程。4.电场作用下InSe结构和性质变化研究。电场可以使相变材料GeTe纳米线中位错堆积,由此实现不经过熔化过程的非晶化,从而降低了功耗。一般认为,电场作用下载流子与晶格的耦合作用导致了位错运动。除了这种耦合作用外,电场对材料中的原子核及电子有非热的库仑力作用。这部分内容将探究非热库仑力是否会引起相变。但是VASP计算软件研究电场作用时要求计算模型必须是二维结构。因此,我们先以单层硫族化合物InSe为例,探究其在电场作用下的结构和性质变化。我们发现电场对单层InSe的结构和带隙影响甚微,但能降低其空穴的有效质量。因此在单纯库仑力的作用下无法发生相变。另外,电场可以控制单层InSe对气体分子的吸附力。5.理解有机单晶中主客体分子的掺杂机制。掺杂是调控半导体性质的主要手段。但目前对有机单晶中主客体分子掺杂机理的研究还存在空白。以并五苯掺杂BSB-Me单晶为例,我们通过第一性原理计算发现客体并五苯分子在主体BSB-Me晶体中呈现出“完美”的替换位掺杂结构。这一结论被实验上的荧光偏振光谱结果所证实。并且在