关键词:
毫米波
超导纳米单光子探测器
可变增益放大器
超低温放大器
宽带
高增益
低功耗
摘要:
在无线通信及探测技术需求推动下,高数据速率毫米波通信、高精度毫米波成像、高安全性量子通信等技术快速发展。但我国核心芯片长期受制于人,严重制约我国通信与探测技术的发展。作为以上技术的核心基础,我国宽带硅基放大器芯片的研究具有重要意义。基于上述背景,本论文开展了面向通信与探测的硅基宽带放大器研究与设计,主要内容和贡献概括如下:1)重点研究60GHz毫米波接收机中高性能宽带可变增益放大器的设计和实现。基于CMOS工艺的低成本和高集成度优势,设计实现一种65nm CMOS高性能可变增益放大器。首先,为解决宽带问题,设计采用改进型的Cherry-Hooper结构作为可变增益单元,利用四级级联降低对单级可变增益单元增益带宽积的要求,有效增加可变增益范围,提高整个接收机的动态范围;其次,为解决群延时、带内平坦度及其引起的稳定性问题,采用串并结合的可变电阻阵列和零点补偿技术,并进行相应的理论分析和仿真验证;再次,为解决不同带宽需求和带宽一致性问题,引入可变电容阵列实现可调带宽;最后,为解决级联系统的直流失调问题,提出高效率的双负反馈直流失调消除电路,并通过理论分析和蒙特卡洛仿真验证该电路的高效性。测试结果表明,该可变增益放大器的可变增益范围达到-4.3~50.8d B,步长为1d B;3-d B带宽可变范围为0.7~1.9GHz,完全覆盖指标所要求的880MHz和1.76GHz;最大增益下噪声系数优于13d B,OP最大为-1d Bm,带内群延时变化小于50ps。2)面向被动毫米波成像接收机应用,重点研究高性能宽带可变增益放大器的设计和实现。基于65nm CMOS工艺,首先提出具有更高共模抑制比、更大输入跨导的差分跨阻放大器,以进一步提高带宽,并降低功耗;其次在反馈电阻中引入模拟信号控制的MOS可变电阻以及可变电容阵列实现增益和带宽的可重配置性,以补偿PVT对电路性能的影响并兼容其它接收机;然后采用新颖的可变跨导阵列实现高精度3-d B增益步长,并结合可变电流源阵列最终实现步长误差小于0.1d B的高精度0.5d B增益步长的跨导级。在跨导级中,采用独立的中和电容拓展带宽,保证在整个可变增益范围内带宽具有不变性;最后,考虑到大信号输入的情况,在VGA前端引入R-2R衰减器,以增加VGA动态范围,进一步提高大信号输入下的线性度性能。最终测试结果表明该VGA可变增益范围达到-10~50d B,-3d B带宽可变范围为1.2~3.0GHz。在0~60d B可变增益范围,放大器带宽可变范围为0.82~2.1GHz。在特定带宽下,整个增益可变范围内带宽变化小于10%,OP最大为4.5d Bm,0.5d B步长误差小于0.1d B。测试结果表明,增益幅频特性表明具有优异的增益平坦度且群延时变化小于25ps,性能优异,达到世界先进水平。3)重点研究应用于超导纳米单光子探测器中宽带放大器的设计和实现。基于Bi CMOS工艺,完成了两种低功耗宽带超低温放大器。为解决缺少超低温器件模型的问题,一方面根据现有参数随温度变化趋势,在电路设计中保留合理的设计裕量;另一方面简化电路结构,以增加电路可靠性。第一种超低温放大器采用基于并联电阻负反馈的放大器结构,在常温下通过对增益、带宽、噪声、稳定性等的理论分析和仿真验证进行最优化设计。测试结果表明,在4.2K超低温下可获得20.5d B的增益,-3d B带宽为120k Hz~1.3GHz,功耗仅为3.1m W。为获取更宽的带宽,第二款超低温放大器基于Cherry-Hooper放大器结构。测试结果表明,在4.2K超低温下可获得23d B的增益,-3d B带宽为130k Hz~3.4GHz,功耗仅为4.3m W。